Flyback(反激变换器)简介

FlybackFlyback反激变换器反激变换器原理与设计简介原理与设计简介反激变换器反激变换器原理与设计简介原理与设计简介 Prepared by：Shuncai Lee Date：1 Jun ,2011 大大 纲纲 ? ?一、反激变换器基本工作原理一、反激变换器基本工作原理 ? ?二、反激变换器的特点及其分类二、反激变换器的特点及其分类 特点特点- - 分类分类- -典型电路典型电路 ?三、反激变换器的变压器设计及其结构反激变换器的变压器设计及其结构三、反激变换器的变压器设计及其结构反激变换器的变压器设计及其结构 ? ?四、四、 电路设计及电路设计及元器件选择四、四、 电路设计及电路设计及元器件选择 DCM-CCM 及及CrCM 输入回路（输入回路（输入回路（输入回路（EMIEMI滤波，整流，滤波等）滤波，整流，滤波等）滤波，整流，滤波等）滤波，整流，滤波等） 功率开关管的设计、驱动与选择功率开关管的设计、驱动与选择功率开关管的设计、驱动与选择功率开关管的设计、驱动与选择 初级漏感吸收网络设计初级漏感吸收网络设计初级漏感吸收网络设计初级漏感吸收网络设计 ? ?五、反激变换器控制芯片及反馈控制环路设计五、反激变换器控制芯片及反馈控制环路设计 初级漏感吸收网络设计初级漏感吸收网络设计初级漏感吸收网络设计初级漏感吸收网络设计 输出回路（整流，滤波）输出回路（整流，滤波）输出回路（整流，滤波）输出回路（整流，滤波） 反激变换器控制片及反馈控制环路设计反激变换器控制片及反馈控制环路设计 控制芯片简介控制芯片简介- -峰值电流模式控制峰值电流模式控制 ? ?六、反激变换器六、反激变换器EMIEMI设计与调试的几点建议设计与调试的几点建议 Powering the Future 反激变换器基本工作原理反激变换器基本工作原理反激变换器基本工作原理反激变换器基本工作原理_ _拓扑结构拓扑结构拓扑结构拓扑结构 ?基本拓扑结构：基本拓扑结构： 反激变换器就是隔离的反激变换器就是隔离的Buck-boost 电路电路，两者两者稳态电压增益方程相似电压增益方程相似 RL C + S D Ui + 电路电路两者两者稳态电压增益方程相似电压增益方程相似 + 图 1.1 Buck-boost 电路 Uo L Buck-boost Flyback R L C + Ui NN+ 2L2L 1 1D1D1 则：当临界或连续模式 M Uo Ui M Uo Ui D1 D2 D1 D2 = M Uo Ui M Uo Ui D1 D2 D1 D2 1 n 1 n = Uo + S D 图 1.2 变形的Buck-boost 电路 RTsRTs 1 1D1D1 则 M Uo Ui M Uo Ui D1 1D1 D1 1D1 = M Uo Ui M Uo Ui D1 1D1 D1 1D1 1 n 1 n = + Ui Np R C + Ns 2L RTs 2L RTs D2D2 2L RTs 2L RTs 1D11D1当非连续模式 则：那么： M Uo M Uo UiUi D1D1 2 2L L = M Uo M Uo UiUi D1D1 2 2L L 1 1 n n = SUo + D 图 1.3 反激电路基本拓扑结构 n = Np/Ns UiUi2 2L L RTsRTs UiUi2 2L L RTsRTs n n Powering the Future 反激变换器基本工作原理反激变换器基本工作原理反激变换器基本工作原理反激变换器基本工作原理_ _工作过程工作过程工作过程工作过程 反激变换器工作原理反激变换器工作原理反激变换器工作原理反激变换器工作原理? ?反激变换器工作原理反激变换器工作原理：反激变换器工作原理反激变换器工作原理： 工作过程分为两个阶段：开关工作过程分为两个阶段：开关工作过程分为两个阶段：开关工作过程分为两个阶段：开关S S（ MOSFET etc.) ONMOSFET etc.) ON期间期间 和和期间期间 和和 OFFOFF期期期期 + Ui NpCNs n = Np/Ns Ip 间间间间 ONON期间：期间：期间：期间：VinVin加在变压器初级绕组加在变压器初级绕组 上，初级电流上升斜率为上，初级电流上升斜率为 加在变压器初级绕组加在变压器初级绕组 上，初级电流上升斜率为上，初级电流上升斜率为 +Vin / +Vin / LpriLpri 变压器储存的磁能增加变压器储存的磁能增加变压器储存的磁能增加变压器储存的磁能增加 S Uo + D Io 图1 4 Ton Time Lpri, Lpri, 变压器储存的磁能增加变压器储存的磁能增加。变压器储存的磁能增加变压器储存的磁能增加。 次级二极管承受反向电压次级二极管承受反向电压 （次级二极管承受反向电压次级二极管承受反向电压 （Vo+Vin/n)Vo+Vin/n)（ 理想条件下）理想条件下） （ 理想条件下）理想条件下） 电容电容电容电容C C放电，提供能量给负载。放电，提供能量给负载。放电，提供能量给负载。放电，提供能量给负载。 图1.4 Ton Time + Ui NpCNs n = Np/Ns I OffOff期间：二极管全部（临界或连续期间：二极管全部（临界或连续 ）或部分时间（非连续）导通，次）或部分时间（非连续）导通，次 级的电流斜率是级的电流斜率是 期间：二极管全部（临界或连续期间：二极管全部（临界或连续 ）或部分时间（非连续）导通，次）或部分时间（非连续）导通，次 级的电流斜率是级的电流斜率是 Vo / Lsec.Vo / Lsec. 开关开关S（MOSFET）上电压是上电压是（ Vi + *V S Uo + D Is Io 图1.5 Toff Time Is/n Ip 开关开关S（MOSFET）上电压是上电压是（ Vin+n*Vo ）（理想条件下）（理想条件下）（理想条件下）（理想条件下） 变压器给电容充电。变压器给电容充电。变压器给电容充电。变压器给电容充电。 开关开关开关开关S S在在在在 TonToff, ToffTon开关开关 图1.5 Toff Time tofftoff 瞬间， 初次电流关系如下：瞬间， 初次电流关系如下： Ip Is n Ip Is n = t ton T 连续 T 非连续 ton t Powering the Future 图1.6 初级及次级等效电流波形 稳态运行方程稳态运行方程 反激变换器基本工作原理反激变换器基本工作原理反激变换器基本工作原理反激变换器基本工作原理_ _稳态运行方程稳态运行方程稳态运行方程稳态运行方程 ?稳态运行方程稳态运行方程： 1. Ton时期时期 Vi, Lp为常数时为常数时Vi, Lp为常数时为常数时 初级绕组新增储能初级绕组新增储能 Lp为常数时为常数时 新增储能以磁场量新增储能以磁场量-磁感应强度磁感应强度B和磁场 强度 和磁场 强度H以及磁芯体积以及磁芯体积V表示表示 Powering the Future 反激变换器基本工作原理反激变换器基本工作原理反激变换器基本工作原理反激变换器基本工作原理_ _稳态运行方程稳态运行方程稳态运行方程稳态运行方程 2. Toff时期时期 Vo, Ls为常数时为常数时 次级绕组次级绕组Toff期间释放能量为期间释放能量为次级绕组次级绕组Toff期间释放能量为期间释放能量为 Ls为常数时为常数时 磁场量表示磁场量表示：磁场量表示磁场量表示： 稳态时稳态时很明显不计损耗时很明显不计损耗时稳态时稳态时，很明显不计损耗时很明显不计损耗时： E=-E2 Powering the Future 反激变换器基本工作原理反激变换器基本工作原理反激变换器基本工作原理反激变换器基本工作原理_ _变压器工作状态方程变压器工作状态方程变压器工作状态方程变压器工作状态方程 3. 3. 独立电压方程独立电压方程 4. 4. 受控电压方程受控电压方程 Uavg为TD期间加在绕组上电压的平均值 D1为MOSFET导通期间，D2是二极管导通 期间，连续时 D1+D2=1;非连续时 D1+D21.5*Uinmax NMOS电流选择Id4*sqrt(1/3)*Pin/Vinmin. 一般情况Id足够大。（Id要看对应的 高温值） Rdson选取适中值。 计算MOSFET的开关损耗和导通损耗。 ? ?下表可以作为选择开关管的初始值：下表可以作为选择开关管的初始值： Output power MOSFET Below 20 watts 2.0A600V Below 40 watts4 0A600VBelow 40 watts 4.0A600V Below 70 watts 6.0A600V Powering the Future 反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择_ _初级功率器件选择初级功率器件选择初级功率器件选择初级功率器件选择 MOSFET驱动设计 开关速度会影响开关管损耗，当然开关速度也会影响传导辐射。具体用多大电阻可 以通过测开关管波形来选择最合适的。以通过测开关管波形来选择最合适的。 计算驱动电阻损耗： Ig1C1 t V d d :=Ig1C1 V_C1 tr := td tr Ig2C2 t V d d :=Ig2C2 V_dcV_C1+() tr := IgIg1Ig2+:= C2C2为为MillerMiller电容。一般电容。一般 Ig2Ig1Ig2Ig1 D1 R1 R2 Q1 * DRV Q1 * R1 / DRV Q1 R1 20R 1 2 Q2 V C C Ig2Ig1Ig2Ig1 20R68R R3 0.47 R4 10K 1 23 Q3 MMBT4403 150R/1206 R3 0.24R R5 1.2K R2 20R R4 10K 1 23 Q3 * Q1 * R3 0.24R R2 20R R4 10K 1 3 Q2 * R1 20R D R V GND (a) GND (b) G N D(C ) Flyback关断时电流Id最大，所以要求驱动电流大。开通时Id最小，驱动电阻可以适 当加大综合热应力和EMI问题选取驱动电阻值 Powering the Future 当加大。综合热应力和EMI问题选取驱动电阻值。 反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择_ _初级功率器件选择初级功率器件选择初级功率器件选择初级功率器件选择 电流采样 一般反激电路采用无感绕线电阻把初级电流信号转换为电压信号。 采样电阻选择(4*Pin/Uinmin)*Rs Io时 临界模式时 Powering the Future Cf DIV sw o o Cpp 2 * 4 )( )(+=临界模式时 反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择_ _次级次级次级次级RCRC吸收吸收吸收吸收 次级次级RC吸收吸收 ?并接在二极管两端的阻容串联元件在二极管开通或关断过程中,电压发生突变时,通过 电阻对电容的充电将明显减缓电压变化率。整流二极管加入RC滤波以后，反向恢复 得到改善，电压尖峰降低，振铃震荡也抑制住了 选择合适的RC对电源可靠性及 次级次级RC吸收吸收 得到改善，电压尖峰降低，振铃震荡也抑制住了.选择合适的RC对电源可靠性及 EMI/EMC很重要。 ?确定电容C、电阻R： 第一步在最高工作电压下不加任何RC吸收用示波器测出振铃的频率f（示第一步、在最高工作电压下，不加任何RC吸收，用示波器测出振铃的频率f。（示 波器探头的容值要低。） 第二步、试接电容到二极管两端，同时用示波器观察振铃频率变化，当频率变为初 始f的1/2 时，则可知杂散电容及二极管结电容之和为所加电容的1/3。始散容管容所容 第三步、计算电阻R，要阻尼振荡，取R为。 ? ?第四步、确定电容C，在原并联的电容上串接上述电阻R后，振铃将大为减弱，适当 调整电容C，直到振铃基本被抑制。注意电容加大电阻的功耗将增加。 ?不同输入电压下，再验证参数是否合理，最终选取合适的参数。 Powering the Future 反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择_ _控制芯片控制芯片控制芯片控制芯片 第三代芯片（第三代芯片（QR QR 软软 开关，开关，BurstBurst模式模式 低功耗）低功耗） 第三代非第三代非QRQR芯片（频芯片（频 率反走，提高轻载率反走，提高轻载 效率效率BurstBurst模式模式 控制芯片的发展控制芯片的发展 ，低功耗），低功耗） ?TEA1753 NCP1382 NCP1382 UCC28600 STUCC28600 ST： 效率，效率，BurstBurst模式模式 ，超低待机功耗），超低待机功耗） ?TEA1738 NCP1288 L6668 NCP1288 L6668 第代（内置第代（内置） L6565 L6565 FAN6300X FAN6300X ICE2QSXXICE2QSXX（G) G) OB220X OB220X FAN6863 FAN6863 ICE3GS03LJG ICE3GS03LJG LD7536LD7536 第二代（内置第二代（内置MOSFETMOSFET） ? ?TOP2XX TOP2XX ViperXXViperXX TEA152XTEA152X 第一代芯片第一代芯片 ? ?UC384XUC384X TEA152XTEA152X ICE2QRXX65(QR);ICE2QRXX65(QR); RCCRCC电路及电路及 分离元件分离元件 ? ?UC384XUC384X UC284XUC284X Powering the Future 分离元件分离元件 反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择_ _控制芯片控制芯片控制芯片控制芯片 RCCRCC电路电路 接通输入电源后电流i （Rg较大）流过开关晶体管T 的基极T 导通其集电极电流必然由零开始逐渐增接通输入电源后，电流ig（Rg较大）流过开关晶体管Tr1的基极， Tr1导通，其集电极电流必然由零开始逐渐增 加，输入电压将加在变压器的初级绕组Np上。辅助线圈Nb产生同相位的电压，将维持Tr1的导通状态，此时基 极电流Ib是连续的稳定电流。Tr1的集电极电流Ic为一次单调增函数，经过某一断时间后达到Ipk，当集电极电 流与直流电流放大倍数hFE之间将呈现如下关系： Ib*hFE Ic，Tr1不能能维持ON状态。于是，初级线圈Np的 电压下降，导致辅助线圈的感应电压也随之降低，基极电流Ib进一步减小，Tr1迅速转至OFF状态。 当晶体管处于OFF状态变压器各个绕组将产生反向电动势次级绕组通过D4释放能量经过t能量完全传当晶体管处于OFF状态，变压器各个绕组将产生反向电动势，次级绕组通过D4释放能量，经过toff能量完全传 递后. 辅助绕组上的反电动势将正向转变，电容放电，使Tr1再次导通，晶体管继续重复前面的开关动作。 Powering the Future 反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择_ _控制芯片控制芯片控制芯片控制芯片 UC384XUC384X系列芯片系列芯片 ? ?UC384XUC384X ? ?UC284XUC284X ? ?TITI，OnOn- -semisemi，STST （1）可调整振荡器的充放电电流以产生精确的时钟信号; （2）最高开关频率可达500kHz; （3）带锁定的PWM，可以实现逐个脉冲的电流限制; （4）具有内部参考电源，可以进行欠压锁定; （5）图腾柱输出电路能够提供大电流输出，输出电流可达1A，可直接对MOSFET 进行驱动; （6）带滞环的欠压锁定电路可有效地防止电路在VUVLO电压值附近工作时的振荡; （7）起动电流和工作电流低，启动电流小于1mA，正常工作电流为15mA。（现在看起来很 高） Powering the Future 高） 反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择_ _控制芯片控制芯片控制芯片控制芯片 内置内置MOSFETMOSFET芯片芯片 ? ?PIPI：TopswitchTopswitch：TOP2XXTOP2XX； TinySwitchTinySwitch ：TNY2XXTNY2XX ? ?例如：例如：TOP2XXTOP2XX特点特点 ? ?OnOn- -seisei：NCP10XXNCP10XX ? ?FairchildFairchild：FSDMXX65(/80)FSDMXX65(/80)；FSQXX65; FSQXX65; FSCMXX65; FSCQXX65;FSCMXX65; FSCQXX65; ? ?Infineon: ICE2AXX65(/80); Infineon: ICE2AXX65(/80); ICE2BXX65; ICE2BXX65; ICE3AXX65; ICE3BXX65; ICE3AXX65; ICE3BXX65; ICE2QRXX65(QR);ICE2QRXX65(QR); ? ?ST: ViperXXST: ViperXX? ?ST: ViperXXST: ViperXX ? ?OnOn- -Bright: OB235XBright: OB235X ? ?Leadtrend: LD76X0Leadtrend: LD76X0 ? ?NXP:TEA152X;TEA162X(QRNXP:TEA152X;TEA162X(QR）；）；? ?NXP:TEA152X;TEA162X(QRNXP:TEA152X;TEA162X(QR）；）； TEA1721(10mWTEA1721(10mW） Powering the Future 反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择_ _控制芯片控制芯片控制芯片控制芯片 QRQR模式芯片模式芯片 ?NXP： TEA1507; TEA1533；TEA162X； TEA1552 TEA1751TEA1552; TEA1751； TEA1752; TEA1753 ? ?OnOn- -SemiSemi： NCP1207NCP1207； NCP1308NCP1308；NCP1337NCP1337； NCP1338NCP1338；NCP1377NCP1377- - NCP1382NCP1382 ? ?TITI：UCC28600UCC28600 ? ?STST：L6565 L6565 （Viper15/25)Viper15/25) ? ?FairchildFairchild：FAN6300XFAN6300X ? ?InfineonInfineon：ICE2QSXXICE2QSXX（G)G) ? ?OnOn- -BrightBright： OB220X OB220X s save fVVCdsP*)(* 2 1 2 2 2 1= PPORINORINPP ORIN WOFFON sw CLVVVVLI VV TTTT F + = + = )( 11 Powering the Future 反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择反激变换器电路设计及元器件选择_ _控制芯片控制芯片控制芯片控制芯片 非非非非QRQR新一代芯片新一代芯片新一代芯片新一代芯片 ?NXP：TEA1703；TEA1733;TEA1738 (low power; EMI jitter；斜率补偿) 新一芯片要具备的功能新一芯片要具备的功能 ? 工作电流 2mA ? 静态电流数十微安级 (p;j；斜率补偿) ? ?OnOn- -SemiSemi：NCP1271; NCP1288NCP1271; NCP1288 ? ?STST：L6566BH; L6668L6566BH; L6668 静态电流数十微安级 ? 内置高压启动源 ? 轻载具有频率自动降低（ Frequency Fold Back）功能 ? ?FairchildFairchild：FAN6747; FAN6753; FAN6747; FAN6753; FAN6754; FAN6755;FAN6754; FAN6755; FAN6863 FAN6863 (0.1W)(0.1W) Frequency Fold Back）功能 ? 空载具有Burst Mode功能 ? 具有抖频功能 ? ?InfineonInfineon：ICE3BS03LJG; ICE3BS03LJG; ICE3AS03LJG; ICE3GS03LJG ICE3AS03LJG; ICE3GS03LJG (0.1W)(0.1W) LdtdLdtdLD7560LD7560LD7750LD7750 ? 保护功能全面，如OCP、OVP、BO 、OTP、SCP以及开环保护 ? 内置斜率补偿电路 ? ?LeadtrendLeadtrend： LD7560LD7560；LD7750LD7750； LD7533 (0.1W);LD7536;LD7537LD7533 (0.1W);LD7536;LD7537 ? 内置前沿消隐电路 ? 驱动电流保持在500mA左右 EPS及电视机能效标准VEPS及电视机能效标准V 1 1 空载功耗空载功耗 0 3W0 3W1 1. .空载功耗空载功耗 |-12dB|。 Powering the Future 反激变换器反馈控制环路设计反激变换器反馈控制环路设计反激变换器反馈控制环路设计反激变换器反馈控制环路设计 反激变换器功率级（反激变换器功率级（CCMCCM）：）： 小信号模型小信号模型 传递函数传递函数 个输出电容引起的零点个输出电容引起的零点 右半平面零点：在右半平面零点：在BoostBoost 一个输出电容引起的零点一个输出电容引起的零点 个系统右半平面零点个系统右半平面零点RHZRHZ 右半平面零点：在右半平面零点：在BoostBoost， BuckBuck- -Boost, Flyback CCMBoost, Flyback CCM中中 存在，存在，DCMDCM没有没有RHZRHZ。直观理。直观理 解是输出电压突然下降，占空解是输出电压突然下降，占空 比增加释放能量时间减少比增加释放能量时间减少 一个系统右半平面零点一个系统右半平面零点RHZRHZ 比增加，释放能量时间减少，比增加，释放能量时间减少， 输出电压短时下降更多。输出电压短时下降更多。 系统很难补偿右半平面零点，系统很难补偿右半平面零点， 一般选择截止频率一般选择截止频率fcfc远小于远小于frzfrz Powering the Future 来避开来避开RHZRHZ。 反激变换器反馈控制环路设计反激变换器反馈控制环路设计反激变换器反馈控制环路设计反激变换器反馈控制环路设计 CCMCCM模式双环控制系统：模式双环控制系统： 通过引入电流内环，内环抵消了变压器的通过引入电流内环，内环抵消了变压器的 电感效应电感相当于恒流源对系统功电感效应电感相当于恒流源对系统功电感效应，电感相当于恒流源，对系统功电感效应，电感相当于恒流源，对系统功 率级传输函数降阶，反激变换器功率级为率级传输函数降阶，反激变换器功率级为 一阶系统。一阶系统。 1 1 斜坡补偿当工作在斜坡补偿当工作在D 50%D 50%电流连电流连1. 1. 斜坡补偿：当工作在斜坡补偿：当工作在D50%D50%、电流连、电流连 续模式时，会出现次谐波振荡。这种不稳续模式时，会出现次谐波振荡。这种不稳 定与变换器的闭环特性没有关系，必须引定与变换器的闭环特性没有关系，必须引 入斜坡补偿。入斜坡补偿。 Powering the Future 反激变换器反馈控制环路设计反激变换器反馈控制环路设计反激变换器反馈控制环路设计反激变换器反馈控制环路设计 CCMCCM模式双环控制系统：模式双环控制系统： 电流控制模式输出电容电流控制模式输出电容ESRESR引起的零点、系统右半平面零点引起的零点、系统右半平面零点RHZRHZ还在，极还在，极 点只有一个，与负载和输出滤波电容有关。点只有一个，与负载和输出滤波电容有关。 Powering the Future ，负，负 反激变换器反馈控制环路设计反激变换器反馈控制环路设计反激变换器反馈控制环路设计反激变换器反馈控制环路设计 DCMDCM模式双环控制系统：模式双环控制系统： 同同CCMCCM相比，相比，DCMDCM少了右半平面零点，所少了右半平面零点，所同同相比，相比，少了右半平面零点，所少了右半平面零点，所 以以DCMDCM的截止频率的截止频率fcfc能往高取，补偿比能往高取，补偿比CCMCCM 容易。容易。 Powering the Future 反激变换器反馈控制环路设计反激变换器反馈控制环路设计反激变换器反馈控制环路设计反激变换器反馈控制环路设计 双环控制系统环路设计：双环控制系统环路设计：双环控制系统环路设计：双环控制系统环路设计： 电压环-采用Type 2型误差放大器，如有图TL431的接法。 C1C2 列出参数，确定功率级的低频放电倍数极点和零点。 选取截止频率fc,取1/6-1/10*fs。CCM：fcC2) Powering the Future 反激变换器反馈控制环路设计反激变换器反馈控制环路设计反激变换器反馈控制环路设计反激变换器反馈控制环路设计 0 50 40 20 0 20 logG f ( )() Gf ( ) 确定补偿网络R1,R2,C1,C2。 分别画出功率级和误差放 大器及补偿网络的波涛图 50 0 80 60 40 20 logG f ( )() 20 logH f ( )() G Hf ( ) 大器及补偿网络的波涛图 总开环传递函数及波特图：总开环传递函数及波特图： 1101001 1031 1041 1051 106 50 f 1000 50 50 20 logT f ( )() Tf ( ) root 20 logT f ( )()f ()5 068103 1 = Fco处的相位裕量： 50 0 150 100 g( )() T root 20 logT f ( )()f, ()5.06810 s = T5.068103Hz ()