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文档简介

绪论,0.1电子技术概述,0.2电子器件的基本材料-半导体,0.3PN结,0.1电子技术概述,电子信号,电子电路,电子系统,应用与发展,退出,1.3晶体管,主要要求：,熟悉半导体三极管的结构、类型与参数,掌握三极管的放大作用,了解复合三极管的概念与意义,退出,1.三极管的结构,1晶体管的结构和类型,发射极E,基极B,集电极C,发射结,集电结,基区,NPN型,三区,三极,两结,集电区,基区,发射区,集电极Collector,基极Base,发射极Emitter,集电结,发射结,集电区,发射区,PNP型,退出,退出,下面以NPN管为例通过三极管的电流分配与放大作用，所得结论实验数据证明结论如下：结论一样适用于PNP三极管。,2晶体管的基本工作原理,注意：三极管放大的条件,退出,（1）IE=IC+IB（2）IC=IB（3）IE=IC+IB=（1+）IBIC三极管中还有一些少子电流，比如ICBO，通常可以忽略不计，但它们对温度十分敏感。,退出,下图是测试三极管共发射极电路伏安特性曲线的电路图：,3晶体管的特性曲线,退出,1.输入特性曲线,uCE1V，集电结反偏，电场足以将发射区扩散到基区的载流子吸收到集电区形成IC，uCE再增大曲线也几乎不变,死区电压与导通电压UBE,硅管分别约为0.5V和0.7V,锗管分别约为0.1V和0.3V,（1）截止区iB=0曲线以下的区域：iC=ICEO0，两结均反偏，三极管各电极电流均约等于0，所以可以等效为断开的开关；,退出,2.输出特性曲线,放大区,（2）放大区在iB=0的特性曲线上方，近似平行于横轴的曲线族部分：iC基本不随uCE变化仅受iB控制，iC=iB，发射结正偏、集电结反偏，相当于受控电流源。,（3）饱和区输出特性曲线近似直线上升部分：三极管饱和时管压降uCE很小，叫做饱和压降uCES，两结均正偏，相当于闭合开关。,退出,4晶体管的主要参数,1.电流放大系数,交流电流放大系数,直流电流放大系数,交流、直流电流放大系数的意义不同，但在输出特性线性良好的情况下，两个数值的差别很小，一般不作严格区分。常用小功率三极管的约为20150左右。,退出,2.极间反向电流,集、基间反向饱和电流,集、射间反向饱和电流（穿透电流）,测试电路,测试电路,反向电流受温度影响大越小越好,退出,3.极限参数,集电极最大允许电流,反向击穿电压,集电极最大允许耗散功率,集电极电流超过一定数值时要下降,击穿时三极管电流急剧增大，会使三极管损坏,功耗过高会烧毁三极管,5应用放大、开关,退出,本章小结,半导体是制造电子元器件的基本材料，半导体材料具有光敏、热敏、杂敏等特殊的特性；PN结是P区和N区交界处形成的特殊带电薄层，具有单向导电作用，将PN结加上封装就是二极管的基本结构；半导体晶体管是电流控制器件，可以用基极电流来控制集电极电流；场效应管是
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