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电子结构论文大纲范文电子结构论文大纲格式模板第一章引言1-1 ZnO的基本特性和基本结构1-2国内外研究现状及存在的问题1-3计算材料学和材料设计1-3-1材料设计概述1-3-2材料设计发展概况1-3-3材料设计中的计算机模拟1-4本课题研究的目的和研究意义第二章CASTEP软件主要理论模拟方法2-1密度泛函理论介绍2-1-1 Kohn-Sham (沈吕九)方程2-1-2局部密度近似2-1-3广义梯度逼近2-1-4自洽场计算2-2物理量的含义2-2-1波段结构2-2-2状态密度2-2-3mullikelihun集合数分析2-3本章总结第三章理想ZnO电子结构与性质的理论计算3-1理论模型与计算方法3-1-1理论模型3-1-2的计算方法3-2光学性质的计算3-2-1理想的ZnO光学特性计算3-3外压调制计算ZnO电子结构和光学性质3-3-1理论模型与计算方法基于3-3-2外压调制的ZnO电子结构计算3-3-3外压调制下的ZnO光学特性计算3-4 ZnO弹性常数的理论计算3-4-1弹性常数的物理本质3-4-2弹性模量计算方法3-4-3计算结果与探讨3-5本章总结第四章ZnO掺杂电子结构理论研究4-1理论模型与计算方法4-2 n型ZnO掺杂理论研究4-2-1几何图形4-2-2电子结构4-3 Ga掺杂电子微结构理论研究4-3-1几何图形4-3-2电子结构4-4 P型ZnO掺杂理论研究4-4-1电池掺杂4-4-2供体-受体共掺杂模拟4-5本章总结第五章结论5-1工作总结5-2问题和未来工作_硕士研究生阅读论文摘要第一章绪论1-1引言1-2 ZnO的基本性质1-2-1 ZnO晶体结构1-2-2 ZnO的电性能1-2-3 ZnO的光学性能1-3 ZnO的缺陷和掺杂1-3-1 ZnO固有缺陷1-3-2非故意掺杂h对ZnO的影响1-3-3 ZnO中的施主掺杂1-3-4 ZnO中受体掺杂1-4第一原理的发展、作用及优点1-5本论文的主要内容第二章密度泛函基础理论与计算方法2-1多电子系统的薛定惊方程2-1-1非相对论逼近2-1-2 Born-Oppenheimer近似2-1-3轨道近似2-2密度泛涵理论2-3伪势平面波2-4交换-相关能量函数逼近2-4-1局部密度近似(LDA )2-4-2广义梯度逼近(GGA )2-S CASTEP封装功能的特点第三章ZnO中真性点缺陷的理论计算3-1理论模型与计算方法3-2理想化学配比ZnO电子结构的计算3-3固有点缺陷对ZnO电子结构的影响3-3-1 ZnO:Zn_i模型的电子结构3-3-2 ZnO:O_i模型的电子结构3-3-3 ZnO:V_(Zn )模型的电子结构3-3-4 ZnO:V_O模型的电子结构3-4本章总结第四章ZnO:Al电子结构的理论计算4-1理论模型与计算方法4-2 ZnO掺杂机构的计算4-2-1单位光栅的优化4-2-2电子态密度计算4-3al掺杂浓度对电子结构的影响4-3-1单位晶格结构参数的优化4-3-2掺杂浓度对电子态密度的影响4-4本章总结第五章p型掺杂ZnO电子结构的计算5-1理论模型与计算方法5-2 ZnO掺杂Li电子结构的计算5-2-1 ZnO:Li_(Zn )电子结构的计算5-2-2 ZnO:Li_i电子结构的计算5-3 ZnO掺杂n电子结构的计算5-4 Li-N共掺杂ZnO电子结构的计算5-4-1 ZnO:Li_(Zn) N模型的电子结构计算5-4-2 ZnO:Li_i N模型的电子结构计算5-5本章总结第六章结论_硕士研究所取得的研究成果摘要第一章绪论1-1维半导体材料概要1-1-1石墨烯1-1-2硅和锗1-2过渡金属硫族化合物概述1-2-1过渡金属硫族化合物的结构和性质1-2-2过渡金属硫族化合物的应用与研究进展1-3主要研究内容第二章理论基础与计算方法2-1多粒子系统2-2绝热近似2-3密度泛函理论2-3-1 Hohenberg-Kohn定理2-3-2 Kohn-Sham方程2-3-3局部密度逼近与广义梯度逼近2-4布罗赫定理与超原细胞模型2-4-1布罗赫定理2-4-2超原子模型2-5赝品2-6 Vasp包第三章过渡金属硫族化合物WS2电子结构的研究3-1序言3-2型号和方法3-3结果和讨论3-3-1厚度对电子结构的影响3-3-2应变对电子结构的影响3-3-3掺杂对电子结构的影响3-4结论第四章Cr和Co掺杂对单层WS_2磁的影响4-1引言4-2型号和方法4-3结果和讨论4-3-1掺杂对磁的影响4-4结论第五章总结与研究展望_期间科研成果中文摘要第一章绪论1-1引言1-2 SrTiO_3材料的物理特性1-3国内外研究现状及存在的问题1-3-1实验研究现状1-3-2理论模拟研究现状1-4本课题研究的目的和研究意义第二章CASTEP软件介绍及理论计算基础2-1 CASTEP软件概述2-2理论计算的基础2-2-1周期边界条件与超细胞法2-2-2密度泛函理论(DFT )2-2-3自洽场计算2-2-4假货2-3本章总结第三章理想SrTiO_3电子结构与性质的理论计算3-1理论模型与计算方法3-1-1理论模型3-1-2的计算方法3-2计算结果与探讨3-2-1晶体结构计算结果与分析3-2-2mullikelman布局分析3-2-3波段结构3-2-4状态密度及分波状态密度3-2-5差分电荷密度3-3本章总结第四章SrTiO_3材料中氧空位的密度泛函理论研究4-1引言4-2理论模型与计算方法4-2-1理论模型4-2-2的计算方法4-3mullikelman布居分析4-4电子结构分析4-4-1状态密度4-4-2波段结构4-4-3差分电荷密度4-5形成能力4-6本章总结第五章SrTiO_3掺杂电子结构理论研究5-1理论模型与计算方法5-1-1理论模型5-1-2的计算方法5-2 Sb掺杂SrTiO_3基电子结构的理论研究5-2-1几何图形5-2-2电子结构5-3 Nb掺杂SrTiO_3基电子结构的理论研究5-3-1状态密度5-3-2分波状态密度5-3-3差分电荷密度5-4 La掺杂SrTiO_3基电子结构的理论研究5-4-1状态密度5-4-2分波状态密度5-5掺