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文档简介

部分DS18B20的封装和针脚定义首先,让我们看一下芯片DS18B20的外观和针脚定义。 DS18B20芯片的典型封装是TO-92,也就是说,在一般的直插式晶体管中,您也可以找到以SO(DS18B20Z )和SOP(DS18B20U )形式封装的产品。 下面是DS18B20的各种封装图和针脚图。在了解这些芯片的封装格式后,下表列出了每个管脚的定义。 此芯片的管脚定义如下表所示上表中有“奇怪”一词“寄生电源”,但DS18B20芯片可以在“寄生电源模式”下动作,DS18B20可以在没有外部电源的状态下动作,总线为高电平时,寄生电源从单总线通过VDD端子,DS18B20可以从总线“偷取”能量必须说明“偷窃”的能量积蓄在寄生电源的积蓄电容(Cpp )中,总线为低电平时,释放能量供给装置进行动作。 因而,当DS18B20以寄生电源模式操作时,VDD端子应当接地。第2部分: DS18B20的多种电路连接方式如下面两张照片所示,外部供电模式的订单仅是DS18B20测温系统的典型电路连接图。(1)外部供电模式下的DS18B20芯片的连接图(2)外部供电模式下的DS18B20芯片的连接图另外,DS18B20芯片通过达拉斯公司的单总线协议在单线端口进行通信,在所有的设备通过三态端口或漏极开路端口与总线连接时,需要在控制线上连接较弱的上拉电阻器。 在连接了多个DS18B20的情况下,DS18B20具有世界上唯一的64位序列号。 在该总线系统中,微处理器可以利用单个微处理器在许多不同地区分布,因为每个设备专用的64位序列号识别该总线上的设备和记录总线上的设备地址,使得多个DS18B20能够同时连接到单总线关于DS18B20的电路连接,除了上述现有的外部电源供给时的电路连接图以外,DS18B20也以“寄生电源模式”动作,下图表示DS18B20以“寄生电源模式”动作的电路连接图。 没错。 现在,DS18B20可以在寄生电源模式下运行,可以实时收集多个位置的温度信息,而无需额外的电源。第三部分: DS18B20内部寄存器分析与工作原理在介绍DS18B20的封装、引脚定义和连接方式之后,需要了解DS18B20芯片的各控制器和存储器的相关知识,并且如下图所示,是DS18B20内部的主寄存器的结果框图。结合图中的内部寄存器框图,将简要描述DS18B20芯片的主要寄存器的操作流程,但是在详细描述DS18B20的操作原理之前,需要若干相关图像(1)DS18B20内部寄存器结构图(2)DS18B20主要寄存器的数据格式图(3)DS18B20通信指令图下面应该理解这些内部结构和细节,并且描述DS18B20芯片的操作原理。当DS18B20启动时,进入低功耗待机状态,并且需要执行温度测量和a/d转换时,总线控制器(通常是单片机)发出44H命令以完成温度测量和a/d转换(其他功能命令参见上述命令表),并且DS18B20将生成的温度数据以2字节表示向DS18B20芯片供给外部电源时,总线控制器在温度变换命令后开始“读插槽”(参照本帖的“DS18B20插槽图”),读出测定的温度数据,通过总线完成与单片机的数据通信(DS18B20为温度变化) 如果为DS18B20提供寄生电源,则没有返回值,除非在进入温度转换时强力拉动总线。 另外,DS18B20在一次温度变换结束后,将温度值与存储在TH (高温触发)和TL (低温触发)中各字节的用户定义警报预设值进行比较,寄存器中的s标志位(参照寄存器格式图中的 TH和TL寄存器格式图)为温度值的正负(s=s=s ) 在S=1时为负)的测定出的温度高于TH或低于TL时,警报条件成立,当在ds18b 20内警报显示位置变为1时,总线控制器发出警报检索命令ECH,检测总线上的ds18b 20的全部警报显示,并对警报显示位置的ds18b 20进行响应。第四部分:单片机对DS18B20的编程关于DS18B20的编程,由于总线控制器通过相关指令操作设备或者设备内的对应寄存器,从而能够理解设备也完成总线控制器的数据通信,因此为了基本上处理DS18B20的通信编程,其芯片接着,参照上图对DS18B20的内部存储器结构进行说明。在DS18B20的每个堆栈中有用于存储相应数据的8比特存储空间,其中比特0和比特1分别是温度数据的低有效比特和高有效比特,用于存储所测量的温度值,两个字节都是只读字节,其中比特2和比特3分别是TH和TL警报的高有效比特和低有效比特可以从片内的电可擦除可编程romEEPROM读出,也可以通过来自总线控制器的48H命令将寄存器中的TH、TL的值写入EEPROM,停电后EEPROM中的数据不会丢失byte4的配置用于设定温度变换的精度(最大12位精度)的byte5、6、7是保留位,禁止写入的byte8也是只读存储器,存储上述8字节的CRC校验代码。参考上述的DS18B20通信命令图,对于DS18B20芯片内的主要寄存器的数据格式和所需的个别识别位的说明,只要能够正确地控制寄存器数据,就可以容易地编程、而对于来自总线控制器的控制命令, ds18b 20的命令包含进行ROM操作的ROM命令和功能命令,功能命令需要知道能够控制ds18b 20的温度变换、寄存器的操作等功能动作。 如果总线控制器检测到脉冲的存在,则发出ROM命令,当在总线上安装有多个DS18B20时,利用设备特定的64位ROM芯片序列代码来选择特定的操作对象设备,同样,哪些设备对应于报警条件等发出总线控制器连接的DS18B20的ROM指令后,可发送功能指令,完成相关动作。 即,总线控制器在开始DS18B20的功能指令之前,必须首先发出ROM指令。 了解这些功能指令的功能和使用方法,便于编程DS18B20! 第5部分: DS18B20芯片的2点使用体会(1)对th (高温触发寄存器)和TL (低温触发寄存器)的操作体会对于DS18B20的TH (高温触发寄存器)和TL (低温触发寄存器),能够找到的代码数据较少,但在某测温系统中需要使用TH和TL寄存器的情况下,实际上无需感觉到无法到达。 参照本帖 DS18B20寄存器结构,总线控制器的读出动作从位0到位8读出结束,逐渐降低数据,且TH和TL寄存器的内部结构和数据格式与芯片内的其他寄存器相同,当然, 由于对TH和TL寄存器的读写和对其他芯片内寄存器的读写也相同,因此在实用上,当DS18B20的初始化完成时,首先通过来自总线控制器的“b8h”命令将EEPROM中保存的数据回调到寄存器的TH和TL,然后, 通过总线控制器发行的“读时隙”读取设备堆栈数据,如果能够及时获取每个读取的8bit的数据,则能够通过总线控制器简单地读取TH和TL寄存器数据的基于总线控制器的设备若掌握了其他寄存器的动作程序,则能够容易地读写TH和TL这2个警报值寄存器。 同时,可以通过48H命令将TH和TL寄存器数据复制到EEPROM并保存。(DS18B20通信时隙的掌握体会在用ds18b 20芯片构成的温度检测系统中,采用达拉斯公司独自的单总线数据通信方式,允许在一条总线上安装多个ds18b 20,在操作和控制ds18b 20时来自总线控制器的时隙信号特别重要。 如下图所示,关于DS18B20芯片的电源接通初始化时隙、总线控制器从DS18B20读取数据时隙、总线控制器向DS18B20写入数据时隙的图像,在系统编程时必须严格地参照时隙图的时间数据而且,必须注意单

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