第4讲场效应管放大器PPT演示课件

,海南风光,第11章基本放大电路,10.4场效应管11.1.4场效应管共源极放大电路补充：场效应管共漏极放大电路,清华大学电机系电工学教研室唐庆玉编,1,答疑,1.线形电阻的伏安特性曲线,U/I=RU/I=R,2.晶体管BE结微变等效电路,UBEQ/IBQ=R非线性,UBE/IB=rbe在Q点处近似线性,2,答疑,3.电流源及其特性曲线,I1=IS+Ir1=IS+U1/r,I2=IS+Ir2=IS+U2/r,I=I2-I1=（U2-U1）/r=U/r,r=U/I,如何求r？,3,答疑,4.晶体管CE间的微变等效电路,流控电流源,在线性放大区，rce很大，可忽略,4,10.4场效应晶体管,场效应管与晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。,结型场效应管JFET,绝缘栅型场效应管MOS,场效应管有两种:,5,MOS绝缘栅场效应管（N沟道）,（1）结构,P型基底,两个N区,SiO2绝缘层,金属铝,N导电沟道,6,N沟道增强型,（2）符号,N沟道耗尽型,栅极,漏极,源极,7,N沟道MOS管的特性曲线,8,NMOS场效应管转移特性,9,UGS=3V,UGS=4V,UGS=5V,开启电压UGS（th）=1V,增强型NMOS场效应管输出特性曲线,10,增强型NMOS场效应管转移特性,11,耗尽型NMOS场效应管输出特性曲线,UGS=0V,UGS=+1V,UGS=+2V,夹断电压UP=-2V,12,耗尽型NMOS场效应管转移特性,13,跨导gm,=ID/UGS,=（3-2）/（1-0）=1/1=1mA/V,夹断区,可变电阻区,恒流区,14,场效应管的微变等效电路,输入回路：开路输出回路：交流压控恒流源，电流,15,11.1.4场效应管共源极放大电路,11.6.1电路的组成原则及分析方法,(1).静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区,(2).动态:能为交流信号提供通路,组成原则,分析方法,16,场效应管共源极放大电路静态分析,无输入信号时（ui=0），估算：UDS和ID。,R1=150kR2=50kRG=1MRD=10kRS=10kRL=10kgm=3mA/VUDD=20V,17,设：UGS=0,则：VGVS,而：IG=0,直流通道,18,动态分析,微变等效电路,19,动态分析：,电压放大倍数,负号表示输出输入反相,20,电压放大倍数估算,R1=150kR2=50kRG=1MRS=10kRD=10kRL=10kgm=3mA/VUDD=20V,=-3（10/10）=-15,21,ro=RD=10K,输入电阻、输出电阻,=1+0.15/0.05=1.0375M,R1=150kR2=50kRG=1MRD=10kRS=10kRL=10kgm=3mA/VUDD=20V,ri=RG+R1/R2,22,补充：源极输出器（共漏极放大电路）,R1=150kR2=50kRG=1MRS=10kRL=10kgm=3mA/VUDD=20V,23,静态工作点:,=,USUG,UDS=UDD-US=20-5=15V,24,微变等效电路：,25,微变等效电路：,26,求ri,ri=RG+R1/R2,27,求ro,加压求流法,28,ri=RG+R1/R2,R1=150kR2=50kRG=1MRS=10kRL=10kgm=3mA/VUDD=20V,=3(10/10)/1+3(10/10)=0.94,=10/(1+310)=0.323k,代入数值计算,=1+0.15/0.05=1.0375M,29,场效应管放大电路小结,(1)场效应管放大器输入电阻很大。(2)场效应管共源极放大器(漏极输