绝缘栅型场效应管之图解_第1页
绝缘栅型场效应管之图解_第2页
绝缘栅型场效应管之图解_第3页
绝缘栅型场效应管之图解_第4页
绝缘栅型场效应管之图解_第5页
已阅读5页，还剩1页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

绝缘栅场效应晶体管示意图绝缘栅场效应晶体管示意图绝缘栅场效应晶体管是一种利用半导体表面的电场效应，通过根据感应电荷量改变导电沟道来控制漏极电流的器件。其栅极与半导体绝缘，电阻大于100000000。增强：当VGS=0时，在漏极和源极之间没有导电沟道，在VDS的作用下没有iD。耗尽型：当VGS=0时，在漏极和源极之间有一个导电沟道，在VDS的作用下有一个iD。1.结构和符号(以N通道增强为例)两个浓度较高的N型区域扩散在浓度较低的P型硅上作为漏极和源极，半导体表面覆盖有二氧化硅绝缘层，电极引出作为栅极。N沟道绝缘栅场效应晶体管结构动画其他金属氧化物半导体管符号2.工作原理(以N通道增强为例)(1)当VGS=0时，不管VDS极性如何，总有一个PN结反向偏置，因此没有导电沟道。VGS=0，身份证=0VGS必须大于0管子只能工作。(2)当vgs0出现时，在二氧化硅介质中产生垂直于半导体表面的电场，排斥p区的多光子空穴，吸引少数电子。当VGS值达到一定值时，在P区表面形成一个反型层，连接两侧的N区，形成一个导电沟道。VGS 0g吸引电子反型层导电沟道Vgs反转层增厚VDSid(3)当vgs vt时，VDS较小：VDS身份证起始电压，在VDS开始传导时使用VGS佛蒙特州=VGS VDS3.特征曲线(以N通道增强为例)场效应晶体管传输特性曲线动画4.其他类型的金属氧化物半导体管(1)N沟道耗尽型：在制造期间，大量正离子掺杂在栅极绝缘层中，因此即使当VGS=0时，由于正离子的作用，在两个N区域之间存在导电沟道(类似于结型场效应晶体管)。其他类型的金属氧化物半导体管(2)P通道增强：当VGS=0，内径=0时，开路电压小于零，因此该管只能在VGS 0时工作。(3)P沟道耗尽型：在制造期间，大量的负离子被掺杂在栅极绝缘层中，因此即使当VGS=0时，由于负离子的作用，导电沟道(类似于结型场效应晶体管)存在于两个P区域之间。5.场效应晶体管的主要参数(1)接通电压VT:当VDS是一个固定值时，可以生成标识所需的最小|VGS |值。(增强)(2)夹断电压VP:当VDS是固定值时，当产生小电流时，ID对应于|VGS |值。(疲惫)(3)饱和漏极电流IDSS:当VGS=0时，管被预箝位时的漏极电流。(疲惫)(4)电极间电容：漏源电容CDS约为0.1 13pF，栅源电容CGS和栅漏电容CGD约为13pF。(5)低频跨导gm:表示VGS对iD的控制效果。在传递特性曲线上，gm是曲线在某一点上的斜
人人文库> 全部分类> 行业资料 > 管理策划

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论