航空航天工业标准规范文件：QJ 1317A-2005

中华中华人民共和国人民共和国航航天天行行业业标准标准 FL 6100 QJ 1317A2005 代替 QJ 13171987 电子元器件失效分类及代码 Classification and coding for electronic components failure 20051212 发布 20060501 实施 国防科学技术工业委员会发 布 QJ 1317A2005 I 目 次 前言.II 1 范围. 1 2 规范性引用文件. 1 3 术语和定义. 1 4 失效分类及代码. 2 4.1 分类方法及编码方式. 2 4.2 失效性质及代码. 2 4.3 失效程度及代码. 3 4.4 失效模式及代码. 4 4.5 失效原因及失效机理. 6 附录 A（规范性附录）主要电子元器件类型. 15 QJ 1317A2005 II 前言 本标准代替QJ 13171987电子元器件失效分类及代码。 本标准结合当前航天用电子元器件失效分类的现状， 对原标准进行了补充完善， 补充了失效原因和失 效机理分类和代码，完善了失效程度、失效模式等分类及代码。 本标准的附录A为规范性附录。 本标准由中国航天科技集团公司提出。 本标准由中国航天标准化研究所归口。 本标准起草单位：中国航天标准化研究所、中国航天科技集团公司五院、一院。 本标准主要起草人：夏泓、李兰英、李京苑、傅乐勇。 本标准于1987年12月首次发布，2005年12月第一次修订。 QJ 1317A2005 1 电子元器件失效分类及代码 1 范围 本标准规定了航天产品用电子元器件失效分类及其代码。 本标准适用于航天产品研制过程中电子元器件失效信息的管理系统。 在研制或管理航天用电子元器 件工作中亦可参照使用。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的 修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GJB/Z 299B1998 电子设备可靠性预计手册 GJB 31571998 半导体分立器件失效分析方法和程序 GJB/Z 9000A2001 质量管理体系 基础和术语 3 术语和定义 GJB/Z 9000A2001确立的以及下列术语和定义适用于本标准。 3.1 失效 failure 电子元器件丧失规定的功能或性能。 3.2 失效模式 failure mode 失效的表现形式。 3.3 失效机理 failure mechanism 引起失效的物理、化学变化等内在原因。 3.4 失效性质 failure cause at the qualitative 引起电子元器件失效的宏观原因。 3.5 失效原因 failure cause 引起电子元器件失效的条件、因素。 3.6 误用失效 misuse failure 电子元器件不按规定条件使用而引起的失效。 3.7 本质失效 inherent weaknees failure 电子元器件在规定的条件下使用，由于电子元器件本身固有的弱点而引起的失效。 3.8 完全失效 complete failure 电子元器件的性能超过某种确定的界限，以致完全丧失规定功能的失效。 3.9 部分失效 partial failure 电子元器件的性能超过某种确定的界限，但没有完全丧失规定功能的失效。 3.10 从属失效 secondary failure QJ 1317A2005 2 由于另一个电子元器件失效引起的失效。 3.11 重测合格 conformity checked by re-inspecting 对曾经判断为失效的电子元器件进行重新测试时，其功能和性能符合规定。 4 失效分类及代码 4.1 分类方法及编码方式 电子元器件的失效信息按失效性质、失效程度、失效模式、失效原因及失效机理进行分类和编码。 分类编码结构如下： 结构示意： * * * * 层次： 1 2 3 4 代码位数： 2 1 3 4 含义： 失效性质 失效程度 失效模式 失效原因及失效机理 章节： 4.2 4.3 4.4 4.5 代码说明： 同层次的位次规则: 首位为该层次类别，次位为首位类别的具体细化，第3位为次位的细化，第4位 为第3位的细化。 数字代码 0：含义是“不明”。 字母代码 Z：含义是表明在特定的情况下，还可以具体细化。 字母代码 X：含义是在它前1位的失效类型可以具体化。 字母代码 Q和QT：表示“其它”。 字母代码 QTL：表示“其它类型”。 4.2 失效性质及代码 失效性质代码及含义、含义简写提示如下： 代码 含 义 含义简写提示 0X 失效性质不明 不明 01 失效性质不明（无法测试） 不明未测 02 失效性质不明（拆换损坏） 不明拆坏 03 失效性质不明（样品丢失） 不明丢失 04 失效性质不明（分析进度不允许） 不明进度 05 失效性质不明（分析手段不具备） 不明手段 06 失效性质不明（分析经费不充分） 不明经费 07 失效性质不明（分析资料不完整） 不明资料 0Q 失效性质不明（其它） 不明其它 1X 本质失效 本质 10 本质失效（具体性质不明） 本质不明 11 本质失效（元器件设计所致） 本质设计 12 本质失效（元器件生产工艺所致） 本质工艺 13 本质失效（元器件材料、零部件所致） 本质材料 14 本质失效（元器件设备问题所致。如设备不稳定、性能退化等）本质设备 15 本质失效（元器件生产过程人员不按规范操作所致） 本质操作 QJ 1317A2005 3 代码 含 义 含义简写提示 16 本质失效（元器件生产环境所致） 本质环境 17 本质失效(元器件管理混乱所致，如无章可循、弄虚作假) 本质管理 1Q 本质失效(其它) 本质其它 2X 误用失效 误用 20 误用失效(具体性质不明) 误用不明 21 误用失效(整机设计错误所致) 误用设计 22 误用失效(整机元器件选择不当所致，如未选择更适用于整机 设计要求的元器件型号、规格、性能) 误用选择 23 误用失效(整机生产工艺所致) 误用工艺 24 误用失效(人员误操作所致) 误用操作 25 误用失效（整机所处环境所致。如物理环境：电、热（温度）、 力、磁、辐射等或化学环境：湿度、气氛、介质等不符合整机设计 要求等） 误用环境 26 误用失效（管理混乱所致，如不按规定选择元器件制造厂、供 应商、质量等级、库房条件） 误用管理 2Q 误用失效（其它） 误用其它 3X 从属失效 从属 30 从属失效（源头性质不明） 从属源不明 31 从属失效（源头性质清楚） 从属源明 3Q 从属失效（其它） 从属其它 4X 重测合格 重合 40 重测合格（具体性质不明） 重合不明 41 重测合格（误判） 重合误判 42 重测合格（性能不满足整机要求） 重合性能 4Q 重测合格（其它） 重合其它 9X 其它性能失效 其它 90 其它性能失效（失效性质不明） 其它不明 91 其它性能失效（失效性质清楚） 其它清楚 4.3 失效程度及代码 失效程度代码及含义、含义简写提示如下： 代码 含 义 含义简写提示 0 失效程度不明 不明 1 性能合格 合格 2 部分失效 部分 3 完全失效 完全 QJ 1317A2005 4 4.4 失效模式及代码 失效模式代码及含义、含义简写提示如下： 代码 含 义 含义简写提示 0XX 失效模式不明 不明 010 失效模式不明（拆换损坏） 不明拆坏 020 失效模式不明（无法测试） 不明未测 030 失效模式不明（样品丢失等） 不明丢失 0QT 失效模式不明（其它） 不明其它 1XX 电性能功能失效（功能丧失） 电性丧失 111 电性能短路（稳定短路） 电性短路 112 电性能短路（瞬时短路） 电性瞬短 113 电性能短路（该断路不断，适用于可动触点） 电性不断 121 电性能开路（稳定开路） 电性开路 122 电性能开路（瞬时开路） 电性瞬开 123 电性能开路（该通路不通，适用于可动触点） 电性不通 131 电性能既短路又开路 电性短开 141 电性能逻辑输出错误 电性逻辑错 151 电性能模拟输出错误 电性模拟错 1QT 其它电性能功能失效 电性功能其它 2XX 电性能参数失效（性能不合格） 电性不符 211 电性能电压参数失效（击穿电压、抗电强度） 电性电压击穿 212 电性能电压参数失效（正向压降、饱和压降） 电性电压正向 213 电性能电压参数失效（失调电压） 电性电压失调 214 电性能电压参数失效（输入、输出等逻辑电平） 电性电压电平 215 电性能电压参数失效（阈值电压） 电性电压阈值 216 电性能电压参数失效（接触压降） 电性电压接触 217 电性能电压参数失效（吸合电压、释放电压） 电性电压吸合 218 电性能电压参数失效（夹断电压） 电性电压夹断 21Q 其它电性能电压参数失效 电性电压其它 221 电性能电流参数失效（漏电流） 电性电流漏电 222 电性能电流参数失效（工作电流，如输入、输出、电源等） 电性电流工作 223 电性能电流参数失效（功耗电流） 电性电流功耗 22Q 其它电性能电流参数失效 电性电流其它 231 电性能电阻参数失效（输入或输出阻抗） 电性电阻阻抗 232 电性能电阻参数失效（体电阻） 电性电阻体阻 233 电性能电阻参数失效（绝缘电阻） 电性电阻绝缘 234 电性能电阻参数失效（接触电阻） 电性电阻接触 235 电性能电阻参数失效（电阻值） 电性电阻阻值 QJ 1317A2005 5 23Q 其它电性能电阻参数失效 电性电阻其它 241 电性能电容参数失效（电容值） 电性电容容值 242 电性能电容参数失效（损耗值） 电性电容损耗 24Q 其它电性能电容参数失效 电性电容其它 251 电性能时间参数失效（频率） 电性时间频率 252 电性能时间参数失效（开关时间） 电性时间开关 25Q 其它电性能时间参数失效 电性时间其它 261 电性能温度参数失效（电压温度系数） 电性电压温系 262 电性能温度参数失效（电流温度系数） 电性电流温系 263 电性能温度参数失效（电阻温度系数） 电性电阻温系 264 电性能温度参数失效（电容温度系数） 电性电容温系 265 电性能温度参数失效（热阻温度系数） 电性热阻温系 26Q 其它电性能温度参数失效 电性温度其它 271 光学参数失效（亮度） 光学亮度 272 光学参数失效（波长） 光学波长 27Q 其它光学参数失效 光学其它 281 电性能传输参数失效（直流放大倍数） 电性传输直放 282 电性能传输参数失效（交流放大倍数） 电性传输交放 283 电性能传输参数失效（开环增益） 电性传输开环 284 电性能传输参数失效（功率增益） 电性传输功率 285 电性能传输参数失效（传输比） 电性传输传输比 286 电性能传输参数失效（跨导） 电性传输跨导 28Q 其它电性能传输参数失效 电性传输其它 291 电性能电感参数失效（电感值） 电性电感感值 292 电性能电感参数失效（Q值） 电性电感Q值 29Q 其它电性能电感参数失效 电性电感其它 2QT 其它电性能参数失效 电性参数其它 3XX 结构性能失效 结构失效 311 结构性能失效（壳体断裂） 结构壳体断裂 312 结构性能失效（壳体脱焊或脱落，如电阻器脱帽、掉帽） 结构壳体脱焊 313 结构性能失效（壳体变形） 结构壳体变形 321 结构性能失效（引线断裂） 结构引线断裂 322 结构性能失效（引线脱焊） 结构引线脱焊 323 结构性能失效（引线变形） 结构引线变形 331 结构性能失效（尺寸不符） 结构尺寸不符 341 结构性能失效（漏液） 结构漏液 342 结构性能失效（漏气） 结构漏气 QJ 1317A2005 6 351 结构性能失效(绝缘子碎裂) 结构绝缘子碎裂 352 结构性能失效(绝缘子孔洞、气泡) 结构绝缘子孔泡 353 结构性能失效(绝缘子过薄) 结构绝缘子薄 354 结构性能失效(绝缘子过厚) 结构绝缘子厚 361 结构性能失效(多余物) 结构多余物 3QT 其它结构性能失效 结构其它 4XX 力学性能失效 力学失效 411 力学性能失效(转不动或转动力矩异常) 力学力矩异常 421 力学性能失效(插不上或插合力异常) 力学插合异常 431 力学性能失效(拔不下或分离力异常) 力学分离异常 441 力学性能失效(扳不动或换向力异常) 力学换向异常 451 力学性能失效(按不动或按动力异常) 力学按动异常 4QT 其它力学性能失效 力学其它 5XX 表面性能失效 表面失效 511 表面性能失效(涂覆层质量不良) 表面涂覆层不良 521 表面性能失效(电镀层开裂) 表面电镀层开裂 522 表面性能失效(电镀层脱落) 表面电镀层脱落 531 表面性能失效(机械损伤) 表面机械损伤 532 表面性能失效(锈蚀) 表面锈蚀 533 表面性能失效(光洁度、平整度不良) 表面光洁平整不良 534 表面性能失效(霉变) 表面霉变 535 表面性能失效(晦暗) 表面晦暗 536 表面性能失效(变色) 表面变色 541 表面性能失效(标记质量不良) 表面标记不良 551 表面性能失效(可焊性不良) 表面可焊性不良 5QT 其它表面性能失效 表面其它 9XX 其它失效模式 其它 911 其它失效模式 其它失效 999 性能合格专用代码 性能合格 4.5 失效原因及失效机理 失效原因及失效机理分为A、B、C、D、W五个部分。其中A、B、C、D部分适用于本质失效的失 效原因及失效机理，W部分适用于误用失效的失效原因及失效机理。 A、B、C、D部分分别主要适用于指定的电子元器件类型（见附录A），但不限用于这种类型。例 如A部分主要适用于微电子和半导体分立器件，但其它电子元器件如果有同样问题，也可以选用。例如： A1ZZ及A11Z-A18Z是“芯片或芯体或产品设计问题”，这些条目是共性问题，也适用于电容器等电子 元器件。因此，在选择具体的失效原因及失效机理时，首先在指定的电子元器件类型部分中选择最适当 的条目，如果指定部分没有适当的条目，可以再选择其它部分的适当条目。 4.5.1 本质失效 QJ 1317A2005 7 4.5.1.1 失效原因及失效机理（A）（主要适用于但不限用于微电子和半导体分立器件） 失效原因及失效机理代码及含义如下： 代码 含 义 A1ZZ 芯片或芯体或产品设计问题 A11Z 热设计问题 A111 功率与管壳不匹配 A112 热分布不合理 A113 选用元件热特性差 A114 元件靠近热源 A115 芯片粘接材料选择不当（匹配不当、热阻大） A116 内引线与功率不匹配 A12Z 抗静电设计问题 A13Z 抗锁定设计问题 A14Z 抗辐射设计问题 A15Z 降额设计问题 A16Z 功能设计问题 A17Z 工艺设计问题 A18Z 图形设计问题 A2ZZ 芯片或芯体制造工艺问题 A21Z 芯片或芯体表面问题 A211 表面沾污（离子沾污、腐蚀性物质沾污等） A212 氧化层缺陷（针孔、不均匀等） A213 钝化层（含玻璃钝化层）缺陷 A214 光刻缺陷 A22Z 芯片或芯体体内问题 A221 扩散缺陷 A222 锁定效应 A223 材料缺陷 A224 应力释放 A225 裂纹 A226 芯片缺损 A23Z 芯片金属化问题 A231 电迁移 A232 腐蚀 A233 铝硅共熔 A234 铝与二氧化硅反应 A235 桥接 A236 划伤 QJ 1317A2005 8 A237 断开 A238 钻蚀 A239 光刻缺陷引起的缺损、多余物、金属化未对准等 A3ZZ 芯片粘接、烧结问题 A31Z 粘接材料问题 A311 成分不对 A312 材料过期 A313 材料组织异常 A32Z 加工缺陷 A321 面积小 A322 位置不对 A323 材料过多 A33Z 镀层质量问题 A331 镀层薄 A332 镀层厚 A333 镀层脱落 A334 镀层不致密 A34Z 芯片粘接、烧结工艺问题 A341 温度不当 A342 时间不当 A343 气氛不当 A4ZZ 键合问题 A41Z 界面沾污 A42Z 界面生成金属间化合物 A43Z 材料问题 A44Z 加工问题（压偏、颈缩、重焊、尾丝太长） A45Z 镀层质量问题 A46Z 工艺问题 A47Z 面积问题 A48Z 设备问题 A5ZZ 内引线问题 A51Z 形状异常（弧度过大、弧度过小(根部塌丝)、内引线粗细不均匀） A52Z 腐蚀（含键合点） A53Z 材料问题 A54Z 尺寸问题 A6ZZ 封装（含气氛）、外壳问题 A61Z 漏气 A611 密封焊接不良 QJ 1317A2005 9 A612 玻璃绝缘子碎裂 A62Z 锈蚀 A63Z 内部气氛不良 A631 水汽含量大 A632 氧含量大 A633 内部有机物释放污染 A64Z 沾污 A65Z 变形 A66Z 包封材料分解变形 A67Z 标志不清 A671 磨损 A672 不抗溶（含抗溶性试验和密封性试验中标志退色） A673 锈蚀 A674 沾污 A7ZZ 外引线问题 A71Z 化学腐蚀 A72Z 应力腐蚀 A73Z 工艺问题 A74Z 镀层质量问题 A75Z 材料缺陷 A76Z 机械损伤 A8ZZ 多余物问题 A81Z 可动导电多余物 A82Z 可动非导电多余物 A83Z 不可动多余物 A84Z 可动多余物和不可动多余物 A85Z 可动导电和非导电多余物 AQTL 其它类型失效原因及失效机理 4.5.1.2 失效原因及失效机理（B）（主要适用于但不限用于电阻器、电位器） 失效原因及失效机理代码及含义如下： 代码 含 义 B1ZZ 缺陷引起开路 B11Z 引线与帽盖虚焊 B111 焊点污染 B112 焊接工艺不良 B113 材料成份不当 B12Z 帽盖脱落 B121 帽盖与基体尺寸配合不良 QJ 1317A2005 10 B122 端帽歪斜 B123 端帽裂纹、缺损 B124 端帽与基体热不匹配 B13Z 基体断裂 B131 材料有杂质 B14Z 膜层大块脱落 B141 碱金属离子侵蚀 B142 膜层附着力差 B15Z 膜层开裂 B151 缺陷部分高阻过热 B152 材料不匹配 B16Z 膜层沾污、杂质、多余物 B17Z 电刷或动触点变形 B18Z 结构问题 B2ZZ 缺陷引起阻值超规范 B21Z 引线与帽盖虚焊 B211 焊点污染 B212 焊接工艺不良 B213 材料成份不当 B22Z 刻槽不连续或槽为锯齿形 B221 帽盖与基体尺寸配合不良 B23Z 膜层和基体污染 B231 制造中有杂质沾污 B24Z 膜层小块脱落 B241 碱金属离子侵蚀 B242 膜层附着力差 B25Z 膜层划伤、孔洞 B251 机械应力 B252 工艺缺陷 B26Z 膜层氧化 B261 膜层材料杂质缺陷 B27Z 基体不平、厚薄不均、有杂质 B271 基体材料缺陷 B28Z 膜层沾污或有多余物 B29Z 电刷或动触点变形 BQTL 其它类型失效原因及失效机理 4.5.1.3 失效原因及失效机理（C）（主要适用于但不限用于电容器） 失效原因及失效机理代码及含义如下： QJ 1317A2005 11 代码 含 义 C1ZZ 缺陷引起击穿(短路呈电阻特性) C11Z 电介质中有疵点或缺陷，存在杂质或导电粒子 C12Z 电介质老化 C13Z 电介质的电化学击穿 C14Z 离子迁移 C15Z 电介质在制造中的机械损伤 C16Z 高湿度或低气压环境下极间边缘飞弧 C17Z 机械应力作用下电介质瞬时短路 C18Z 多余物搭接 C2ZZ 缺陷引起开路 C21Z 击穿引起电极与引线开路 C22Z 氧化引起电极与引线接触处低电平不通 C221 氧化 C222 有机物沾污 C223 有害气体侵蚀 C23Z 电解电容器阳极引出箔被腐蚀 C24Z 电解电容器阳极引出箔机械折断 C25Z 工作电解质问题 C251 工作电解质干涸 C252 工作电解质冻结 C26Z 引线（箔）和电极接触不良 C27Z 机械应力作用下电介质瞬时开路 C28Z 电极加工不良 C29Z 阳极柱与外引线脱焊 C3ZZ 缺陷引起电性能退化 C31Z 杂质和有害离子作用 C311 水汽（潮湿）作用 C32Z 离子迁移 C33Z 表面污染 C34Z 自愈效应 C35Z 电介质内部缺陷及介质老化或热分解 C36Z 工作电解质挥发或变稠 C37Z 电极腐蚀 C371 化学的腐蚀 C372 电解的腐蚀 C38Z 电介质腐蚀 C39Z 引线和电极接触电阻增加 QJ 1317A2005 12 C391 氧化 C392 有机物沾污 C393 接触面积过小 C4ZZ 电解液泄漏（漏液）或失效 C41Z 密封不良 C411 装配工艺问题 C412 环氧胶量小 C42Z 电解液变质 C421 性能不稳定 C422 超期 C5ZZ 引线脱焊或断裂（可以参考A7ZZ、B1ZZ等部分） C6ZZ 结构失效 CQTL 其它类型失效原因及失效机理 4.5.1.4 失效原因及失效机理（D）（主要适用于但不限用于继电器、电连接器） 失效原因及失效机理代码及含义如下： 代码 含 义 D1ZZ 装配不当 D2ZZ 触点或接触对问题 D21Z 触点或接触对污染 D211 表面附着微颗粒或油污 D212 化学吸附 D213 摩擦聚合物和摩擦粉末堆积 D214 有害气体 D22Z 触点或接触对材料弹性下降 D221 材料微裂纹 D222 氢脆 D223 疲劳破坏 D224 应力腐蚀 D225 变形 D226 磨损 D23Z 触点或接触对粘连 D231 接触电阻产生焦耳热引起熔焊 D232 放电产生焦耳热引起熔焊 D233 电腐蚀引起咬合锁紧 D234 范德瓦尔斯力（冷焊） D3ZZ 离子迁移 D4ZZ 焊接不良 D5ZZ 多余物 QJ 1317A2005 13 D6ZZ 结构缺陷 D7ZZ 腐蚀 D8ZZ 材料缺陷 D81Z 有机材料析出有害气体 D82Z 绝缘材料老化或炭化 D83Z 金属材料缺陷 D9ZZ 内部元器件失效 DQTL 其它类型失效原因及失效机理 4.5.2 误用失效失效原因及失效机理（W） 失效原因及失效机理代码及含义如下： 代码 含 义 W1ZZ 过电应力 W11Z 电浪涌 W111 交流电压突跳 W112 检测仪器异常 W113 感性负载反电动势 W114 容性负载 W115 导电多余物短路 W116 锁定效应 W117 振荡 W12Z 引入高电压或大电流 W121 负载短路 W122 检测仪器不对挡 W123 元器件插反插错 W2ZZ 电磁干扰 W21Z 核爆 W22Z 噪声 W23Z 电磁模拟 W3ZZ 过热应力 W31Z 热设计问题 W311 散热片与功率不匹配 W312 热分布不合理 W313 选用元件热特性差 W314 元件靠近热源 W32Z 试验条件不适当 W4ZZ 过机械应力 W41Z 引线损伤、断裂 W411 机械损伤 QJ 1317A2005 14 W412 过大应力 W413 疲劳断裂 W42Z 管壳损伤 W421 过扭矩 W422 散热片弯曲 W423 元件与散热片间存在多余物 W424 离心夹具不适当 W425 检漏过压 W5ZZ 静电损伤 W6ZZ 超期 W7ZZ 电装不当 W71Z 错误连接 W72Z 虚焊 W73Z 没有按照元器件使用手册要求安装 W74Z 其它违章操作 W8ZZ 参数不匹配 W9ZZ 操作失误（配电程序、调试方法等） WQTL 其它类型失效原因及失效机理 QJ 1317A2005 15 附附 录录 A (资料性附录) 主要电子元器件类型 A.1 范围 本附录规定了主要电子元器件类型的名称、分类和编码方法。 A.2 缩略语 下列缩略语适用于本标准： Bi-CMOSBipolar-CMOS，双极CMOS（电路）； CCDCharge Coupled Device，电荷耦合器件； CMOSComplementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体（器件）； CMOS/SOSCMOS/Silicon On Sapphire，在蓝宝石硅片上制作的CMOS（器件）； DTLDiode Transistor Logic，二极管晶体管逻辑（电路）； ECLEmitter Coupled Logic，发射极耦合逻辑（电路）； J-FETJunction type Field Effect Transistor，结型场效应晶体管； MNOSMetal Nitride Oxide Semiconductor，金属氮化物氧化物半导体（器件）； MOSMetal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体（器件）； NMOSN channel MOS，N沟道金属氧化物半导体（器件）； PALProgrammable Array Logic，可编程阵列逻辑（电路）； PLAProgrammable Logic Array，可编程逻辑阵列（电路）； PMOSP channel MOS，P沟道金属氧化物半导体（器件）； TTLTransistor Transistor Logic，晶体管晶体管逻辑（电路）。 A.3 分类方法及编码方式 电子元器件按3个层次进行分类和编码。结构见下图。 结构示意： * * * 层次： 1 (顶层) 2 3 代码位数： 2 3 3 含义： 顶层类型 顶层下细化层次类型 工艺类型 章节： A.4.1 A.4.2 A.4.3 A.4 电子元器件分类 A.4.1 电子元器件顶层类型 代码 电子元器件顶层类型 01 微电子 02 半导体分立器件 03 电子管 QJ 1317A2005 16 04 电阻器 05 电位器 06 电容器 07 感性元件 08 继电器 09 开关 10 连接器 11 旋转电机 12 印制板和焊接点 13 磁性器件 14 石英谐振器 15 滤波器 16 电池 17 灯 QT 其它类型元器件 A.4.2 电子元器件第2层次（细化层次）类型 A.4.2.1 微电子 代码 微电子类型 1XX 半导体单片集成电路 111 单片数字电路 （不含PLA、 PAL） 112 单片数字PLA电路 113 单片数字PAL电路 121 单片模拟电路 131 单片数字模拟电路 141 单片微处理器 151 单片CCD 1QT 其它类型半导体单片集成电路 2XX 混合集成电路 211 数字式混合集成电路 221 模拟式混合集成电路 231 模拟数字式混合集成电路 2QT 其它类型混合集成电路 3XX 声表面波器件 A.4.2.2 半导体分立器件 代码 半导体分立器件类型 1XX 晶体管 111 双极型普通晶体管 112 双极大功率微波晶体管 QJ 1317A2005 17 121 场效应晶体管 131 单结晶体管 141 闸流晶体管 1QT 其它类型晶体管 2XX 二极管 211 普通二极管 221 电压调整二极管 222 电压基准二极管 223 电流调整二极管 231 微波检波二极管 232 微波混频二极管 241 变容二极管 242 阶跃二极管 243 隧道二极管 244 体效应二极管 245 PIN二极管 246 崩越二极管 2QT 其它类型二极管 3XX 光电器件 311 发光二极管 312 光敏二极管 321 光敏三极管 331 简单式光电耦合器 332 复合式光电耦合器 341 1位数码管 342 2位数码管 343 3位数码管 34X X位数码管 3QT 其它类型光电器件 A.4.2.3 电子管（略） A.4.2.4 电阻器 代码 电阻器类型 1XX 合成电阻器 2XX 金属膜电阻器 3XX 碳膜电阻器 4XX 功率非线绕电阻器 5XX 电阻网络 6XX 精密线绕电阻器 QJ 1317A2005 18 7XX 功率线绕电阻器 8XX 热敏电阻器 9XX 压敏电阻器 QTL 其它类型电阻器 A.4.2.5 电位器 代码 电位器类型 1XX 普通线绕电位器 2XX 精密线绕电位器 3XX 微调线绕电位器 4XX 功率线绕电位器 411 功率线绕密封电位器 412 功率线绕非密封电位器 5XX 有机实芯电位器 511 有机实芯密封电位器 512 有机实芯非密封电位器 6XX 合成碳膜电位器 611 合成碳膜密封电位器 612 合成碳膜非密封电位器 7XX 玻璃釉电位器 711 玻璃釉普通型电位器 712 玻璃釉微调型电位器 QTL 其它类型电位器 A.4.2.6 电容器 代码 电容器类型 1XX 纸和薄膜电容器 111 纸介电容器 112 金属化纸介电容器 113 涤纶电容器 114 聚丙烯电容器 115 纸膜复合介质电容器 116 聚苯乙烯电容器 117 聚四乙烯电容器 2XX 玻璃釉电容器 3XX 云母电容器 4XX 2类瓷介电容器 5XX 1类瓷介电容器 6XX 固体钽电解电容器 7XX 非固体钽电解电容器 QJ 1317A2005 19 8XX 铝电解电容器 QTL 其它类型电容器 A.4.2.7