GBT 14146-1993 硅外延层载流子浓度测定和探针电容--电压法_第1页
GBT 14146-1993 硅外延层载流子浓度测定和探针电容--电压法_第2页
GBT 14146-1993 硅外延层载流子浓度测定和探针电容--电压法_第3页
GBT 14146-1993 硅外延层载流子浓度测定和探针电容--电压法_第4页
全文预览已结束

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

中华人民共和国国家标准硅外延层载流子浓度测定汞探针电容一电压法 14146一93of 压测量方法。测量范围为10;1,10;, 方法原理汞探针与硅外延片表面接触，形成一个肖特基势垒在汞探针一与硅外延片之间加一反向偏压，结的势垒宽度向外延层中扩展。结的势垒电容(C)及其随电j (V)的变化率( do/势垒扩展宽度(，)和其相应的载流子浓度C N(x)有如下关系:N (x)二,1)。.2式中:二M;N(x)载流子浓度，,e电子电荷1. 602 X 10-,C;:硅的相对介电常数，值为8. 859 X 10-,F/c m;要测得(,dc/d。和A, ，便可由式(1)和式(2)计算得到势垒扩展宽度二处的N(c)p 1. 15 g/p 1. 45 g/化学纯。阻率大于2 99 % 5氮气，纯度大于99.5%25C )国家技术监督局1993一02一06批准1993一10一0，实施 1 000 精度不低于1。级测垦频率为。11直流电压为,高频交流电压不大于250 精度不低干。5级，出电压为。一200 V，连续可调，电压波动小大11%程为。5标准电容和测量频率卜其精度不低)- n. 2,小分度值为。前后、左右移动。d。的测量误差最大为1_2l;kA/反向电流密度上升速率为3 - 不能进行正常测量时，可对试样表面进行处理。a，用氢氟酸腐蚀试样30、干在温度150试样在温度约450对湿度不大于6500，时电缆应不与标准电容连接)量并记录电容值(量并记录电容值(大面积圆片时，5一1. 0 察试 贫程缓慢地使汞探针与试样表面接触，调节接触面积施加。据电容仪的读数，选择合适的量程6，确调节接触面积。量势垒电容势垒电容值C:降低A% 复6. 6. 6%，直到接近击穿或反向电流密度大士30 1,A/即停比测量66. 8测量完毕，将反向偏压降至零，)刃厂、乙认、飞1U、(、飞(夕、，一入(,!乡U试样上加入反向直流电压，最小取。电压。、和相应的电容己。可以测得，井记入表中。连续取测点(二，C)反向电压升高时、应使其电容仇比前一电容仇小10,/ 至接近击穿，当反向电流密度人3fA/，:.=，可计算得一组值:卜 了12 一一(一，一l卜r 14146一93。，“，。.、)一一少二N二一一e.已。月2.呼.，(6式中;.:一一第!次测m;N(,)一一对应于势垒扩展宽度二，处的载流子浓度,一第!次测量的势垒电容值,，二第+1次测量的势皇电容值,一一第;次和第i+ ;一一第!次测向偏压随势垒电容的变化率，V (;一1,. .z;)值在其平均值周围相对涨落小于10%时，则载流子浓度N (r,)s)对、作图，可得载流子浓度分布曲线7. 2自动测量的计算用1g N(二)一二或N(二)一峡二载流子浓度分布自动记录图可直接表示出侧量结果8精密度载流1001 方法多个实验室测量精密度为土10% (外延片载流子浓度测量点位,测者和检测口期附加
人人文库> 全部分类> 行业资料 > 各类标准

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论