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蒸镀车间学习总结,廖娜2012.2.13,真空蒸镀,在真空室内材料的原子从加热源离析出来打到被镀物体的表面上。,蒸发镀膜,溅射镀膜,离子镀膜,真空镀膜,蒸发镀膜,通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为蒸发镀膜。蒸发镀膜设备结构如下图。,蒸发镀膜加热源的类型,蒸发镀膜,本公司就是用电子束加热，它的蒸发源是e型电子枪（也有直射式或环形，但以电子轨迹磁偏转270而形成的e型枪应用最广），膜料放入水冷铜坩埚中，电子束自源发出，用磁场线圈使电子束聚焦和偏转，对膜料进行轰击和加热，如下图。,电子束蒸发后可直接撞击在薄膜底料上使之蒸发，但是蒸发的原子或分子会污染电子源，因此一般将电子源装在装薄膜源料的鎗座底下，利用强力磁场将电子束偏转180或270。,影响ITO导电性的因素,R=/d=m*/ne2,溅射镀膜,用高能粒子轰击固体表面时能使固体表面的粒子获得能量并逸出表面，沉积在基片上。常用的二极溅射设备如左图。,离子镀,蒸发物质的分子被电子碰撞电离后以离子沉积在固体表面，称为离子镀。一种离子镀系统如右图。,氧清洗设备PECVD,氧清洗时通入的主要气体是O2和CF4，O2主要是用来清洗片子上的残胶，腔体里的等离子体把O2离化，使其易于跟残胶（主要是有机物成分）发生化学反应生成易于排出的气体（CO，CO2或水汽等），从而把片子上的残胶清洗干净，CF4主要是通过轰击管壁和腔体，使管壁和腔体上附着的污染物去除，这个过程一般是物理反应。,简单的PECVD示意图如右,氧清洗中需要控制的参数,氧气流量：流量大，形成的离化分子较多，容易把胶去干净真空度：真空度大，氧气离化密度大，对去胶有利功率：功率大的话等离子体速度较大，使氧的离化分子轰击基片的力量大，容易把胶去除干净，但是也可能会对片子造成损伤温度：温度影响化学反应的反应进度，所以合适的温度会对去胶有所帮助清洗时间：时间长的话清洗比较干净（以上均是自己的理解，若有不对的地方请指出）,高温热处理炉,主要作用：（1）500或550对镀过ITO的片子进行热处理，以得到更好结晶效果的ITO，使ITO电阻率更低，透过率更高。（2）300对镀过铬和金的片子进行合金化处理，以得到更好效果的欧姆接触的电极，并使wafer各层间有更好的融合性。,蒸镀车间用到的主要测试仪器,四探针测电阻率（一般面电阻R控制在40/以下即可）穿透仪测膜
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