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文档简介
VDMOS工艺流程简介,InPowerSemiconductorApr.2012,1,主要内容MOSFET的结构;MOSFET的芯片制成工艺;封装测试工艺流程;MOSFET主要控制点;生产测试仪器的介绍,2,MOSFET的结构,3,芯片制造工艺流程,材料制备,氧化,SOURCE光刻,P-WELL注入,多晶注入,多晶光刻,多晶淀积,栅氧化,JFET注入,氧化,Active光刻,P+扩散,P+注入,Ring光刻,P-WELL退火,SOURCE注入,退火,PSG淀积,载流子寿命控制,PSG退火,接触孔光刻,AL溅射,钝化,钝化光刻,AL光刻、合金,减薄,背面蒸发,中测,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,最终器件结构,15,DiePicture,16,封装测试工艺流程,划片,装片,塑封,打印,电镀,键合,切筋,测试,包装,17,划片,18,装片,19,键合,20,塑封,21,打印,22,切筋,23,测试,24,编带包装,25,MOSFET重点监控点,26,生产测试仪器的介绍(在线控制),27,生产测试仪器的介绍(参数测试的),28,谢谢大家!,29,
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