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JournalofELECTRONICMATERIALS,39,10,2010上图CVD方法中，Ni催化剂位于Si/SiO2衬底的表面，焦耳加热至900-1000度，然后通入CH4，在催化剂的作用下生成了石墨烯,J.Phys.DAppl.Phys.43(2010)455402这里用的是Co催化剂,NanoLett.9,1(2009)a图为生长石墨烯之前的光学图像，b图为生长石墨烯之后的光学图像，可以看到石墨烯覆盖在了原来Ni催化剂的表面上图也给出了基片的构造,其他一些制备方法,NATURE4685492010在Cu/Si/SiO2表面上涂一层PMMA，加热后在Cu表面生成了石墨烯,其他一些制备方法,APPLIEDPHYSICSLETTERS96,063110(2010)无定形碳位于Ni薄膜和Si/SiO2衬底之间，加热再冷却，在Ni的表面生成了石墨烯,其他一些制备方法,small2010,6,11,1226在MgO(001)上覆盖Co，再在其表面覆盖上聚苯乙烯，真空中加热生成石墨烯,生长机理,PhysRevB.80.235422该模型认为在生长过程中，衬底中的Ru被蚀刻掉了，文中还结合LEEM图像进行了验证,NewJournalofPhysics11(2009)063046本文研究了在Ru(001)和Ir(111)表面上生长石墨烯的影响因素,naturematerials74062008通过IV光谱的测量和模拟得到了石墨烯在Ru(001)表面的堆叠方式,PhysRevLett.104.186101利用VASP计算研究了Ir/Ru/Cu表面上C-C对的稳定性，之所以要研究C-C对是因为其是石墨烯生长过程中成核的中心,PhysR
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