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文档简介

wx曦,题目：n阱CMOS芯片制作工艺设计,组别：第三组,任务: .MOS管的器件特性参数设计计算； .画出每步对应的剖面图； .掺杂工艺参数计算：分析、设计实现n阱 条件并进行掩蔽氧化膜、多晶硅栅膜等 厚度验证 .给出n阱CMOS芯片制作的工艺实施方案,wx曦,n沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTn=0.5V, 漏极饱和电流IDsat1mA, 漏源饱和电压VDsat3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS20V, 跨导gm2mS, 截止频率fmax3GHz（迁移率n取600cm2/Vs） p沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTp= -1V, 漏极饱和电流IDsat1mA, 漏源 饱和电压VDsat3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS20V, 跨导gm0.5mS, 截止频率fmax1GHz（迁移率p取220cm2/Vs）,特性指标要求：,wx曦,设计步骤：,分析器件的预期特性要求计算器件的结构参数确定器件的工艺流程设计器件的工艺参数对器件的结构参数进行验证给出n阱CMOS芯片的工艺实施方案,wx曦,器件的结构参数设计,思路：由器件的电特性分析计算出器件的结构参数,漏极饱和电流 IDsat 1mA漏源饱和电压VDsat 3V,nMOS结构参数设计：,wx曦,跨导gm2mS,截止频率fmax3GHz,L3.09um,wx曦,pMOS结构参数设计：,wx曦,结构参数设计结果：,NMOS：栅长 L=2um 栅宽 W=36um,栅氧化层tox,沟道栅长L的验证,PMOS：栅长 L=2um 栅宽 W=52um,wx曦,工艺流程：,一次氧化,wx曦,一次光刻形成n阱窗口,wx曦,离子注入形成浅结退火推进形成n阱,wx曦,除二氧化硅层,wx曦,P衬底,N阱,淀积氮化硅,wx曦,P衬底,N阱,光刻氮化硅,wx曦,P衬底,N阱,生长场氧用于器件隔离,wx曦,P衬底,N阱,除氮化硅掩蔽膜,wx曦,P衬底,N阱,开启电压调整后进行栅氧淀积,wx曦,P衬底,N阱,淀积多晶硅,wx曦,P衬底,N阱,光刻多晶硅形成源漏区掺杂窗口,wx曦,P衬底,N阱,保护pmos源漏区（光刻胶）离子注入形成nmos源漏区,wx曦,P衬底,N阱,保护nmos源漏区（光刻胶）离子注入形成pmos源漏区,wx曦,P衬底,N阱,除光刻胶,wx曦,P衬底,N阱,PSG,表面钝化淀积PSG,wx曦,硅衬底,N阱,刻蚀引线口淀积Al，光刻Al,栅氧,场氧,金属铝,PSG,wx曦,工艺参数设计：,所有的掺杂均采用离
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