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文档简介

.,1,PTCR陶瓷材料,1.概述1954年，Haagman（海曼）等人研究开发价控BaTiO3铁电半导体陶瓷在铁电相向顺电相相变温度以上，电阻显著增加的现象，即PTC效应。,正温度系数热敏电阻器,PTCR：PositiveTemperatureCoefficientResistors,其典型的特性曲线RT,.,2,2.Heywang表面势垒模型（1961年提出）,表面势垒高度,EF费米能级,Ns表面态密度,空间电荷层厚度,ES表面态距导带底距离,.,3,由Heywang模型求受主状态密度的方法：,1,：温度T（k）时的阻值,：常数,：势垒高度,：表面受主的状态密度,：施主有效状态密度,：晶界势垒层的介电常数,3.受主态密度的实验测量及计算方法,.,4,2,：表观介电常数,：容量,：试样的厚度,：电极的面积,3,d：试样的平均粒径,由,1,2,3,式得：,4,.,5,式取对数：,4,5,为纵坐标，,为横坐标作图为直线。,直线的斜率=,6,由,6,可以求出Ns,.,6,.,7,4.复阻抗PTCR的等效电路,.,8,等效电路的复阻抗,；,为虚数单位；,为角频率；,为晶粒相的时间常熟,为晶界相的时间常数,.,9,简化等效电路的复阻抗,PTCR,考虑形状因子，则,时，,；,.,10,.,11,.,12,.,13,5.PTCR的基本特性,.,14,6.基本参数,-室温电阻,TC-居里
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