场效应管及其放大电路分析

.,模拟电子技术第3章场效应管及其放大电路分析,范立南恩莉代红艳李雪飞中国水利水电出版社,.,第3章场效应管及其放大电路分析,3.1场效应管的基本概念3.2场效应管放大电路的分析,.,场效应管按照结构不同，可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大类；结型场效应管（JunctionFieldEffectTransistor，简称JFET）按照制造工艺和材料不同，可分为N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管两种。现以N沟道结型场效应管为例，介绍结型场效应管的结构、工作原理、特性曲线及主要参数。,3.1场效应管的基本概念3.1.1结型场效应管,.,1结构N沟道结型场效应管的结构示意图及符号如图所示：,.,N沟道结型场效应管是在一块掺杂浓度较低的N型半导体上，制作两个高浓度的P型区（称为型区），从而形成两个PN结。将两个型区连接在一起，引出一个电极，称为栅极（用g表示）；在N型半导体的两端各引出一个电极，分别称为漏极（用d表示）和源极（用s表示）。两个PN结中间的N型区是漏极和源极之间的电流沟道，称为导电沟道。由于导电沟道是N型区，其多子是自由电子，故称为N沟道结型场效应管；其符号箭头方向是从栅极指向沟道，即从P区指向N区。,.,P沟道结型场效应管的结构示意图及符号如图所示：,.,2工作原理（1），情况,.,当N沟道JFET的栅-源和漏-源之间均未加电压时，耗尽层很窄，导电沟道很宽，沟道电阻很小。当栅-源之间加反向电压，漏-源之间不加电压时，由于栅-源之间加反向电压，耗尽层加宽，导电沟道变窄，沟道电阻增大，且随着外加反向电压的增大，耗尽层进一步加宽，导电沟道随之变窄，沟道电阻随之增大。当外加反向电压增大至某一数值时，两侧的耗尽层相遇，整个沟道被夹断，沟道电阻趋于无穷大。此时所对应的栅-源电压称为夹断电压。,.,（2），情况,.,当栅-源之间加反向电压，漏-源之间加正向电压时，由于栅-源之间加反向电压，耗尽层加宽，导电沟道变窄，沟道电阻增大；设栅-源之间所加反向电压为范围内的某一固定值。此时由于漏-源之间加正向电压，就有从漏极到源极的漏极电流产生。由于漏极电流在流经导电沟道时会产生电压降，使得沟道上各点与栅极之间的电压不再相等，从而导致沟道中耗尽层的宽度进一步变得不等宽。,.,由于漏极电流在流经导电沟道时产生的电压降从漏极到源极逐渐增大，沟道上各点的电位从漏极到源极逐渐减小，即漏极处的电位最大；源极处的电位最小为零，所以沟道上各点与栅极之间的电压从漏极到源极逐渐减小，使得漏极处的耗尽层最宽，从漏极到源极耗尽层宽度逐渐减小，从而沟道宽度从漏极到源极逐渐增大，沟道电阻从漏极到源极逐渐减小。随着的进一步增大，沟道在漏极处发生预夹断，即漏极处两侧的耗尽层相遇，如图示。此后继续增大，只是夹断区沿沟道进一步加长，漏极电流不再增加，达到饱和。,.,3特性曲线转移特性曲线是用于描述漏-源电压一定情况下，漏极电流与栅-源电压之间关系的曲线，即。N沟道JFET的转移特性曲线如图所示。,.,输出特性曲线是用于描述栅-源电压一定情况下，漏极电流与漏-源电压之间关系的曲线，即。N沟道JFET的输出特性曲线如图所示。,.,4主要参数（1）直流参数夹断电压：是指漏-源电压为某定值时，使漏极电流为0或某一微小数值（如10）时的栅-源电压值。饱和漏电流：是指栅-源电压时，管子发生预夹断时所对应的漏极电流值。直流输入电阻：是指在漏-源之间短路时，栅-源电压与栅极电流的比值。一般。,.,（2）交流参数低频跨导：是指漏-源电压为某定值时，漏极电流的变化量与对应栅-源电压的变化量的比值，单位为S。极间电容：场效应管的三个电极间存在着极间电容，即栅源电容、栅漏电容和漏源电容。输出电阻：是指在恒流区内，当栅-源电压为某定值时，漏-源电压的变化量与漏极电流的变化量的比值。是用于反映漏-源电压对漏极电流的影响的参数，体现在输出特性曲线上，即是曲线上某点切线斜率的倒数。,.,（3）极限参数最大漏电流：是指管子正常工作时所允许通过的漏极电流的最大值。最大耗散功率：是决定管子温升的参数，超过此值时，管子会因过热而被烧坏。漏源击穿电压：是指随着漏-源电压的增加，使得漏极电流急剧增加是的漏-源电压值。正常工作时，若超过此值，管子将会被击穿。栅源击穿电压：是指栅源间所能承受的最大电压。正常工作时，若超过此值，栅极和沟道间的PN结将会被击穿。,.,3.1.2绝缘栅型场效应管,MOS管按照制造工艺和材料不同，可分为N沟道和P沟道；MOS管按照工作方式不同，又可分为增强型和耗尽型；因此MOS管可分为N沟道增强型、P沟道增强型、N沟道耗尽型和P沟道耗尽型四种。增强型MOS管与耗尽型MOS管的区别是：增强型MOS管在栅-源之间未加电压时，无导电沟道；只有当栅-源之间加上电压后，才能产生导电沟道。而耗尽型MOS管在栅-源之间未加电压时，已经存在导电沟道。以N沟道增强型MOS管为例，介绍MOS管的结构、工作原理及特性曲线。,.,1结构增强型NMOS管的结构示意图如图所示。,.,增强型NMOS、PMOS管的符号如图所示。,.,耗尽型NMOS、PMOS管的符号如图所示。,.,2工作原理（1）情况当栅-源之间未加电压时，漏-源之间是一对背靠背的PN结，所以无论漏-源之间加正向电压还是反向电压，总有一个PN结是截止的，漏-源之间没有导电沟道，也没有漏极电流产生，如图示。,.,（2），情况当漏-源之间不加电压，栅-源之间加正向电压时，由于栅极和衬底之间相当于以绝缘层为介质的平板电容器，在栅-源正向电压的作用下，栅极表面会积累正电荷，该正电荷能够吸引衬底中的少子自由电子，排斥衬底中的多子空穴，使得栅极附近的P型衬底中留下不能移动的负离子，形成耗尽层。随着外加栅-源电压的增加，耗尽层将继续加宽，当增加至一定值时，自由电子将被吸引到绝缘层与耗尽层之间，形成一个N型薄层，称为反型层，这个反型层即是漏-源之间的导电沟道。开始形成反型层时的栅-源电压，称为开启电压。形成反型层后，继续增加，反型层将加宽，沟道电阻将减小。如图示。,.,.,（3），且为定值，情况设栅-源之间所加电压为的某一固定值，漏-源之间加正向电压。由于，所以漏-源之间的导电沟道已经形成，又由于漏-源电压，所以有从漏极到源极的漏极电流产生。由于漏极电流在流经导电沟道时会产生电压降，使得沟道上各点与栅极之间的电压不再相等，从而导致沟道宽度进一步变得不等宽。如图示。,.,.,由于漏极电流在流经导电沟道时产生的电压降从漏极到源极逐渐增大，沟道上各点的电位从漏极到源极逐渐减小，所以沟道上各点与栅极之间的电压从漏极到源极逐渐增大，从而沟道宽度从漏极到源极逐渐增大，沟道电阻从漏极到源极逐渐减小。随着的进一步增大，增至使时，沟道在漏极处发生预夹断。此后继续增大，只是夹断区沿沟道进一步加长，漏极电流不再增加，达到饱和。,.,3特性曲线增强型NMOS的转移和输出特性曲线如图所示。,.,耗尽型NMOS管的结构示意图如图所示。,.,其转移特性曲线及输出特性曲线如图所示。,.,4主要参数MOS管的主要参数与JFET的参数基本相同，所不同的是：夹断电压是JFET和耗尽型MOS管的参数；对于增强型MOS管来说，由于在未加栅源电压时，无导电沟道，只有当栅源之间加上正向电压时，才会产生导电沟道，所以其参数应该是开启电压。开启电压：是指漏-源电压为某定值时，使漏极电流产生的所需的的最小值。,.,例：转移特性曲线如图所示。试判断：（1）该管为何种类型？（2）从该曲线可以求出该管的夹断电压还是开启电压？值是多少？解：该管为N沟道结型场效应管，从该曲线上可以求出该管的夹断电压，其值是-4V。,.,【例3-2】输出特性曲线如图所示。试判断该管为何种类型？解：该管为N沟道增强型MOS管。,.,3.2场效应管放大电路的分析,按照输入输出回路公共端的不同，场效应管放大电路也分为共源、共漏和共栅三种组态。分析步骤为：（1）求静态工作点画直流通路；求静态工作点。（2）求交流性能画交流通路；画交流等效电路；求交流性能。,.,3.2.1共源放大电路的分析,1自偏压电路,.,直流通路：,.,NMOS管的低频小信号简化等效电路如图所示。,.,画交流通路,.,画交流等效电路,.,求交流性能。,.,2分压式自偏压电路分压式自偏压共源放大电路如图示。,.,（1）求静态工作点画直流通路,.,.,（2）求交流性能画交流通路,.,画交流等效电路,.,求交流