场效应管PPT课件

.,1,4.1结型场效应管根据结构的不同，场效应管可分为两大类：结型场效应管和金属氧化物半导体场效应管。,4.1.1结型场效应管结构结型场效应管（简称JFET）有N沟道和P沟道两种结构形式。N沟道JFET是在一块N型半导体材料的两侧进行高浓度扩散形成两个P区（记作P+）构成两个PN结，将这两个P区连在一起引出一个电极，称为栅极（g），在N型半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极（s）和漏极（d），中间的N区为电流流通的路径，称为导电沟道。,.,2,4.1结型场效应管,如在P型半导体材料两侧各制作一个高浓度的N区，便可形成一个P沟道JFET。它们符号如图，图中箭头所示方向为PN结的方向。,P沟道JFET,N沟道JFET,.,3,4.1.2工作原理下面以N沟道结型场效应管为例讨论其工作原理。,当N沟道结型场效应管处在放大状态时，在栅、源极之间加反向电压UGS，栅极电流IG0，场效应管呈现高达107以上的输入电阻。而在漏、源极之间加正向电压UDS，使N沟道中的多数载流子(电子)在电场作用下由源极向漏极运动，形成电流ID。ID的大小受UGS控制。因此，讨论结型场效应管的工作原理就是讨论UGS对ID的控制作用和UDS对ID的影响。,.,4,1.UGS对导电沟道ID的控制作用,改变电压UGS，就可改变沟道电阻值的大小。若加正向电压UDS，则改变电压UGS就可改变电流ID。当|UGS|，沟道电阻，ID；反之，ID。利用电压UGS产生的电场来控制导电沟道电流ID，这就是结型场效应管的工作原理。,.,5,1.UGS对导电沟道ID的控制作用,.,6,2.UDS对导电沟道ID的影响当uGS负向电压的数值小于Up某值时，iD随uDS变化。,设uDS为零时，iD显然为零。当uDS正向电压逐渐增加时，沟道电场强度加大，漏极电流iD随uDS升高几乎成正比地增大。但是，由于漏极电流iD沿沟道产生的电压使得沟道上各点与栅极间的电压不再是相等的，漏极处的电压最大，随着电位的降低在源极处的电压最小。所以增加uDS，又产生了阻碍漏极提高的因素。当uDS增大到使|uGD|等于|Up|时，在漏极附近两侧的耗尽层开始合拢于1点A，这种情况称为予夹断，iD达到了饱和漏极电流IDSS，IDSS下标中的第二个S表示栅源极间短路的意思，此时有uGD=uGS-uDS，若uGS=0，uGD=-uDS=Up。当uDS再继续增加时，增大电流iD的作用与阻碍电流iD的作用相平衡，iD=IDSS基本上不随uDS增加而上升。uDS增加到U（BR）DS时，夹断区的耗尽层击穿,iD将突然增大。,.,7,2.UDS对导电沟道ID的影响,.,8,2.UDS对导电沟道ID的影响,当uGS=0时，iD随uDS变化的曲线如图(a)所示。改变电压uGS可得一族曲线，iD=f(uDS)|uGS=常数称为输出特性特性曲线，如图(b)所示。由于每个管子的Up为一定值，因此，预夹断点随uGS改变而变化，它在输出特性上的轨迹如图（b）中左边虚线所示。,.,9,结型场效应管的结论：,（1）栅、源之间的PN结是反向偏置的，因此，其iG0，输入电阻很高。（2）iD受uGS控制，是电压控制电流器件。（3）预夹断前，iD与uDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。P沟道结型场效应管的工作原理与N沟道相对应。用于放大时，使用电源电压极性与N沟道结型场效应管的正好相反。,.,10,4.1.3特性曲线,结型场效应管的特性曲线包括输出特性曲线和转移特性曲线两种。1.输出特性曲线的四个区可变电阻区（非饱和区）：该区的特点是当uDS增加时，iD随uDS线性增加，uGS不同时，iD增加的斜率不同。恒流区（饱和区）：该区的特点是iD的大小受uGS的控制，而与uDS的大小基本无关。场效应管在作放大器使用时一般工作在此区域，所以该区也称为线性放大区。击穿区：该区的特点是反向偏置的PN结发生雪崩击穿，iD将突然聚增，管子不能正常工作，甚至很快烧毁。所以，场效应不允许工作在这个区域。(4)夹断区（截止区）：当|uGS|Up|时，沟道被夹断，iD0，此区域称为夹断区或截止区，它对应于靠近横轴的部分。此区的特点是场效应管的漏、源极之间可看作开关断开。,.,11,2.转移特性曲线,转移特性曲线为iD=f(uGS)uDS=常数，它反映栅极电压对漏极电流的控制作用。转移特性曲线可直接从输出特性上用作图法求出。,.,12,2.转移特性曲线,由于在饱和区内，不同uDS的转移特性是很接近的，这是因为在饱和区iD几乎不随uGS而变。因此可用一条转移特性曲线来表示恒流区中的转移特性，使分析得到简化。实验表明，在UPuDS0范围内，即在饱和区内，iD随uGS的增加(负数减少)近似按平方规律上升，因而有,式中IDSS为uGS=0、uDS增加到使场效应管产生予夹断时的饱和漏极电流。这样，只要给出IDSS和UP就可以把转移特性中的其它点近似计算出来。,.,13,4.1.4主要参数,夹断电压Up饱和漏极电流IDSS最大漏、源电压U(BR)DS最大栅、源电压U(BR)GS最大耗散功率PDM直流输入电阻RGS低频互导gm当uDS为某一确定值时，漏极电流的微小变化量与引起它变化的栅、源电压的微小变化量之比称为gm。gm是表征场效应管放大能力的一个重要参数，单位为mS。当UPuGS0）时，gm的近似估算公式为,.,14,4.2金属氧化物半导体场效应管,结型场效应管的输入电阻从本质上来说是PN结的反向电阻，PN结反向偏置时总会有一些反向电流存在，这就限制了输入电阻的进一步提高，在有些要求更高的场合仍不能满足要求。金属氧化物半导体场效应管（简称MOS场效应管）是利用半导体表面的电场效应进行工作的。由于它的栅极处于不导电(绝缘)状态，因而具有更高的输入电阻，也由此得名为绝缘栅场效应管。MOS场效应管也可分为N沟道和P沟道两类，但工作原理相似，每一类又分为增强型和耗尽型两种。,.,15,4.2.1N沟道增强型MOS场效应管,基本结构衬底为P型硅片，掺杂浓度较低；利用扩散法扩散两个相距很近的高掺杂N型区，并安置2个电极：源极s和漏极d；在硅片表面生成一层很薄的二氧化硅绝缘层，并在两个N型区之间的二氧化硅的表面安置电极：漏极d。栅极与源极、漏极之间是绝缘的，所以称为绝缘栅场效应管；漏极和源极之间形成两个背靠背的PN结；,.,16,2.工作原理场效应管工作时，通常将其衬底与s连在一起，在d与s之间接入适当大小的正向电压uDS，利用电压uGS的大小，来控制漏极电流iD的大小。,1）当UGS=0时，不论所加电压UDS的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，则漏极电流ID0。两个N型区与P型衬底之间形成耗尽层。,.,17,2.工作原理,2）当栅源极之间加正向电压UGS(见图b)，在UGS的作用下，产生了垂直于衬底表面的电场，P型硅中少数载流子（自由电子）被吸到表面层填补空穴形成负离子的耗尽层。,.,18,2.工作原理,3）当栅极与源极之间加正向电压UGS到一定值（UT）时，被吸到表面层中的自由电子较多，填补空穴后还有剩余，在表面层中形成一个N型层，由于它的性质与P型区相反，故称为反型层，它就是沟通源区和漏区的N型导电沟道，UT称为开启电压。,.,19,2.工作原理,4）形成导电沟道后，MOS管即导通，在漏极电源UDD的作用下，将产生漏极电流ID，UGS正值愈高，导电沟道愈宽，ID愈大。因此，改变UGS的大小（即改变UGS产生电场的强弱）就能有效地控制漏极电流ID的大小。外加的UDS较小时，ID将随UDS上升迅速增大，由于沟道存在电位梯度，因此沟道厚度是不均匀的，靠近源端厚，靠近漏端薄。当UDS增加到使UGD=UT时，沟道在漏极处附近出现予夹断。随后UDS继续增加，夹断区增长，但ID电流趋于饱和，基本不变。,.,20,2.工作原理,UDS较小,ID迅速增大UDS较大出现夹断，ID趋于饱和,.,21,3.特性曲线与电流方程,输出特性曲线恒流区转移特性曲线输出特性曲线也可分为可变电阻区、恒流区、夹断区和截止区。在恒流区内电流方程为式中ID0为uGS=2UT时的iD值。,.,22,4.2.2N沟道耗尽型MOS场效应管,1.结构特点SiO2绝缘层里掺入大量的正离子，即使不外加栅、源电压，在这些正离子的作用下，P型衬底表面已经出现反型层，形成导电沟道，故称为耗尽型MOS场效应管。,.,23,2.工作原理,uGS0，导电沟道增宽，iD增大；反之，uGS0，导电沟道变窄、iD减小。当uGS负向增加到某一数值时，导电沟道消失，iD趋向于零，管子截止，此时的栅、源电压uGS称为夹断电压仍用即UP。这种在一定范围内uGS的正、负值均可控制iD的大小的特性是耗尽型MOS场效应管的一个重要特点。,.,24,3.特性曲线,输出特性曲线恒流区转移特性曲线,.,25,4.2.3P沟道MOS场效应管,P沟道MOS场效应管与N沟道MOS场效应管的结构正好对偶，N型衬底、P型沟道，所以上面对的N沟道MO场效应管工作原理及特性的分析也基本上适用于P沟道MOS场效应管。使用时注意各电源电压极性与N沟道MOS场效应管正好相反。增强型P沟道MOS场效应管的开启电压UT为负值，耗尽型管制作时在绝缘层中掺入负离子，其夹断电压UP也为负值。,.,26,4.2.4MOS场效应管的主要参数,耗尽型MOS场效应管的主要参数与结型场效应管完全相同。增强型MOS场效应管的主要参数也与结型场效应管基本相同，只是没有夹断电压这一参数，取代它的是开启电压UT。开启电压UT是指当uDS为某一固定值时能产生iD所需的最小|uGS|值。由于MOS场效应管输入电阻极大，使得栅极的感应电荷不易泄放，极易产生高压，使管子击穿。因此，当MOS场效应管不使用时，应使其三个电极短路。MOS场效应管的衬底和源极通常是接在一起的，即使分开，也应保证衬底和源极之间的PN结反向偏置，以使管子正常工作。,.,27,4.3场效应管的特点,场效应管具有放大作用，可以组成各种放大电路，它与双极性晶体管相比，具有如下几个特点:(1)场效应管是一种电压控制器件，它通过uGS来控制iD。(2)场效应管输入端几乎没有电流，所以其直流输入电阻和交流输入电阻都非常高。(3)由于场效应管是利用多数载流子导电的，因此，与双极性晶体管相比，具有噪声小、受幅射的影响小、热稳定性较好等特性。(4)由于场效应管的结构对称，有时漏极和源极可以互换使用，而各项指标基本上不受影响。对于有的绝缘栅场效应管，制造时源极已和衬底连在一起，则漏极和源极不能互换,.,28,4.3场效应管的特点,(5)场效应管的制造工艺简单，有利于大规模集成。特别是MOS电路，硅片上每个MOS场效应管所占面积是晶体管5%，因此集成度更高，目前，大规模和超大规模集成电路主要由MOS电路构成。(6)由于MOS场效应管的输入电阻高，因此，由外界静电感应所产生的电荷不易泄漏。为此，在存放时，应将各电极引线短接。焊接时，要注意将电烙铁外壳接上可靠地线，或者在焊接时，将电烙铁与电源暂时脱离。(7)场效应管的互导较小，当组成放大电路时，在相同的负载电阻时，电压放大倍数比双极型晶体管低。,.,29,4.4场效应管放大电路,场效应管与双极性三极管都具有放大作用，都存在着的三个极，其对应关系为：栅极g对应基极b；源极s对应发射极e；漏极d对应集电极c。所以根据双极性三极管放大电路的三种不同组态，可组成相应的场效应管放大电路。但由于两种放大器件各自的特点，故不能将双极性三极管放大电路的三极管，简单地用场效应管取代，,.,30,4.4.1场效应管的直流偏置电路,场效应管是电压控制器件，要建立合适的静态工作点Q，需要有合适的栅极电压，避免输出波形产生严重的非线性失真。通常偏置的形式有两种。1.自偏压电路自偏压电路适用于结型场效应管或耗尽型场效应管，与晶体管的射极偏置电路相似。,.,31,4.4.1场效应管的直流偏置电路,因Rg上没有压降，IG0，所以s极直流电位与地相等。依靠电流ID在R上的电压降，使电路自行提供栅极偏压UGS=-IDR。UGS=-IDR称为自偏压电路的偏置线方程。为减少R对放大倍数的影响，在R两端同样也并联一个足够大的旁路电容C，称为源极旁路电容。,.,32,4.4.1场效应管的直流偏置电路2.分压式偏置电路,栅极电压UGRg2UDD(Rgl+Rg2)电阻R上的压降US=IDR静态时栅源电压为UGS=UG-US=-(IDR-Rg2UDD/(Rg1+Rg2)上式称为分压式偏置电路的偏置线方程。这种偏压电路适用于增强型管子的电路。,.,33,4.4.2静态分析,对场效应管放大电路的静态分析一般可采用图解法和公式计算法。图解法的原理和晶体管相似。下面讨论用公式进行计算以确定Q点。利用转移特性近似计算公式，在UPUGS0条件下得到ID和UGS的关系：ID=IDSS(1-UGS/UP)2。与偏置线方程联立求解，即可得到电路的静态值ID和UGS。,.,34,例1电路参数如图所示，场效应管的UP-1V，IDSS0.5mA，试确定Q点。,解：由近似计算公式得ID=IDSS(1-UGS/UP)2mAID=0.5(1+UGS)2(1)由偏置线方程得UGS=-(IDR-Rg2UDD/(Rg1+Rg2)VUGS=0.4-2ID(2)联立(1)(2)式求解ID(0.950.64)mAUGS=-(1.51.28)V,因UPUGS0，取UGSQ=-0.22VIDQ=0.31mA,.,35,4.4.3场效应管的微变等效电路,如果输入信号很小，场效应管工作在线性放大区(即输出特性中的恒流区)时，和晶体管一样，可用微变等效电路来进行动态分析。共源极接法中、低频微变等效电路高频微变等效电路,gm虽然是动态参数，其大小与静态工作点有关。,.,36,4.4.4动态分析1.共源极放大电路,本节主要讨论中频动态分析共源极电路微变等效电路,.,37,(1)电压放大倍数,.,38,(2)输入和输出电阻,由输入端看ri=Ui/Ii=Rg3+Rg1/Rg2由输出端看ro=Uo/IoUi=0=Rd