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文档简介

.,1,第五次作业,1、对于Et位于禁带上半部的情形，对于强n，强p，弱n，弱p型半导体，讨论间接复合起决定作用的半导体的少子寿命，定性画出能带图。解：(1)强n型:n0n1p1p0(2)强p型:p0n1p1n0,.,2,第五次作业,(3)弱n型:n1n0p0p1(4)弱p型:n1p0n0p1,.,3,第五次作业,2、用n型Ge作为Haynes-Schokley迁移率实验中的被测样品，实验装置如图所示。样品长1cm.探针1和探针2之间的距离为0.95cm，E0=2V,脉冲在探针1处注入后经过0.25ms到达探针2，脉冲宽度t=117s(是在峰值位置的1/e处测得)，试计算空穴的迁移率和扩散系数，并由计算结果核对爱因斯坦关系式。解：由题意：当时，,.,4,第五次作业,又验证爱因斯坦关系：300k时,.,5,第五次作业,3、均匀掺杂n-Si样品，在其两面同时受均匀光照(见图）。选择光的强度和波长，使其不能穿透到半导体内部。稳态时，在x=0和x=W处都产生过剩载流子And,A=10-3，T=300K,Ndni（1）在半导体内部满足小注入条件吗？请解释；（2）求稳态时空穴浓度分布。解：（1）小注入条件：nn0，pni。解：直接复合下：（1）净产生（2）净产生（3）净复合间接复合下：近似认为rnrpr，则：也只考虑npni2的符号，与直接复合相同：（1）净产生；（2）净产生；（3）净复合,.,10,第六次作业,1、一硅突变p-n结，n区的n=5cm，p=1us；p区的n=0.1cm，n=5us，计算室温下空穴电流与电子电流之比、饱和电流密度，以及在正向电压0.3V时流过p-n结的电流密度。解：n型p型电阻率：查图415得掺杂浓度：可求得少子浓度：由求得多子迁移率：查图414得少子迁移率：由爱因斯坦关系求得：由求得：,.,11,第六次作业,空穴电流与电子电流之比：饱和电流密度：电流密度：,.,12,第六次作业,2、条件与上题相同，计算下列电压下的势垒区宽度和单位面积上的电容：(1)-10V;(2)0V;(3)0.3V。解：对于P+-N结，(1)-10V时，(2)0V时，,.,13,第六次作业,(2)0.3V时，,.,14,第六次作业,3、已知电荷分布(x)为：(1)(x)=0;(2)(x)=c;(3)(x)=qax(0xd),分别求电场强度|E(x)|和电位V(x),并作图。解：(1)(x)=0由边界条件：得到：对积分，得到，显然,.,15,第六次作业,(2)(x)=c，假定在-dx0的区域内存在(x)=-c的区域，由边界条件可知由泊松方程：积分得：,.,16,第六次作业,由边界条件：得到：同理：由边界条件：得到：,.,17,第六次作业,(3)(x)=qax(0xd)，假定在-dx0的区域内存在(x)=-qax的区域，由边界条件可知由泊松方程：积分得
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