已阅读5页，还剩8页未读， 继续免费阅读
版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领
文档简介
1,Fab5,SiliconFab,Plant3,Fab2,R&DCenter,Marketing&SaleDept,AdministrationDeptsFloor2&3,IGBT市场调研报告张治华2011-7,TestPlant,2,IGBT介绍-定义,InsulatedGateBipolarTransistor绝缘栅双极晶体管,IGBT介绍-特点,电压控制驱动功率：小开关速度：中输入阻抗：大开关损耗：小工作频率：较高耐压：高电流：大,IGBT,MOS,BJT,IGBT融合了MOS和BJT的特点电压300-6500V频率几十KHz功率不超过1000KVA,电流控制驱动功率：大开关速度：慢饱和压降：低耐压：大电流：大,电压控制驱动功率：小开关速度：快通态电阻：大高压大电流难以满足,IGBT介绍-工艺,IGBT市场,2009：全球IGBT销售13亿美元中国销售38亿人民币，约占全球市场1/32010：中国销售41亿人民币因为09-10年有经济危机影响，目前国家重视IGBT的发展，预计今后5-10年内会高速发展,IGBT市场-模块与单管,IGBT应用,华晶IGBT,汽车电子,消费,工控,IGBT竞争-全球,IGBT竞争-中
温馨提示
- 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
- 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
- 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
- 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
- 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
- 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
- 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
评论
0/150
提交评论