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文档简介
1,VDMOS工艺流程简介,InPowerSemiconductorApr.2012,2,主要内容MOSFET的结构;MOSFET的芯片制成工艺;封装测试工艺流程;MOSFET主要控制点;生产测试仪器的介绍,3,MOSFET的结构,4,芯片制造工艺流程,材料制备,氧化,SOURCE光刻,P-WELL注入,多晶注入,多晶光刻,多晶淀积,栅氧化,JFET注入,氧化,Active光刻,P+扩散,P+注入,Ring光刻,P-WELL退火,SOURCE注入,退火,PSG淀积,载流子寿命控制,PSG退火,接触孔光刻,AL溅射,钝化,钝化光刻,AL光刻、合金,减薄,背面蒸发,中测,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,15,最终器件结构,16,DiePicture,17,封装测试工艺流程,划片,装片,塑封,打印,电镀,键合,切筋,测试,包装,18,划片,19,装片,20,键合,21,塑封,22,打印,23,切筋,24,测试,25,编带包装,26,MOSFET重点监控点,27,生产测试仪器的介绍(在线控制),28,生产测试仪器的介绍(参数测试的),29,谢谢大家!,
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