互感器介损原理及测试方法总结

互感器介损测试方法总结一、规程规定 9.0.2 测量绕组的绝缘电阻，应符合下列规定：3 测量电容式电流互感器的末屏及电压互感器接地端（N）对外壳（地） 的绝缘电阻，绝缘电阻值不宜小于1000 M。若末屏对地绝缘电阻小于1000 M 时，应测量其tan ； 9.0.3 电压等级 35kV 及以上互感器的介质损耗角正切值tan测量应符合如下规定：1 互感器的绕组tan测量电压应在10kV测量，tan不应大于表9.0.3中数据。当对绝缘有怀疑时，可采用高压法进行试验，在(0.51) Um 范围内进行，tan变化量不应大于0.2% ，电容变化量不应大于0.5%； 2 末屏tan测量电压为2kV。注：本条主要适用于油浸式互感器。SF6气体绝缘和环氧树脂绝缘结构互感器不适用，注硅脂等干式互感器可以参照执行。表9.0.3 tan （%）限值 额定电压种类2035kV66110kV220kV330500kV油浸式电流互感器2.50.80.60.5充硅脂及其它干式电流互感器0.50.50.5油浸式电压互感器绕组32.5串级式电压互感器支架6油浸式电流互感器末屏2注：电压互感器整体及支架介损受环境条件（特别是相对湿度）影响较大，测量时要加以考虑。二、介损原理1、 并联等值电路（图a、b）在交流电U的作用下介质中的电流为I。U与I之间的夹角为，即功率因数角；其余角为，即介质损耗角根据图a可得：tan=则介质损耗为：P=UIR=UIctan=*w*Cp*tan2、 串联等值电路（图c、d）tan=w*Cs*rP=*r=由于tanr，因此以上两种电路可以以一个共同的表达式表示：P=wCtan由此可见，介损与tan成正比，即可用tan表示介损的大小。同类试品绝缘的优劣，可直接由tan的大小来判断。3、综合电路 多个并联等值电路并联：tan= 多个串联等值电路串联：tan= 两个并联等值电路串联：tan=由以上分析还可得出，tan对集中性缺陷是不能灵敏反应的，因此对能分解测量的尽量扥接测量，比如变压器的套管等三、电容、介损的测量3.1 电容式电压互感器仪器：AI 6000精密测试仪3.1.1正接法：测量整节电容Cx-试品一端对地有可靠绝缘时用此方法步骤：a、 准备工作包括收集厂家数据，抄写名牌包括电容量；b、 打开PT本体端子箱盖，短接所有二次绕组并接地；c、 打开XL与N之间的连片，使XL悬空，见示意图；d、 打开XL与E之间的连片；e、 将仪器的“高压测量”端通过专用线（屏蔽线）与PT高压端相连，Cx与N相连，见示意图f、 用10KV电压测量，结果即是总的电容和介损。 3.1.2反接法：同样测量Cx-试品有一端固定接地时用此方法步骤：a、 连片都连好，注意保护间隙不要接触；b、 N与E仪器接外壳地线；c、 高压测量端接（芯线）PT一次，装置可靠接地；d、 用10KV电压测量，结果同正接法一样是整节电容和介损。3.1.3 自激法测量测量C1和C2及tan1和tan2方法1：步骤：a、 N和E之间的连片断开，其他连片连好；b、 E接地，N和Cx连接，“高压测量”接PT高压端；c、 用2KV电压测量。方法2：如果用方法1测量时总出现电容值有一个不准确的情况，可以把接于本体端子箱N的线和接于高压端的线交换下，再进行测量。（注：此法也是用于正接法）注意：二次回路检查时严禁出现以下情况： E电磁单元的一次接地端，N电容分压器低压端a、 E开路或者接地不良；b、 当不使用载波设备时，N和E开路；c、 阻尼接入端（2a-2az,3a-3az,da-daz）开路或者接触不良。3.2 CT介损的测量 首先:断开地刀、隔刀、开关项目包括：按下列顺序可减少拆线次数 序号项目方法测试电压备注1一次末屏正接法10KV末屏与地断开2末屏 地反接法2KV末屏与地断开3一次 地反接法10KV末屏接地3.2.1 步骤：正接法测量一次对末屏介损a、 拆下本体端子箱末屏引出线（CT和地线的连接线）；b、 测试仪的：高压测量-一次，Cx-CT（末屏）。见下图：3.2.2 步骤：反接法测量末屏对地介损a