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文档简介

课后问答2,1,填空题,根据半导体的能带理论，能够被电子占据的能带为_、_，不能被电子占据的状态为_。通常，在半导体材料中掺杂其他原子。如果在半导体材料中掺杂负电荷的载体以产生大量的电子，这种半导体称为_型半导体；掺杂的是正电荷的载体以产生大量的空穴，则称为_型半导体。对半导体激光器，当代价正向电流达到某一值时，输出光功率将急剧增加，这时输出的光为_，这个电流称为_电流。,2,填空题答案,价带，导带，禁带N,P激光，阈值,3,问答题和计算题,画出半导体激光器光输出功率P与注入电流I的关系曲线，即P-I曲线。半导体激光器的温度变化对阈值电流有什么影响。某F-P型半导体激光器的F-P谐振腔长度为0.3mm，材料的折射率n=3.0,两端解理面的反射系数均为0.35.求因非全反射导致的等效损耗系数求相邻纵模间的频率间隔和波长间隔如果此激光器中心波长为1310nm，与此相应的纵模序数,4,有一个GaAlAs半导体激光器，其谐振腔长为500um，腔内的有效吸收系数为10cm-1.两端的非涂覆解理面的反射率为0.32.求在受激辐射阈值条件下得光增益。若在激光器的一端涂覆一层电解质反射材料，使其折射率变为90%，试求在受激辐射阈值条件下得光增益。若它的内量子效率为0.65，试求（1）和（2）中的外量子效率。,5,问答题答案,6,半导体激光器的温度变化对阈值电流有什么影响。,由曲线看出，温度对激光器阈值电流影响很大，阈值电流随温度升高而加大。所以为使光纤通信系统稳定可靠地工作，一般都要采用自动温度控制电路,7,某F-P型半导体激光器的F-P谐振腔长度为0.3mm，材料的折射率n=3.0,两端解理面的反射系数均为0.35.,求因非全反射导致的等效损耗系数求相邻纵模间的频率间隔和波长间隔激光中心波长为1310nm，与此相应的纵模序
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