光刻工艺及设备

光刻 加工平台加工平台 时文华曾春红王逸群 TEL：62872500，62872517. 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Edited by Harry J.Levinson photolithography . Dr. Chuan H. Liu Semiconductor Consulting Services 1999 301 X、Y-箭头键 302 FAST快速键 303 SEP分隔离键 304 ALIGN CONT/EXP对准 接触/曝光键 305 ALIGNMENT CHECK对准检测查键 306 F1键 307 LOAD载片键 308 UNLOAD卸片键 309 CHANGE MASK更换掩模板键 310 SELECT PROGRAM选择程序键 311 EDIT PRORAMETER编辑参数键 312 EDIT PROGRAM编辑程序键 313 ENTER进入确认键 314 SET REFERENCE设置基准键 315 SCAN扫描键 316 EXPOSURE曝光键 317 Multiple Exposure多重曝光键 318 LAMP TEST灯测试键 319 PRE-BOND预键合键 320 PERFORM CLAMPING执行吸附夹紧执行键 321 OPTION选项键 322 BSA显微镜键 323 左方向物镜键 324 双双向物镜键 325 右方向物镜键 326 顶部/底部键 327 图象图像抓取键 SUSS MA6 功能键图解 1 压力 2 基片 3 照度照明 4 真空 201 电气装置电气部分电源开关 202 压缩空气压力计压力表 203 氮气压力表计 204 真空气压计气压表 205 真空腔体气压计气压表（包括调压器） 206 真空密封计气压表（包括调压器） 207 WEC-压力气压计气压表（包括调压器） 208 LCD-显示屏 209 接触指示灯 210 照度照明开关 211 BSA/IR显微镜照度照明 212 TSA显微镜照照明度 213 BSA放大开关 214 象场分场取景器分离视场开关 215 顶部基片左/右 216 底部基片左/右 1 参数调整 选择对准显微镜 关闭BSA MICROSCOPE键（LED灭） 选择曝光模式：SELECT PROGRAM键。 按SELECT PROGRAM键。在菜单中打开曝光程序，并再按SELECT PROGRAM键确认选择软接触。 参数编辑：EDIT PARAMETER键 按EDIT PARAMETER键编辑参数：曝光时间、对准间隙和WEC类型。更 改所有必要的数值，再按EDIT PARAMETER键进行确认。 2 装载掩模板 启动掩模装载程序：CHANGE MASK键 首先取出掩模卡盘，180度反转后放在左边的托盘上。如果掩模已经装 载，按ENTER键触发关闭掩模真空，收缩掩模的机械压板，取下掩模板。 装载掩模和固定：ENTER键 背向放置掩模到掩模夹具上，靠紧止钉。通过按ENTER键触发掩模真空 开启。通过按板簧激活掩模机械压板。 将掩模夹具滑进机器且夹紧：CHANGE MASK键 将掩模夹具180度反转放入机器。再按CHANGE MASK键，锁定掩模夹具 的滑板。 当心显微镜的移动！ MA6操作流程 3 装载晶片 首先拉出传递滑板，装载晶片：LOAD键 机器显示：“拉出滑板和装载基片到卡盘上”。完全拉出传递滑板。插入合适的卡盘，放置晶 片靠紧预对准位置。按ENTER键确认。现在晶片通过真空固定。 移动滑板进入：ENTER键 机器显示“移动滑板进入机器，用ENTER键确认” 当心显微镜的移动！ 楔型误差补偿 在装载完后自动开始WEC（楔型误差补偿）。晶片调整与掩模平行，移动到对准间隙。显 微镜向下移动开始对准。 4 显微镜对准 设置TSA符合需要：SPLITFIELD开关 对于M3XX显微镜，通过转动SPLITFIELD开关到左边，能在监控器上显示实际的TSA显微 镜图象。关闭BSA MICROSCOPE键。这个键切换BSA和TSA的控制操控器马达。 显微镜照明： 照明到T