价层电子对互斥理论

价层电子对互斥理论价层电子对互斥理论（英文：Valence Shell Electron Pair Repulsion (VSEPR)），是一个用来预测单个共价分子形态的化学模型。理论通过计算中心原子的价层电子数和配位数来预测分子的几何构型，并构建一个合理的路易斯结构式来表示分子中所有键和孤对电子的位置。编辑 理论基础价层电子对互斥理论的基础是，分子或离子的几何构型主要决定于与中心原子相关的电子对之间的排斥作用。该电子对既可以是成键的，也可以是没有成键的（叫做孤对电子）。只有中心原子的价层电子才能够对分子的形状产生有意义的影响。分子中电子对间的排斥的三种情况为： 孤对电子间的排斥（孤-孤排斥）； 孤对电子和成键电子对之间的排斥（孤-成排斥）； 成键电子对之间的排斥（成-成排斥）。 分子会尽力避免这些排斥来保持稳定。当排斥不能避免时，整个分子倾向于形成排斥最弱的结构（与理想形状有最小差异的方式）。孤对电子间的排斥被认为大于孤对电子和成键电子对之间的排斥，后者又大于成键电子对之间的排斥。因此，分子更倾向于最弱的成-成排斥。配体较多的分子中，电子对间甚至无法保持90的夹角，因此它们的电子对更倾向于分布在多个平面上。实际预测下面是价层电子对互斥理论预测的分子形状表。电子对数杂化类型（混层类型）轨道形状单电子对数（孤电子对）分子形状例2sp直线型0直线型BeCl2、二氧化碳3sp2平面正三角形0平面正三角形三氯化硼1V字型（角型、弯曲型）二氧化硫4sp3正四面体0正四面体甲烷1三角锥氨2V字型（角型、弯曲型）水5sp3d三角双锥0三角双锥五氯化磷1变形四面体（跷跷板型）TeCl42T字型ClF33直线型I36sp3d2正八面体0正八面体六氟化硫1四方锥IF52平面十字型ICl43T字型4直线型7sp3d3五角双锥0五角双锥IF71五角锥电子对数没有孤电子对（基本形状）1个孤电子对2个孤电子对3个孤电子对2直线型3平面三角形型角型4四面体型三角锥型角型5三角双锥型变形四面体型T字型直线型6八面体型四角锥型平面四方形型7五角双锥型五角锥型8四方反棱柱型分子类型分子形状中心原子价电子对的排布方式分子的几何构型实例AX1En双原子分子（直线型）HF、O2AX2E0直线型BeCl2、HgCl2、CO2AX2E1角型NO2、SO2、O3AX2E2角型H2O、OF2AX2E3直线型XeF2、I3AX3E0平面三角形型BF3、CO32、NO3、SO3AX3E1三角锥型NH3、PCl3AX3E2T字型ClF3、BrF3AX4E0四面体型CH4、PO43、SO42、ClO4AX4E1变形四面体型SF4AX4E2平面四方形型XeF4AX5E0三角双锥型PCl5AX5E1四角锥型ClF5、BrF5AX6E0八面体型SF6AX6E1五角锥型XeOF5、IOF52 1AX7E0五角双锥型IF7AX8E0四方反棱柱型XeF28 孤电子对以淡黄色球体表示。 分子的实际几何构型，即不包含孤对电子的构型。价层电子对互斥理论常用AXE方法计算分子构型。这种方法也叫ABE，其中A代表中心原子，X或B代表配位原子，E代表孤电子对。范例甲烷分子(CH4)是四面体结构，是一个典型的AX4型分子。中心碳原子周围有四个电子对，四个氢原子位于四面体的顶点，键角(H-C-H)为10928。一个分子的形状不但受配位原子影响，也受孤对电子影响。氨分子(NH3)中心原子杂化类型与甲烷相同（sp3），分子中有四个电子云密集区，电子云分布依然呈四面体。其中三个是成键电子对，另外一个是孤对电子。虽然它没有成键，但是它的排斥力影响着整个分子的形状。因此，这是一个AX3E型分子，整个分子的形状是三角锥形，因为孤对电子是不可“见”的。事实上，电子对数为七是有可能的，轨道形状是五角双锥。但是它们仅存在于不常见的化合物之中，比如在六氟化氙中，有一对孤电子，它的构型趋向于八面体结构，因为孤对电子倾向于位于五角形的平面上。另一个例子为七氟化碘，碘没有孤电子，七个氟原子呈五角双锥状排列。电子对数为八也是有可能的，这些化合物一般为四方反棱柱体结构，2 例子有八氟合氙酸亚硝酰中的 XeF82 离子34 以及八氰合钼()阴离子 Mo(CN)84 和八氟合锆()阴离子 ZrF84。例外在一些化合物中VSEPR理论不能正确的预测分子空间构型。过渡金属化合物许多过渡金属化合物的几何构型不能用VSEPR理论解释，可以归结于价层电子中没有孤对电子以及核心的d电子与配体的相互作用。5 这些化合物的结构可以用VALBOND理论预测，包括金属氢化物和烷基配合物（例如六甲基钨），这个理论的基础是sd 杂化轨道和三中心四电子键模型。67 晶体场理论是另一个经常可以解释配合物几何构型的理论。IIA族卤化物较重碱土金属的三原子卤化物的气相结构(例如：钙、锶、钡的卤化物，MX2)并不像预测的那样为直线型，而是V形。(X-M-X的大致键角: CaF2，145；SrF2，120；BaF2，108；SrCl2，130；BaCl2，115；BaBr2，115；BaI2，105).8 格莱斯皮(Ronald Gillespie)提出这是因为配体与金属原子的内层电子发生相互作用，极化使得内层电子云不是完全球面对称，因此导致了分子构型的变化。59 一些AX2E2型分子一个例子是氧化锂分子，即Li2O，它的中间构型是直线型而不是弯曲的，这一点可以归结于如果构型是弯曲的，锂原子之间将产生强烈的排斥作用。10另一个例子是O(SiH3)2（二甲硅醚）的Si-O-Si键的键角为144.1，与其他分子中的键角相比差别较大，比如Cl2O (110.9)、(CH3)2O (111.7)以及N(CH3)3 (110.9)。格莱斯皮的合理解释是孤对电子的位置不同。当配体的电负性与中心原子类似或更大时，孤对电子有能力排斥其他电子对，导致键角较小。 5 当中心原子电负性较大时，就像O(SiH3)2中，孤对电子的定域不明显，排斥作用较弱，这种结合导致了强配体之间的排斥(-SiH3与上面的例子相比是一个比较大的配体)使得Si-O-Si键的键角比预想的要大。5一些形如AX6E1的分子一些AX6E1型分子，例如含有Te(IV)或Bi(III)离子的化合物如TeCl62、TeBr62、BiCl63、BiBr63和BiI63是正八面体结构；其孤对电子并不影响其构型11。 一种合理化解释是因为配体原子排列的拥挤没有给孤对电子留下空间5；另一种合理化解释是惰性电子对效