三极管的命名和参数

三极管的命名和参数,半导体器件的命名方式,第一部分,数字字母字母(汉拼)数字字母(汉拼),电极数材料和极性器件类型序号规格号,3三极管,第二部分,第三部分,X低频小功率管,G高频小功率管,D低频大功率管,A高频大功率管,第四部分,第五部分,例：,3AX313DG12B3DD6PNP低频小功率锗三极管NPN高频小功率硅三极管NPN低频大功率硅三极管3CG3AD3DKPNP高频小功率硅三极管PNP低频大功率锗三极管NPN硅开关三极管,D硅材料NPN,C硅材料PNP,A锗材料PNP,B锗材料NPN,2.1.6半导体三极管的型号,国家标准对半导体三极管的命名如下:3DG110B,第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、C硅PNP管、D硅NPN管,第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管,用字母表示材料,用字母表示器件的种类,用数字表示同种器件型号的序号,用字母表示同一型号中的不同规格,三极管,1.电流放大系数，,当晶体管接成共发射极电路时，在静态(无输入信号)时集电极电流与基极电流的比值称为静态电流(直流)放大系数,当晶体管工作在动态(有输入信号)时，基极电流的变化量为IB，它引起集电极电流的变化量为IC。IC与IB的比值称为动态电流(交流)放大系数,在输出特性曲线近于平行等距并且ICEO较小的情况下,可近似认为，但二者含义不同。,电流放大系数一般在10100之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳定。一般取3080为宜。,(1)直流参数,极间反向电流1.集电极基极间反向饱和电流ICBOICBO的下标CB代表集电极和基极，O是Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于集电结的反向饱和电流。,指发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。一定温度下ICBO是一个常数，所以又称为反向饱和电流。,EC,2.集电极发射极间的反向饱和电流ICEOICEO和ICBO有如下关系ICEO=（1+）ICBO相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。如下图所示。,EC,1.集电极基极反向饱和电流ICBO。,反向饱和电流随温度增加而增加，是管子工作状态不稳定的主要因素。因此，常把它作为判断管子性能的重要依据。硅管反向饱和电流远小于锗管，在温度变化范围大的工作环境应选用硅管。,二、极间反向饱和电流,2.集电极发射极反向饱和电流ICEO。(2.1.7),1.电流放大系数，,当晶体管接成共发射极电路时，在静态(无输入信号)时集电极电流与基极电流的比值称为静态电流(直流)放大系数,当晶体管工作在动态(有输入信号)时，基极电流的变化量为IB，它引起集电极电流的变化量为IC。IC与IB的比值称为动态电流(交流)放大系数,在输出特性曲线近于平行等距并且ICEO较小的情况下,可近似认为，但二者含义不同。,电流放大系数一般在10100之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳定。一般取3080为宜。,(2)交流参数,1,2,7,3,4,5,返回,特征频率fT三极管的值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的将会下降。当下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。,(2)交流参数,当值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流，称为集电极最大允许电流ICM。,1.集电极最大允许电流ICM,(3)极限参数,基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，称为集射反相击穿电压U(BR)CEO。,2.V(BR)CEO发射极开路时的集电结击穿电压。下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB代表集电极和基极，O代表第三个电极B开路。,管子基极开路时，集电极和发射极之间的最大允许电压。当电压越过此值时，管子将发生电压击穿，若电击穿导致热击穿会损坏管子。,2.集电极发射极间反向击穿电压V(BR)CEO,当晶体管因受热而引起的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率，称为集电极最大允许耗散功率PCM。,由ICM、U(BR)CEO、PCM三者共同确定晶体管的安全工作区。,返回,正常工作时，IC流过集电结要消耗功率，而使三极管发热，三极管达到一定温度后，性能变差或者损坏。使用时应该使集电极消耗的功率PCPCM,3.集电极最大允许耗散功率PCM,