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文档简介

光电效应按其表现形式可分三大类：光电导效应：光照改变光电导的导电率，从而引起半导体电阻值的变化。如光敏电阻等。光生伏效应：光照改变PN的电场，从而引起PN结电势的变化效应，故又称PN结光电效应。如光电池，光敏二、三晶体管等。光电发射效应：某些物质在光的照射作用，能从表面向外发射电子的现象，称光电发射效应。如：光电管，光电倍增光等。,光敏电阻,光照,U+,光敏电阻光电效应实验电路,光敏电阻：在均匀的具有光电导效应的半导体材料两端加上电极便构成了光敏电阻。,导体、绝缘体、半导体与能带的关系,光敏面,光每电阻系列,Cds的光电特性图,光,请分析光电流与光能量的关系,光电流,光照度,硫化铅,f(HZ),电流相对灵敏度,光照,光照特性,频率特性,IP,问光敏电阻上限频率一般比较小，为什么？,（。）,光电导相对灵敏度,CdSe,10LX,100LX,1000LX,温度特性,光照特性,（）,问是否有散粒噪声？,TiS,入nm,常见的光敏电阻,光它的“开”和“关”是靠可控硅的导通和阻断来实现的，而可控硅的导通和阻断又是受自然光的亮度（或人为亮度）的大小所控制的。该装置适合作为街道、宿舍走廊或其它公共场所照明灯，起到日熄夜亮的控制作用，以节约用电。工作原理：电路如上图所示，220V交流电通过灯泡H及整流全桥后，变成直流脉动电压，作为正向偏压，加在可控硅VS及R支路上。白天，亮度大于一定程度时，光敏二极管D呈现底阻状态1K，使三极管V截止，其发射极无电流输出，单向可控硅VS因无触发电流而阻断。此时流过灯泡H的电流2.2mA,灯泡H不能发光。电阻R1和稳压二极管DW使三极管V偏压不超过6.8V，对三极管起保护作用。夜晚，亮度小于一定程度时，光敏二极管D呈现高阻状态100K，使三极管V正向导通，发射极约有0.8V的电压，使可控硅VS触发导通，灯泡H发光。RP是清晨或傍晚实现开关转换的亮度选择元件。安装与调试：安装时，将装焊好的印制板放入透明塑料盒内并固定好，将它与受控电灯H串联，并让它正对着天幕或房子采光窗前较明亮的空间，避免3米以内夜间灯光的直接照射。调试宜傍晚时进行，调节RP阻值的大小，使受控电灯H在适当的亮度下始点亮。,光敏面,2、光电池的工作原理光照零偏PN结产生开路电压的效应，称光生伏效应。,VOC,光电池的伏安特性,有光照,IP,Ip,ID,光电池的等效电阻,负载,2）光电池的等效电路图,ISC,VOC,(mW/cm2),VOC,VOC,ISC,I,请分析光照度和负载与输出电流的线性关系,（欧姆）,RL负载线,R负载线,PL,PM,VM,VLVOC,IL,ISC,最佳负载线,S,5）温度特性随温度的升高而下降，随温度的升高而略有升高
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