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文档简介

激光电源的开关器件IGBT,课程:激光设备控制技术院系:电子工程系主讲人:张才华,激光电源的开关器件IGBT,教学目标:,1、了解IGBT的结构与工作原理;2、了解IGBT的主要技术参数。,激光电源的开关器件IGBT,1、IGBT概述,IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,,=BJT(双极型三极管)+MOSFET(绝缘栅型场效应管),IGBT模块实物图,是复合全控型电压驱动式功率半导体器件。,激光电源的开关器件IGBT,IGBT的特点:,(1)GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;,(2)MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。,(3)IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小、开关速度高而饱和压降低。,(4)适合应用于直流电压在400V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等工程领域。,N沟道增强型IGBT结构图与等效电路图,激光电源的开关器件IGBT,2、IGBT结构,结构图,等效电路图,IGBT结构图,激光电源的开关器件IGBT,右边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构示意图。是在N沟道MOSFET的漏极N层上又附加上一层P层组成的PNPN四层结构的半导体。,P+区称为漏区。,器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极(即门极G)。,N+区称为源区,附于其上的电极称为源极(即发射极E)。,激光电源的开关器件IGBT,在漏区另一侧的P+区称为漏注入区(Draininjector)。,它是IGBT特有的功能区,与亚沟道区一起形成PNP双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。,附于漏注入区上的电极称为漏极(即集电极C)。,IGBT的开关原理:,激光电源的开关器件IGBT,加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。,反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT关断。,IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极的N沟道MOSFET就可以控制IGBT,所以具有高输入阻抗特性。,关断,开通,3、IGBT主要技术参数,(1)集电极-发射极额定电压Uces。器件的雪崩击穿电压而规定的电压值,是栅极-发射极短路时IGBT能够承受的耐压值。,激光电源的开关器件IGBT,(2)栅极-发射极额定电压Uges。是栅极控制信号的电压额定值。目前,IGBT的Uges值大部分为+20V。,(3)额定集电极电流Ic。表示IGBT在导通时能流过管子的持续最大电流。目前,市场上IGBT模块的电流可达1000A以上。,激光电源的开关器件IGBT,()集电极-发射极饱和电压Uce(sat)。是IGBT在正常饱和导通时集电极-发射极之间的电压降。这个值越小,管子的功率损耗就越小。,(5)开关频率。是IGBT的每秒钟开通和关断的最大次数。开关频率是以导通时间Ton、下降时间Tf和关断时间Toff形式给出的,根据这些参数可估算出IGBT的开关频率。,一般IGBT的实际工作频率都在100kHz以下,开关频率高是IGBT模块的一个重要优点。,激光电源的开关器件IGBT,4、IGBT的选择,(1)IGBT额定电压的选择三相380V输入电压经过整流和滤波后,直流母线电压的最大值:U0=380X1.414=537V在开关工作的条件下,IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍,根据IGBT规格的电压等级,选择1200V电压等级的IGBT。,激光电源的开关器件IGBT,(2)IGBT额定电流的选择以30kW电源为例,负载电流约为79A,由于负载电气启动或加速时,电流过载,一般要求1分钟的时间内,承受1.5倍的过流,最大负载电流约为119A,建议选择150A电流等级的IGBT。,激光电源的开关器件IGBT,(3)IGBT开关参数的选择开关电源的开关频率一般在1020kHZ,而在实际工作的过程中,IGBT的通态损耗所占比重比较大,建议选择低通态型IGBT。,激光电源的开关器件IGBT,(4)影响IGBT可靠性因素a.栅电压。IGBT工作时,必须有正向栅电压,常用的栅驱动电压值为1518V,最高用到20V。在桥式电路和大功率应用情况下,为了避免干扰,在IGBT关断时,栅极加负电压,一般在-5-15V,保证IGBT的关断,避免Miller效应影响。,激光电源的开关器件IGBT,b)Miller效应。为了降低Miller效应的影响,在IGBT栅驱动电路中采用改进措施:(1)开通和关断采用不同栅电阻RgON和Rgoff,确保IGBT的有效开通和关断;(2)栅源间加电容C,对Miller效应产生的电压进行能量泄放;(3)关断时加负栅压。在实际设计中,采用三者合理组合,对改进Miller效应的效果更佳。,激光电源的开关器件IGBT,总结:,激光电源的开关器件使用IGBT,是BJT和MOSFET复合型控制器件;

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