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文档简介

基于0.35微米CMOS工艺的带隙基准源设计,Basedon0.35umBCDProcessBandGapreferencedesign,1,第一章概述,1.BCD工艺简介BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）功率集成电路器件，通过MOS管的最高电压可达40V，最低为5V。,2.带隙基准源简介及其应用模拟集成电路广泛地包含带隙基准电压源，由于带隙基准电压源的输出电压与电源电压、工艺参数和温度的关系很小，所以带隙基准电压源一直是集成电路中的一个重要的基本模块，例如可应用于LDO或者电荷泵等。,图1.2基本的带隙基准源,2,第二章BandGap电路设计,1.核心电路（含启动电路）,图2.1核心电路（含启动电路）,1,2,3,启动电路,3,2.运放电路,图2.2运放电路,三级运放通过运放，使整个核心电路的偏置电压独立于电源电压，从而提高电源抑制比。,4,3.启动电路,图2.3启动电路,保证运放正常工作，并提供偏置,5,图2.4整体电路,核心电路,启动电路,三级运放,此电路共计49个MOS管，5个三极管，8个电阻和1个电容,6,第三章仿真结果,1.输出电压,图3.1输出电压仿真图,7,2.电源抑制比（PSRR）,图3.2电源抑制比仿真图,8,3.温度系数（TC）,图3.3温度系数仿真图,9,4.功耗,图3.4功耗仿真图,10,5.蒙特卡罗分析,温度系数,输出电压,电源抑制比,功耗,11,蒙特卡罗分析结果,12,参考文献：,1.高电源抑制比的CMOS带隙基
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