XPS分析价态PPT演示课件

X射线光电子谱(XPS)X-rayPhotoelectronSpectroscopy,Qing-YuZhangStateKeyLaboratoryforMaterialsModificationbyLaser,IonandElectronBeams,1,XPS引言,X射线光电子谱是重要的表面分析技术之一。它不仅能探测表面的化学组成，而且可以确定各元素的化学状态，因此，在化学、材料科学及表面科学中得以广泛地应用。X射线光电子能谱是瑞典Uppsala大学K.Siegbahn及其同事经过近20年的潜心研究而建立的一种分析方法。他们发现了内层电子结合能的位移现象，解决了电子能量分析等技术问题，测定了元素周期表中各元素轨道结合能，并成功地应用于许多实际的化学体系。,2,XPS引言,K.Siegbahn给这种谱仪取名为化学分析电子能谱(ElectronSpectroscopyforChemicalAnalysis)，简称为“ESCA”，这一称谓仍在分析领域内广泛使用。随着科学技术的发展，XPS也在不断地完善。目前，已开发出的小面积X射线光电子能谱，大大提高了XPS的空间分辨能力。,3,XPS光电效应,光电效应,Corelevelelectronsareejectedbythex-rayradiationTheK.E.oftheemittedelectronsisdependenton:IncidentenergyInstrumentworkfunctionElementbindingenergy,4,XPS光电效应,光电效应根据Einstein的能量关系式有：h=EB+EK其中为光子的频率，EB是内层电子的轨道结合能，EK是被入射光子所激发出的光电子的动能。实际的X射线光电子能谱仪中的能量关系。即其中为真空能级算起的结合能SP和S分别是谱仪和样品的功函数。,5,XPS光电效应,光电效应EBV与以Fermi能级算起的结合能EBF间有因此有：,6,XPSX射线光电子谱仪,X射线光电子谱仪,7,XPSX射线光电子谱仪,X射线光电子谱仪X射线源是用于产生具有一定能量的X射线的装置，在目前的商品仪器中，一般以Al/Mg双阳极X射线源最为常见。,8,XPSX射线光电子谱仪,X射线光电子谱仪,9,XPSX射线光电子谱仪,X射线光电子谱仪作为X射线光电子谱仪的激发源，希望其强度大、单色性好。同步辐射源是十分理想的激发源，具有良好的单色性，且可提供10eV10keV连续可调的偏振光。在一般的X射线光电子谱仪中，没有X射线单色器，只是用一很薄(12m)的铝箔窗将样品和激发源分开，以防止X射线源中的散射电子进入样品室，同时可滤去相当部分的轫致辐射所形成的X射线本底。,10,XPSX射线光电子谱仪,X射线光电子谱仪将X射线用石英晶体的(1010)面沿Bragg反射方向衍射后便可使X射线单色化。X射线的单色性越高，谱仪的能量分辨率也越高。除在一般的分析中人们所经常使用的Al/Mg双阳极X射线源外，人们为某些特殊的研究目的，还经常选用一些其他阳极材料作为激发源。半峰高宽是评定某种X射线单色性好坏的一个重要指标。,11,XPSX射线光电子谱仪,X射线光电子谱仪,12,XPSX射线光电子谱基本原理,X射线光电子谱基本原理X射线光电子能谱的理论依据就是Einstein的光电子发射公式，在实际的X射线光电子谱分析中，不仅用XPS测定轨道电子结合能，还经常用量子化学方法进行计算，并将二者进行比较。,13,XPSX射线光电子谱基本原理,突然近似体系受激出射光电子后，原稳定的电子结构受到破坏，这时体系处于何种状态、如何求解状态波函数及本征值遇到了很大的理论处理困难。突然近似认为，电离后的体系同电离前相比，除了某一轨道被打出一个电子外，其余轨道电子的运动状态不发生变化而处于某一种“冻结状态”。,14,XPSX射线光电子谱基本原理,突然近似按照这个假设前提，Koopmans认为轨道电子的结合能在数值上等于中性体系该轨道自洽单电子波函数的本征值的负值，即其中：表示用自洽场方法求得的ESCF(n,l,j)轨道电子能量的本征值，n,l,j为轨道的三个量子数。表示EaSCF用Koopmans定理确定的(n,l,j)轨道电子结合能。,15,XPSX射线光电子谱基本原理,突然近似Koopmans定理使某轨道电子结合能EB的求取变成计算该轨道电子波函数本征值而与终态无关，使计算简化。因为忽略了电离后终态的影响，这种方法只适用于闭壳层体系。,16,XPSX射线光电子谱基本原理,绝热近似实测的XPS谱是同电离体系的终态密切相关的，Koopmans定理所假设的离子轨道冻结状态是不存在的。绝热近似认为，电子从内壳层出射，结果使原来体系的平衡势场破坏，离子处于激发态。这时轨道电子结构将作出调整，电子轨道半径会出现收缩或膨涨，这一过程叫“电子弛豫”。,17,XPSX射线光电子谱基本原理,绝热近似弛豫的结果使离子回到基态，释放出弛豫能Erelax。因弛豫过程与光电子发射同时进行，所以加速了光电子的发射，提高了光电子动能。因此有其中：EBad表示按绝热近似求得的结合能。,18,XPSX射线光电子谱基本原理,绝热近似Hartree-Fock自洽场方法忽略了相对论效应和电子相关作用。如考虑这两项的影响，准确的理论计算公式为其中：Erelat和Ecorr分别为相对论效应和电子相关作用对结合能的校正，一般小于Erelax。,19,XPSX射线光电子谱基本原理,绝热近似,20,XPSX射线光电子谱基本原理,绝热近似,21,XPSX射线光电子谱基本原理,绝热近似,不同方法求得的Ne1s和Ne2s轨道结合能对比,22,XPSX射线光电子谱基本原理,结合能参照基准在用XPS测定内层电子结合能与理论计算结果进行比较时，必须有一共同的结合能参照基准。对于孤立原子，轨道结合能的定义为把一个电子从轨道移到核势场以外所需的能量，即以“自由电子能级”为基准的。在XPS中称这一基准为“真空能级”，它同理论计算的参照基准是一致的。,23,XPSX射线光电子谱基本原理,结合能参照基准对于气态XPS，测定的结合能与计算的结合能是一致，因此，可以直接比较对于导电固体样品，测定的结合能则是以Fermi能级为基准的，因此，同计算结果对比时，应用公式进行换算。对于非导电样品，参考能级的确定是比困难的。,24,XPSX射线光电子谱仪的能量校准,X射线光电子谱仪的能量校准X射线光电子能谱分析的首要任务是谱仪的能量校准。一台工作正常的X射线光电子谱仪应是经过能量校准的。X射线光电子谱仪的能量校准工作是经常性的，一般地说，每工作几个月或半年，就要重新校准一次。,25,XPSX射线光电子谱仪的能量校准,能量零点对于导电的固体样品，其结合能的能量零点是其Fermi能级。在实际的工作中，是选择在Fermi能级附近有很高状态密度的纯金属作为标样。在高分辨率状态下，采集XPS谱，则在EBF=0处将出现一个急剧向上弯曲的谱峰拐点，这便是谱仪的坐标零点。,26,XPSX射线光电子谱仪的能量校准,能量零点作为结合能零点校准的标准试样，Ni,Pt,Pd是比较合适的材料。,EB=0,27,XPSX射线光电子谱仪的能量校准,能量坐标标定有了仪器的能量零点后，需要选用一些易于纯化的金属，对谱仪的能量坐标进行标定。一般是选择相距比较远的两条谱线进行标定，所选谱线的能量位置是经过精确测定的。在两点定标方法中应注意选择适合于谱仪线性响应的标准谱线能量范围，同时必须对Fermi能量零点作出严格的校正。,28,XPSX射线光电子谱仪的能量校准,能量坐标标定,29,XPSX射线光电子谱仪的能量校准,能量坐标标定,Seah给出的结合能标定值,30,XPSX射线光电子谱仪的能量校准,荷电效应用XPS测定绝缘体或半导体时，由于光电子的连续发射而得不到足够的电子补充，使得样品表面出现电子“亏损”，这种现象称为“荷电效应”。荷电效应将使样品出现一稳定的表面电势VS，它对光电子逃离有束缚作用。,31,XPSX射线光电子谱仪的能量校准,荷电效应考虑荷电效应有：其中ES=VSe为荷电效应引起的能量位移，使得正常谱线向低动能端偏移，即所测结合能值偏高。荷电效应还会使谱锋展宽、畸变，对分析结果产生一定的影响。,32,XPSX射线光电子谱仪的能量校准,荷电效应荷电效应的来源主要是样品的导电性能差。荷电电势的大小同样品的厚度、X射线源的工作参数等因素有关。实际工作中必须采取有效的措施解决荷电效应所导致的能量偏差。,33,XPSX射线光电子谱仪的能量校准,荷电效应-中和法制备超薄样品；测试时用低能电子束中和试样表面的电荷，使Ec0；得到电子时QA0；纯共价键时QA=0。n为A原子的平均键数，单键n=1，双键n=2，叁键n=3。,46,XPSXPS中的化学位移,电荷势模型I为A原子成键的部分离子特征。Pauling建议XA和XB是A,B原子的电负性。结果表明，EB与q之间有较好的线性关系，理论与实验之间相当一致。,47,XPSXPS中的化学位移,电荷势模型,含碳化合物C1s电子结合能位移同原子电荷q的关系,48,XPSXPS中的化学位移,价势模型一个更基本的方法是用所谓的价电势来表达内层电子结合能：是由于分子价电子密度和其他原子实的影响。,49,XPSXPS中的化学位移,价势模型原子A的一个内层电子感受的电势的近似表达为其中：是A原子以外的原子实电荷，第一个加和只与体系的价分子轨道有关。,50,XPSXPS中的化学位移,价势模型两个化合物间结合能的化学位移为：用ZDO(ZeroDifferentialOverlap)近似求A有：参数k在这里是核吸引积分的平均值。,51,XPSXPS中的化学位移,等效原子实方法因为原子的内层电子被原子核所紧紧束缚，所以，可以认为价电子受内层电子电离时的影响与在原子核中增加一个正电荷所受的影响是一致的，即原子实是等效的。,52,XPSXPS中的化学位移,等效原子实方法对于NH3和N2的光电离有上角标“*”为电离原子。,53,XPSXPS中的化学位移,等效原子实方法若光电子的动能为零，则从化学上讲，这是一种需要吸收能量，等于N1s轨道电子结合能的吸热反应。即：,54,XPSXPS中的化学位移,等效原子实方法根据等效原子实的思想，N*与O的原子实等效，因此有：所以有：,55,XPSXPS中的化学位移,等效原子实方法根据等效原子实方法若分子和离子的生成热已知，则化学位移可求。由热化学数据求得的一组含氮化合物的相对结合能与XPS所测结果的对比,56,XPSXPS中的化学位移,化学位移的经验规律同一周期内主族元素结合能位移随它们的化合价升高线性增加；而过渡金属元素的化学位移随化合价的变化出现相反规律。分子M中某原子A的内层电子结合能位移量同与它相结合的原子电负性之和X有一定的线性关系。,57,XPSXPS中的化学位移,化学位移的经验规律对少数系列化合物，由NMR(核磁共振波谱仪)和Mossbauer谱仪测得的各自的特征位移量同XPS测得的结合能位移量有一定的线性关系。XPS的化学位移同宏观热力学参数之间有一定的联系。,58,XPSXPS分析方法,定性分析同AES定性分析一样，XPS分析也是利用已出版的XPS手册。,59,XPSXPS分析方法,定性分析-谱线的类型在XPS中可以观察到几种类型的谱线。其中有些是XPS中所固有的，是永远可以观察到的；有些则依赖于样品的物理、化学性质。光电子谱线：在XPS中，很多强的光电子谱线一般是对称的，并且很窄。但是，由于与价电子的耦合，纯金属的XPS谱也可能存在明显的不对称。,60,XPSXPS分析方法,定性分析-谱线的类型,61,XPSXPS分析方法,定性分析-谱线的类型谱线峰宽：谱线的峰宽一般是谱峰的自然线宽、X射线线宽和谱仪分辨率的卷积。高结合能端弱峰的线宽一般比低结合能端的谱线宽14eV。绝缘体的谱线一般比导体的谱线宽0.5eV。,62,XPSXPS分析方法,定性分析-谱线的类型Auger谱线：在XPS中，可以观察到KLL,LMM,MNN和NOO四个系列的Auger线。因为Auger电子的动能是固定的，而X射线光电子的结合能是固定的，因此，可以通过改变激发源(如Al/Mg双阳极X射线源)的方法，观察峰位的变化与否而识别Augar电子峰和X射线光电子峰。,63,XPSXPS分析方法,定性分析-谱线的类型X射线的伴峰：X射线一般不是单一的特征X射线，而是还存在一些能量略高的小伴线，所以导致XPS中，除K1,2所激发的主谱外，还有一些小的半峰。,64,XPSXPS分析方法,定性分析-谱线的类型,Mg阳极X射线激发的C1s主峰及伴峰,65,XPSXPS分析方法,定性分析-谱线的类型X射线“鬼峰”：有时，由于X射源的阳极可能不纯或被污染，则产生的X射线不纯。因非阳极材料X射线所激发出的光电子谱线被称为“鬼峰”。,66,XPSXPS分析方法,定性分析-谱线的类型震激和震离线：在光发射中，因内层形成空位，原子中心电位发生突然变化将引起外壳电子跃迁，这时有两种可能：(a)若外层电子跃迁到更高能级，则称为电子的震激(shake-up)；(b)若外层电子跃过到非束缚的连续区而成为自由电子，则称为电子的震离(shake-off)。无论是震激还是震离均消耗能量，使最初的光电子动能下降。,67,XPSXPS分析方法,定性分析-谱线的类型,Ne的震激和震离过程的示意图,68,XPSXPS分析方法,定性分析-谱线的类型,Cu的2p谱线及震激结构,69,XPSXPS分析方法,定性分析-谱线的类型多重分裂：当原子的价壳层有未成对的自旋电子时，光致电离所形成的内层空位将与之发生耦合，使体系出现不止一个终态，表现在XPS谱图上即为谱线分裂。,70,XPSXPS分析方法,定性分析-谱线的类型,Mn+离子的3s轨道电离时的两种终态,71,XPSXPS分析方法,定性分析-谱线的类型,MnF2的Mn3s电子的XPS谱,72,XPSXPS分析方法,定性分析-谱线的类型能量损失峰：对于某些材料，光电子在离开样品表面的过程中，可能与表面的其它电子相互作用而损失一定的能量，而在XPS低动能侧出现一些伴峰，即能量损失峰。当光电子能量在1001500eV时，非弹性散射的主要方式是激发固体中自由电子的集体振荡，产生等离子激元。,73,XPSXPS分析方法,定性分析-谱线的类型发射的光电子动能为：其中：n是受振荡损失的次数，EP是体等离子激元损失的能量，ES是受表面等离子激元损失的能量。一般,74,XPSXPS分析方法,定性分析-谱线的类型,Al的2s谱线及相关的能量损失线,75,XPSXPS分析方法,定性分析-谱线的识别因C,O是经常出现的，所以首先识别C,O的光电子谱线，Auger线及属于C,O的其他类型的谱线。利用X射线光电子谱手册中的各元素的峰位表确定其他强峰，并标出其相关峰，注意有些元素的峰可能相互干扰或重叠。,76,XPSXPS分析方法,定性分析-谱线的识别识别所余弱峰。在此步，一般假设这些峰是某些含量低的元素的主峰。若仍有一些小峰仍不能确定，可检验一下它们是否是某些已识别元素的“鬼峰”。确认识别结论。对于p,d,f等双峰线，其双峰间距及峰高比一般为一定值。p峰的强度比为1:2；d线为2:3；f线为3:4。对于p峰，特别是4p线，其强度比可能小于1:2。,77,XPSXPS分析方法,化合态识别在XPS的应用中，化合态的识别是最主要的用途之一。识别化合态的主要方法就是测量X射线光电子谱的峰位位移。对于半导体、绝缘体，在测量化学位移前应首先决定荷电效应对峰位位移的影响。,78,XPSXPS分析方法,化合态识别-光电子峰由于元素所处的化学环境不同，它们的内层电子的轨道结合能也不同，即存在所谓的化学位移。其次，化学环境的变化将使一些元素的光电子谱双峰间的距离发生变化，这也是判定化学状态的重要依据之一。元素化学状态的变化有时还将引起谱峰半峰高宽的变化。,79,XPSXPS分析方法,化合态识别-光电子峰,S的2p峰在不同化学状态下的结合能值,80,XPSXPS分析方法,化合态识别-光电子峰,Ti及TiO2中2p3/2峰的峰位及2p1/2和2p3/2之间的距离,81,XPSXPS分析方法,化合态识别-光电子峰,C1s在不同化学状态下半峰高宽的变化,82,XPSXPS分析方法,化合态识别-Auger线由于元素的化学状态不同，其Auger电子谱线的峰位也会发生变化。当光电子峰的位移变化并不显著时，Auger电子峰位移将变得非常重要。在实际分析中，一般用Auger参数作为化学位移量来研究元素化学状态的变化规律。,83,XPSXPS分析方法,化合态识别-Auger线Auger参数定义为最锐的Auger谱线与光电子谱主峰的动能差，即为避免0，将Auger参数改进为,84,XPSXPS分析方法,化合态识别-Auger线以EBP为横坐标，EBA为纵坐标，为对角参数将给出二维化学状态平面图，对识别表面元素的化学状态极为有用。Ag及其化合物的二维化学状态图,85,XPSXPS分析方