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第十一章核磁共振波谱分析第二节 核磁共振与化学位移nuclear magnetic resonance and chemical shift一、核磁共振与化学位移nuclear magnetic resonance and chemical shift1.屏蔽作用与化学位移 理想化的、裸露的氢核;满足共振条件: n0 = g H0 / (2p ) 产生单一的吸收峰; 实际上,氢核受周围不断运动着的电子影响。在外磁场作用下,运动着的电子产生相对于外磁场方向的感应磁场,起到屏蔽作用,使氢核实际受到的外磁场作用减小: H=(1- s )H0 s:屏蔽常数。 s 越大,屏蔽效应越大。 n0 = g / (2p ) (1- s )H0 屏蔽的存在,共振需更强的外磁场(相对于裸露的氢核)。化学位移:chemical shiftn0 = g / (2p ) (1- s )H0 由于屏蔽作用的存在,氢核产生共振需要更大的外磁场强度(相对于裸露的氢核),来抵消屏蔽影响。在有机化合物中,各种氢核 周围的电子云密度不同(结构中不同位置)共振频率有差异,即引起共振吸收峰的位移,这种现象称为化学位移。2. 化学位移的表示方法(1)位移的标准没有完全裸露的氢核,没有绝对的标准。相对标准:四甲基硅烷Si(CH3)4 (TMS)(内标) 位移常数 dTMS=0(2) 为什么用TMS作为基准? a. 12个氢处于完全相同的化学环境,只产生一个尖峰; b.屏蔽强烈,位移最大。与有机化合物中的质子峰不重迭; c.化学惰性;易溶于有机溶剂;沸点低,易回收。位移的表示方法 与裸露的氢核相比,TMS的化学位移最大,但规定 dTMS=0,其他种类氢核的位移为负值,负号不加。d小,屏蔽强,共振需要的磁场强度大,在高场出现,图右侧;d大,屏蔽弱,共振需要的磁场强度小,在低场出现,图左侧;d = (n样 - nTMS) / nTMS 106 (ppm)二、影响化学位移的因素factors influenced chemical shift1电负性-去屏蔽效应 与质子相连元素的电负性越强,吸电子作用越强,价电子偏离质子,屏蔽作用减弱,信号峰在低场出现。 -CH3 , d =1.62.0,高场;-CH2I, d =3.0 3.5,-O-H, -C-H,d 大 d 小低场 高场电负性对化学位移的影响碳杂化轨道电负性:SPSP2SP3影响化学位移的因素-磁各向异性效应价电子产生诱导磁场,质子位于其磁力线上,与外磁场方向一致,去屏蔽。影响化学位移的因素苯环上的6个p电子产生较强的诱导磁场,质子位于其磁力线上,与外磁场方向一致,去屏蔽。2.氢键效应形成氢键后1H核屏蔽作用减少,氢键属于去屏蔽效应。3.空间效应去屏蔽效应 dHa=4.68ppm dHa=3.92ppmdHb=2.40ppm dHb=3.55ppm dHc=1.10ppm dHc=0.88ppm 4.各类有机化合物的化学位移饱和烃-CH3:dCH3=0.791.10ppm-CH2:dCH2 =0.981.54ppm-CH:dCH= dCH3 +(0.5 0.6)ppmdH=3.24.0ppmdH=2.23.2ppmdH=1.8ppmdH=2.1ppmdH=23ppm烯烃 端烯质子:dH=4.85.0ppm内烯质子:dH=5.15.7ppm与烯基,芳基共轭:dH=47ppm芳香烃 芳烃质子:dH=6.58.0ppm供电子基团取代-OR,-NR2时:dH=6.57.0ppm吸电子基团取代-COCH3,-CN,-NO2时:dH=7.28.0ppm各类有机化合物的化学位移-COOH:dH=1013ppm-OH:(醇)dH=1.06.0ppm (酚)dH=412ppm-
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