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文档简介

图6.12是一个简单的44位MOS管ROM,采用单译码结构,两位地址线A1、A0译码后可有四种状态,输出4条选择线,分别选中4个单元,每个单元有4位输出。在此矩阵中,行和列的交点处有的连有管子,表示存储“0”信息;有的没有管子,表示存储“1”信息。若地址线A1A000,则选中0号单元,即字线0为高电平,若有管子与其相连(如位线2和0),其相应的MOS管导通,位线输出为0,而位线1和3没有管子与字线相连,则输出为1。因此,单元0输出为1010。对于图中矩阵,各单元内容如表6.1所示。,图6.12掩膜式ROM示意图,表6.1掩膜式ROM的内容,6.3.2可编程只读存储器(PROM)可编程只读存储器出厂时各单元内容全为0,用户可用专门的PROM写入器将信息写入,这种写入是破坏性的,即某个存储位一旦写入1,就不能再变为0,因此对这种存储器只能进行一次编程。根据写入原理PROM可分为两类:结破坏型和熔丝型。图6.13是熔丝型PROM的一个存储元示意图。,图6.13PROM存储电路示意图,基本存储电路由1个三极管和1根熔丝组成,可存储一位信息。出厂时,每一根熔丝都与位线相连,存储的都是“0”信息。如果用户在使用前根据程序的需要,利用编程写入器对选中的基本存储电路通以2050mA的电流,将熔丝烧断,则该存储元将存储信息“1”。由于熔丝烧断后无法再接通,因而PROM只能一次编程。编程后不能再修改。,写入时,按给定地址译码后,选通字线,根据要写入信息的不同,在位线上加不同的电位,若Di位要写“0”,则对应位线Di悬空(或接较大电阻)而使流经被选中基本存储电路的电流很小,不足以烧断熔丝,该位仍保持“0”状态;若要写“1”,则位线Di加负电位(2V),瞬间通过被选基本存储电路的电流很大,致使熔丝烧断,即改写为“1”。在正常只读状态工作时,加到字线上的是比较低的脉冲电位,但足以开通存储元中的晶体管。这样,被选中单元的信息就一并读出了。是“0”,则对应位线有电流;是“1”,则对应位线无电流。在只读状态,工作电流将很小,不会造成熔丝烧断,即不会破坏原存信息。,6.3.3可擦除、可再编程的只读存储器PROM虽然可供用户进行一次编程,但仍有局限性。为了便于研究工作,实验各种ROM程序方案,可擦除、可再编程ROM在实际中得到了广泛应用。这种存储器利用编程器写入信息,此后便可作为只读存储器来使用。目前,根据擦除芯片内已有信息的方法不同,可擦除、可再编程ROM可分为两种类型:紫外线擦除PROM(简称EPROM)和电擦除PROM(简称EEPROM或E2PROM)。,1EPROM和E2PROM简介初期的EPROM元件用的是浮栅雪崩注入MOS,记为FAMOS。它的集成度低,用户使用不方便,速度慢,因此很快被性能和结构更好的叠栅注入MOS即SIMOS取代。SIMOS管结构如图6.14(a)所示。它属于NMOS,与普通NMOS不同的是有两个栅极,一个是控制栅CG,另一个是浮栅FG。FG在CG的下面,被SiO2所包围,与四周绝缘。单个SIMOS管构成一个EPROM存储元件,如图6.14(b)所示。,与CG连接的线W称为字线,读出和编程时作选址用。漏极与位线D相连接,读出或编程时输出、输入信息。源极接VSS(接地)。当FG上没有电子驻留时,CG开启电压为正常值Vcc,若W线上加高电平,源、漏间也加高电平,SIMOS形成沟道并导通,称此状态为“1”。当FG上有电子驻留,CG开启电压升高超过Vcc,这时若W线加高电平,源、漏间仍加高电平,SIMOS不导通,称此状态为“0”。人们就是利用SIMOS管FG上有无电子驻留来存储信息的。因FG上电子被绝缘材料包围,不获得足够能量很难跑掉,所以可以长期保存信息,即使断电也不丢失。,图6.14SIMOS型EPROM(a)SIMOS管结构;(b)SIMOSEPROM元件电路,SIMOSEPROM芯片出厂时FG上是没有电子的,即都是“1”信息。对它编程,就是在CG和漏极都加高电压,向某些元件的FG注入一定数量的电子,把它们写为“0”。EPROM封装方法与一般集成电路不同,需要有一个能通过紫外线的石英窗口。擦除时,将芯片放入擦除器的小盒中,用紫外灯照射约20分钟,若读出各单元内容均为FFH,说明原信息已被全部擦除,恢复到出厂状态。写好信息的EPROM为了防止因光线长期照射而引起的信息破坏,常用遮光胶纸贴于石英窗口上。,EPROM的擦除是对整个芯片进行的,不能只擦除个别单元或个别位,擦除时间较长,且擦写均需离线操作,使用起来不方便,因此,能够在线擦写的E2PROM芯片近年来得到广泛应用。,E2PROM是一种采用金属氮氧化硅(MNOS)工艺生产的可擦除可再编程的只读存储器。擦除时只需加高压对指定单元产生电流,形成“电子隧道”,将该单元信息擦除,其他未通电流的单元内容保持不变。E2PROM具有对单个存储单元在线擦除与编程的能力,而且芯片封装简单,对硬件线路没有特殊要求,操作简便,信息存储时间长,因此,E2PROM给需要经常修改程序和参数的应用领域带来了极大的方便。但与EPROM相比,E2PROM具有集成度低、存取速度较慢、完成程序在线改写需要较复杂的设备等缺点。,2Intel2716EPROM芯片EPROM芯片有多种型号,常用的有2716(2K8)、2732(4K8)、2764(8K8)、27128(16K8)、27256(32K8)等。1)2716的内部结构和外部引脚2716EPROM芯片采用NMOS工艺制造,双列直插式24引脚封装。其引脚、逻辑符号及内部结构如图6.15所示。A0A10:11条地址输入线。其中7条用于行译码,4条用于列译码。O0O7:8位数据线。编程写入时是输入线,正常读出时是输出线。,图6.15Intel2716的引脚、逻辑符号及内部结构(a)引脚;(b)逻辑符号;(c)内部结构,2)2716的工作方式,表6.22716的工作方式,(1)读出方式:当CS0时,此方式可以将选中存储单元的内容读出。(2)未选中:当CSl时,不论PD/PGM的状态如何,2716均未被选中,数据线呈高阻态。(3)待机(备用)方式:当PD/PGM1时,2716处于待机方式。这种方式和未选中方式类似,但其功耗由525mW下降到132mW,下降了75%,所以又称为功率下降方式。这时数据线呈高

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