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1669 14139一93延片 14139一93硅外延片术要求、试验方一法和检验规则及标志、包装、运输、贮存。本标准适用于在，和在)的同质硅外延片。产品用于制作半导体器件弓1用标准828逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查)624硅抛光片表面质量目测检验方法2962硅单晶2964硅单晶抛光片 13389掺硼掺磷硅单晶电阻率和掺杂剂浓度换算规程T 14142硅外延层晶体完整性检测方法腐蚀法 14145硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法 14146硅外延层载流子浓度测定汞探针电容一电压法 14264半导体材料术语 23硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法T 24外延钉缺陷的检测方法T 28硅片包装产品分类3-，0.8 6.2 0 0 。 14139一93构硅单晶材料示例:结构晶向直径为76.2 术要求外延片衬底参数硅单晶衬底的电阻率应符合表1的规定，其他各项参数应符合2962的规定。表1硅单晶衬底的电阻率导电类型掺杂元素硅单晶直径,n 0,0. 0,0,何尺寸等参数应符合2964的规定。型外延层掺杂元素为磷,外延层中心电阻率及其允许偏差应符合表2的规定。表2外延层中心电阻率及其允许偏差中心电阻率,n0 14139一93续表2中心电阻率，。20I%毛33J(10簇15表中)二 100.”.”。(1)式中:一平行和垂直于主参考面二条直径的r/2处(个电阻率测量值之差的最大值;256,7,1010,12,1520,22,25凹坑个数廷876. 280,90,10034口，0. 度爪无了霉无、2 径80 0 表面点状缺陷包括符合 14264的钉、粘附的微粒、突起物、夹杂、小丘和棱锥。使用清洗技术能除去的微粒下属于点状缺陷。4. 6. 4崩边是指外延片边缘在径向的缺损深度大于0. 3 大崩边径向深度不大于0. 5 计崩边最大周边长不大于2. 5 雾的定义见 套印、尘埃、污迹和溶剂残留物。4了外延片背面外延片背面应无沾污。 14146的规定进行或按供需双方商定的其他方法进行。电阻率和掺杂剂浓度换算按 13389的规定进行。 23的规定进行或按供需双方商定的其他方法进行。垛层错密度检测按 14142规定进行。也可按 14145规定检测堆垛层错密度。624的规定进行。在16 0001他缺陷只在大面积散射光照度430650 检验规则6.，每批产品由供方技术监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准规定，并填写产品质量证明书。品采用828一般检查水平次抽样方案抽样检查或按供需双方商定的方法抽样检查。定为:检验结果与本标准规定不符合时，在收到产品之日起三个月内向供方提出，由供需双方协商解决。7标志、包装、运输、贮存7。1包装、T 28的规定包装，或按供需双方商定的其他方法包装。心轻放”、“防腐防潮”、“易碎”字样或标记，并注明:二需方名称;每批产品应附产品质量证明书，注明:f。产品晶向;产品在运输过程中应轻装轻卸、勿挤勿压、并有防展措施。
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