单结晶体管及触发电路PPT课件

-,1,单结晶体管,单结晶体管及触发电路,河南工业职业技术学院,设计者：,天行健yuzzh,-,2,1单结晶体管,（1）单结晶体管的结构,（a）结构（b）等效电路（c）图形符号（d）外形管脚排列,-,3,（1）单结晶体管的结构,触发电路常用的国产单结晶体管的型号主要有BT31，BT33，BT35，其外形与管脚排列。,-,4,2）单结晶体管的伏安特性,单结晶体管的伏安特性：当两基极b1和b2间加某一固定直流电压时，发射极电流与发射极正向电压Ue之间的关系曲线称为单结晶体管的伏安特性f（Ue）。,（a）单结晶体管实验电路（b）单结晶体管伏安特性（c）特性曲线族,-,5,2）单结晶体管的伏安特性,截止区aP段当开关Q闭合，电压Ubb通过单结晶体管等效电路中的rbl和rb2分压，得A点电位UA，可表示为式中分压比，是单结晶体管的主要参数，一般为0309。负阻区PV段饱和区VN段,-,6,2）单结晶体管的伏安特性,单结管的导通条件：单结管的关断条件：,UeUp,UeUv,-,7,（3）单结晶体管的主要参数,单结晶体管的主要参数有：基极间电阻rbb分压比峰点电流IP谷点电压UV谷点电流IV耗散功率等。,-,8,单结管的管脚判断方法,从定位栓顺时针：e、b1、b2用万用表来判断：阅读p24页材料，总结出测试方法。,-,9,2单结晶体管张驰振荡电路,（a）单结晶体管张驰振荡电路的电路图（b）单结晶体管张驰振荡电路波形图,-,10,3单结晶体管触发电路,1）单结晶体管触发电路，是由同步电路和脉冲移相与形成两部分组成的。2）同步电路触发信号和电源电压在频率和相位上相互协调的关系叫同步。同步电路由同步变压器、桥式整流电路VD1VD4、电阻R1及稳压管组成。,-,11,触发电路,单结晶体管触发电路,单结晶体管,同步电路,脉冲移相电路,脉冲形成环节,-,12,触发脉冲的要求,A、要有足够大的功率，保证能够可靠触发B、要有一定的脉冲宽度C、前沿要陡峭，保证准确度D、必须同步E、必须在主电路要求的移相范围内移相,-,13,3单结晶体管触发电路,3）波形分析单结晶体管触发电路的调试以及在今后的使用过程中的检修主要是通过几个点的典型波形来判断个元器件是否正常。桥式整流后脉动电压的波形将探头的测试端接于“A”点，接地端接于“E”点，测得波形。（a）实测波形（b）理论波形,-,14,3单结晶体管触发电路,、削波后梯形波电压波形将探头的测试端接于“B”点，测得B点的波形（a）实测波形（b）理论波形,-,15,（2）脉冲移相与形成,1）电路组成脉冲移相由电阻RE和电容C组成，脉冲形成由单结晶体管、温补电阻R3、输出电阻R4组成。改变张驰振荡电路中电容C的充电电阻的阻值，就可以改变充电的时间常数，图中用电位器RP来实现这一变化，例如：RPC出现第一个脉冲的时间后移Ud,-,16,（2）脉冲移相与形成,2）波形分析、电容电压的波形将探头的测试端接于“C”点（a）实测波形（b）理论波形,-,17,（2）脉冲移相与形成,调节电位器RP的旋钮，观察C点的波形的变化范围。,-,18,、输出脉冲的波形将探头的测试端接于“D”点（a）实测波形（b）理论波形,-,19,调节电位器RP的旋钮，观察D点的波形的变化范围。,-,20,3触发电路各元件的选择,（1）、充电电阻的选择改变充电电阻的大小，就可以改变张驰振荡电路的频率，但是频率的调节有一定的范围，如果充电电阻选择不当，将使单结晶体管自激振荡电路无法形成振荡。充电电阻的取值范围为：其中：加于图中B-E两端的触发电路电源电压单结晶体管的谷点电压单结晶体管的谷点电流单结晶体管的峰点电压单结晶体管的峰点电流,-,21,（2）、电阻的选择电阻是用来补偿温度对峰点电压的影响，通常取值范围为：200600。（3）、输出电阻的选择输出电阻的大小将影响将影响输出脉冲的宽度与幅值，通常取值范围为：50100。（4）、电容C的选择电容C的大小与脉冲宽窄和的大小有关，通常取值范围为：0.11。,-,22,顺序控制电