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文档简介

精选,1,MOS结构的C-V特性,报告人：王硕2011年11月22日,精选,2,MOS结构的C-V特性,MOS电容结构的能带图理想MOS电容的C-V特性实际MOS电容的C-V特性小结,精选,3,无偏压下MOS电容结构的能带图,Al,EFM,EV,EF,EC,SiO2,Si（P型）,理想,Al,EFM,EV,EF,EC,SiO2,Si（P型）,非理想,+,+,+,+,+,+,-,-,-,-,-,-,表面势,的接触电势差,精选,4,外加偏置下MOS电容结构的能带图,Al,SiO2,Si,体现了外加电场的作用,精选,5,MOS结构的C-V特性,MOS电容结构的能带图理想MOS电容的C-V特性实际MOS电容的C-V特性小结,精选,6,理想MOS电容的C-V特性,氧化层完全绝缘氧化层中不存在任何电荷氧化层与半导体界面上无界面态忽略金属与半导体的接触电势差,由,为空间电荷区宽度,，,精选,7,积累状态下MOS电容的C-V曲线,Al,EFM,EV,EF,EC,SiO2,Si（P型）,EFi,精选,8,耗尽状态下MOS电容的C-V曲线,Al,EFM,EV,EF,EC,SiO2,Si（P型）,EFi,精选,9,反型状态下MOS电容的C-V曲线,Al,EFM,EV,EF,EC,SiO2,Si（P型）,EFi,反型层电荷密度变化的电子的来源：空间电荷区的P型衬底的少子扩散空间电荷区热运动形成的空穴-电荷对,精选,10,反型状态下MOS电容的C-V曲线,低频时：,高频时：,精选,11,MOS电容器的C-V特性曲线,0,C,积累,低频,高频,耗尽,弱反型,反型,精选,12,MOS结构的C-V特性,MOS电容结构的能带图理想MOS电容的C-V特性实际MOS电容的C-V特性小结,精选,13,实际MOS电容的C-V特性,固定栅氧化层电荷效应界面电荷效应,精选,14,固定栅氧化层电荷效应,不同有效氧化层陷阱电荷下，P型MOS电容器高频电容和栅压的函数关系图,其中：为固定氧化层电荷为金-半功函数,精选,15,界面电荷效应,精选,16,界面电荷效应,
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