PCB线路板影像转移制程详解 (IO-LAYER)

,PCB技術交流之,影像轉移製程(I/O-LAYER),Luck大綱,1.前處理(PRELIMINARYTREATMENT)介紹及相關製程能力檢測2.壓膜(LAMINATION)介紹及相關製程能力檢測3.塗布(COATING)介紹及相關製程能力檢測3.曝光(EXPOSURE)介紹及相關製程能力檢測4.顯影(DEVELOPIG)介紹及相關製程能力檢測5.蝕刻/去膜(ETCHING/STRIPPING)介紹及相關製程能力檢測6.印刷(Printing)介紹及相關製程能力檢測7.預烤(Precure)介紹及相關製程能力檢測8.後烘烤(Postcure)介紹及相關製程能力檢測,一.前處理(PRELIMINARYTREATMENT),1.目的:去除銅面上的污染物，增加銅面粗糙度,以利於後續的壓膜制程,2.基本流程:,酸洗,磨刷+微蝕,磨刷+超粗化,磨刷+噴砂,水洗烘幹,3.不同的前處理方式:,未經前處理的銅面,刷磨(如刷痕過深,不利於極細線路製作),刷磨+Pumice(表面均勻性與清潔度佳),Pumice(機械力較弱,表面粗糙度可能不足),Micro-etching(表面均勻性可能無法確保),4.製程能力檢測:,4.製程能力檢測:,4.1水破測試(WaterBreak):標准:破水時間=15S測試目的:板面潔淨度測試方法:取測試板三片，經過前處理後，用鐵絲勾取方式將板子取出(或雙手持板邊,不可造成板邊氧化)，再將整片板子浸泡於水中一分鐘，一分鐘後取出(板子與水平面成垂直方向)，開始計時，當水膜破裂距離板邊約2Cm後，停止計時，此段時間為破水時間。,水膜,4.製程能力檢測:,4.製程能力檢測:,4.2幹燥度測試(Cleaning以1/1OZ的線速走蝕刻。按之前相對應的點再量測一下銅厚，并做好記錄（Y1-YN）;將數據相減，取出最大值Max,最小值Min.及所有值的平均值。均勻性U=1-(Max-Min)/2*100%,3.4蝕刻因子測試(Etchfactor):標准:E.F3測試目的:測試蝕刻藥水咬蝕能力.測試方法:設計4/4或5/5MIL線路,依正常流程生産至蝕刻,完成蝕刻後做切片,量測線路上下線寬,厚度,并量測底片設計之線寬計算蝕刻因子每片做5個點,上噴下噴都需量測E.F=2D/(下線寬B-上線寬A)蝕刻因子越大，側蝕就越小。蝕刻的能力就越強。若有未達標,則進行分析(可能原因:噴嘴,噴壓,角度,藥液等)和調整,附:EtchingFactor與蝕刻補償(計算各MIL線路補償值)蝕刻補償與E.F是相互關聯的。E.F越小，補償越大。例1:A線蝕刻EF=3.0B線蝕刻EF=2.0量產板銅厚為1/1OZ=1.4mil解:由EF=2D/（B-A）可知：3.0=2*1.4/（B-A）-12.0=2*1.4/（B-A）-2可得：1式（B-A）=0.92式（B-A）=1.2例2:A線B線蝕刻EF=3.0，其中A線走板銅厚為1/1OZ=1.4mil,B線走板銅厚為2/2OZ=2.8mil.解:由EF=2D/（B-A）可知：3.0=2*1.4/（B-A）-13.0=2*2.8/（B-A）-2可得：1式（B-A）=0.92式（B-A）=1.8蝕刻補償與銅厚是相互關聯的。銅厚越厚，補償越多。,3.5蝕刻定噴測試:標准:噴嘴排列整齊,無噴嘴堵塞測試目的:檢測噴嘴測試方法:詳見附件,線寬線距的量測:蝕刻後,量測線路寬度,以下限為准量測C面,先獨立線路,後密集線路量測S面,先獨立線路,後密集線路,蝕刻速度理論計算公式:V=L/(H/E.R)*E.PL:蝕刻有效長度H:銅厚E.R:蝕刻速率E.P:蝕刻點例:V=3/(1.4/1.8)*60%=2.6m/min,蝕刻水池效應:因生產過程中上板面存在水池效應，故線路面應朝下走板，內層銅厚不同的情況時，投板時銅厚厚的應朝下。蝕刻段如果機台的构造有后蝕刻的，可打開后蝕刻來修補之前的不足。,上板面藥水置换太慢,形成水池,蝕刻能力下降,Strlpping去膜,3.製程能力檢測去膜點測試(Breakpoint):標准:3050%測試目的:測試去膜速度測試方法:同顯影點測試註：油墨的不同特性決定其退膜的濃度和退膜的速度。,去膜點點=AC/AB,液鹼配槽算朮方法：可知:配制槽體:V液鹼濃度為30%NaOH=3.0%設:配制成3.0%濃度需要添加的液鹼30%体積為X(L);公式：（X*30%）/V*100%=3.0%1）當去膜槽濃度高時：max=5.0%方法：往槽液里面加水，設添加水的體積為V水;V槽液/（V槽液+