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第9章多种薄膜晶体管,长春工业大学王丽娟2013年02月10日,平板显示技术基础，2013年，北京大学出版社,2,本章主要内容,9.1多晶硅薄膜晶体管9.2氧化物薄膜晶体管9.4有机薄膜晶体管9.3化合物薄膜晶体管,3,9.1多晶硅薄膜晶体管,挑战1）存在小尺寸效应2）关态电流大3）低温大面积制作困难4）设计和研发成本高,特点1）高迁移率2）容易p型和n型掺杂3）自对准结构4）抗光干扰能力强5）抗电磁干扰能力强,4,a-Si:HTFT手机驱动模块,行驱动IC,列驱动IC,9.1多晶硅薄膜晶体管,需要独立的驱动IC,5,9.1多晶硅薄膜晶体管,LTPSTFT手机驱动模块,行驱动IC,列驱动IC,周边驱动与显示区域集成一体化,6,9.1多晶硅薄膜晶体管,像素结构,7,9.1多晶硅薄膜晶体管,叠层存储电容结构,金属M1为栅极金属，M2为源漏电极，M3为第三层金属；金属层M3有两种作用：1）充当薄膜晶体管的的遮光层，相当于彩膜基板上的黑矩阵，彩膜基板不用再制作黑矩阵，节省了材料及成本；2）作为存储电容的一个电极，与公共信号线相连。,8,9.1多晶硅薄膜晶体管,叠层存储电容结构,存储电容由两个并联的存储电容相叠构成；存储电容Cs1：为源漏金属M2和金属层M3，中间夹着的SiNx介质层构成；存储电容Cs2：由金属层M3和像素电极ITO，中间夹着的第三介质层构成。液晶像素电容Clc：由阵列基板的像素电极ITO和彩膜基板上共用电极，中间夹着液晶材料构成。,9,9.2氧化物薄膜晶体管,三星的透明氧化锌TFT的AMOLED,1.磁控溅射法2.脉冲激光沉积技术3.分子束外延技术4.溶胶-凝胶法,10,9.3化合物薄膜晶体管,氨水为0.1mol/L和0.7mol/L时CdS薄膜的SEM,1935年P.K.Weimer的第一个薄膜晶体管为采用硫化镉（CdS）的化合物薄膜晶体管。另外，还有CdSe等半导体材料的化合物薄膜晶体管。,11,9.4有机薄膜晶体管,12,9.4有机薄膜晶体管,13,真空蒸镀,溶液旋涂,有机薄膜的制备方法,14,微接触印刷术,有机薄膜的制备方法,15,（a）酞菁锌(ZnPc)，（b）联六苯(p-6P),薄膜形貌对迁移率的影响,16,本章小结,（1）多晶硅薄膜晶体管低温多晶硅的工艺要比非晶硅工艺复杂，有8次光刻、9次光刻和5次光刻的工艺流程等。（2）氧化物薄膜晶体管主要有氧化锌（ZnO）、铟镓锌氧（InGaZnO）、铟锌氧（InZnO）、铟锡氧（InSnO）等。（3）化合物薄膜晶体管主要有CdSeTFT和CdSTF
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