广东省太阳能光伏产业鼓励发展重点领域

关于发布广东省太阳能光伏产业鼓励发展重点领域的公告二一一年第11号发布时间：2011-03-31 【大 中 小】 【打印】 【关闭】为引导社会资源投向，促进太阳能光伏产业持续健康发展，我委制定了广东省太阳能光伏产业鼓励发展重点领域，现予以发布，供各部门、地区以及相关机构开展太阳能光伏产业相关工作时参阅。附件：广东省太阳能光伏产业鼓励发展重点领域广东省经济和信息化委员会二一一年三月二十九日广东省太阳能光伏产业鼓励发展重点领域（2011年）一、太阳能光伏装备鼓励研发具有国际先进水平的太阳能光伏重大装备，重点发展薄膜太阳电池成套生产设备及高效晶体硅太阳电池设备。1、等离子增强化学气相沉积（PECVD）设备重点发展PECVD关键核心零部件，鼓励开发大面积（1.5平方米以上）PECVD整机设备，作为非晶硅和微晶硅膜层的沉积装置。设备要求在电池区的硅膜均匀性达到平均10% ，1.5平方米的单结非晶硅电池的初始功率不低于125瓦,衰减小于17%。PECVD薄膜沉积设备需实现真空腔内多室多片、独立分腔室沉积P、I、N各层，且具备气体清洗腔室功能。设备的生产周期低于60秒/片。重点发展晶硅太阳电池生产用管式PECVD设备的研发及产业化，突破280片/管/批及以上产能的大产能机型的自动上料、压力场精确控制、等离子放电稳定性等技术难题，使国产管式PECVD综合技术能力达到国际先进水平。2、TCO导电玻璃镀膜设备重点发展大面积（1.5平方米以上）TCO导电玻璃镀膜设备，改善TCO膜层的透过率、导电性能、雾度、激光刻蚀性能及耐候性与耐久性。TCO膜雾度要求大于10%，导电性要求方阻小于9欧姆每方,TCO导电玻璃在300-1100纳米波长的总体透光度大于80%。在膜厚1.5微米的情况下，设备的生产周期低于90秒/片。3、背电极溅射系统重点开发旋转阴极和平面扫描阴极相结合的多靶位磁控溅射系统，为TCO银铝，TCO/铝/钛, TCO/铝/镍合金等背电极的溅射提供设备。设备要求支持大面积（1.5平方米以上）玻璃，镀膜均匀性达到10%，旋转靶材利用率高于80%，平面靶材利用率高于40%，连续生产周期低于30秒/片。4、激光切割及刻蚀设备鼓励开展激光刻蚀设备的自主生产，通过提高设备的机械精度，使太阳电池的死区宽度下降到250微米以下，提升电池的有效发电区域，使1.5平方米单结非晶硅太阳电池的初始功率不低于125瓦。激光刻蚀设备要求具备多光路，每路刻膜速度达到1.5米/秒,每片含110个子电池的大面积（1.5平方米以上），薄膜太阳电池激光刻划生产周期低于30秒/片。鼓励开展太阳电池激光切割、激光掺杂、激光烧结等设备的研发及产业化，包括红外波长1064nm ,绿光 532nm 和紫外 355nm 等激光设备。5、晶体硅切割设备鼓励发展先进的硅碇切割设备、硅片多线切割设备以及金刚石切线、浆料等辅助材料, 并支持硅片切割新技术的研发。6、扩散设备支持适应高效电池新工艺（高方阻扩散、变温扩散等）的新型扩散设备的研发及产业化，在产能、扩散均匀性、可靠性及自动化方面达到国际先进水平。鼓励开展减压扩散、立式扩散及链式扩散等新工艺设备的技术研发。7、硅片清洗制绒设备鼓励发展各类型硅片清洗制绒设备，提高清洗制绒设备国产化水平及工艺效率。完善制绒工艺的本地化配套，鼓励连续式湿法制绒及等离子干法制绒设备研发。8、丝网印刷设备重点开发全自动、高精度丝网印刷机，改进完善工艺设备，加强装卸片和检测环节的自动化操作水平。9、封装设备重点发展高性能的太阳电池组件全自动化封装设备，突破串联焊接机和铺设机等自动化程度要求更高的设备。10、检测设备重点开发用于太阳电池与组件测试的高性能I-V测试仪，支持研发晶体硅片、太阳电池与组件及光伏系统的各类检测仪器、全自动太阳电池分选机、玻璃缺陷检测机、太阳电池组件环境测试设备等用于生产的检测设备。11、玻璃清洗设备重点开发配合大面积（1.5平方米以上）光伏玻璃的水清洗、超声波和等离子清洗及风干的先进玻璃清洗设备，要求生产周期小于60秒/片。二、太阳能光伏材料鼓励开发太阳电池用上游原材料，重点发展TCO导电玻璃、靶材、特种工艺气体、印刷用Al、Ag浆及Ag-Al浆料等，推动关键原材料本土化供应。1、TCO导电玻璃重点发展氧化锌基薄膜TCO导电玻璃，通过提高TCO绒面的质量，透射率和导电性进一步提高电池的转换效率。鼓励研发大面积镀膜核心技术，要求TCO玻璃透过率超过80%，雾度均匀性优于10%，方阻低于9欧姆每方，膜厚均匀性优于10%。2、靶材重点发展AZO靶材、CIGS靶材以及ITO靶材等一系列用于太阳电池的靶材，要求实现高纯度（纯度99.9999%）、 高密度(相对密度99%)以及可大尺寸应用等目标。3、工艺特种气体重点发展硅烷、硼烷、磷烷生产和提纯产业，实现硅烷气体的规模化发展，解决硅薄膜电池的关键工艺气体原材料供应问题。要求气体纯度大于99.9999%。4、浆料重点发展印刷用Al、Ag浆及Ag-Al浆料，实现替代进口Ag浆料目标。5、封装胶膜鼓励改进EVA、PVB等封装胶膜的抗老化特性，使其达到国际先进水平，降低成本，实现替代进口封装胶膜目标。三、太阳电池鼓励研发生产高效太阳电池，重点发展高效硅薄膜太阳电池、高效晶体硅太阳电池、铜铟镓硒薄膜太阳电池和新型太阳电池，形成以硅太阳电池为主体，多种高效太阳电池共同发展的局面。1、高效硅薄膜太阳电池重点发展非晶硅/微晶硅双结和多结硅薄膜太阳电池技术，鼓励研发大面积（1.5平方米以上）高效硅薄膜太阳电池组件。单结非晶硅太阳电池的窗口稳定效率要求达到7.5%，每片功率达到105瓦；非晶/微晶双结叠层太阳电池的窗口稳定效率达到10%，每片功率达到140瓦。2、高效晶体硅太阳电池重点发展背接触式太阳电池、HIT、N型高效太阳电池、LCP+LIP、RIE及LFC电池关键技术。要求多晶硅太阳电池量产的转换效率在16.6%以上，单晶硅太阳电池量产效率在17.8%以上。支持发展转换效率达19%以上的晶体硅太阳电池技术并实现量产。3、铜铟镓硒薄膜太阳电池鼓励发展以硒化法制造的大面积铜铟镓硒薄膜太阳电池，积极开发并掌握低成本非真空铜铟镓硒薄膜太阳电池制备技术、磁控溅射电池制备技术、真空共蒸法电池制备技术、规模化制造关键工艺设备等。要求电池模组转换效率稳定在12%以上,模组面积达到1平方米以上。4、新型太阳电池鼓励发展具有产业前景的新型太阳电池技术，争取实现转换效率大于17%的新型电池量产，重点突破高效“晶硅/硅薄膜异质结”太阳电池、发射极卷包太阳电池、金属卷包太阳电池以及适合建筑用的高效彩色太阳电池等。四、光伏系统及相关配套产品1、太阳能与建筑一体化技术与系统 重点发展BIPV组件生产技术，包括可直接与建筑相结合的建材和应用于厂房屋顶、农业大棚及幕墙上的双玻璃BIPV组件等，解决BIPV组件的透光、隔热等问题。2、逆变器鼓励开发具有自主知识产权的大容量（500KW以上）低损耗并网逆变器，额定功率小于30千瓦无变压器设计的屋顶电站低损耗并网逆变器和100-300瓦微型逆变器。逆变器需兼容薄膜太阳电池电压范围，具有变压功能，保障交直流绝缘性，并需要符合GB/T19939和IEC62116并网技术要求。3、高效储能电池鼓励开展大功率、大容量(兆瓦及以上级)储能电池技术研发及产业化应用，重点开发可应用于太阳能光伏或风光互补离网式发电系统的高效储能电池。4、光伏电站技术、分布式能源系统及评价平台支持开展光伏电站设计与检测平台建设，加强光伏设计软件开发；鼓