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学院名称、学生编号、教师选择编号/座位编号为了解决上述问题，我们必须采取以下措施来解决问题。半导体期末考试一个二三四五六七八九十总数审核人签名得分签名得分可能的物理常数为：q=1.60210-19C，0=8.85410-12F/m，室温(300K)下k0T=0.026eV，二氧化硅的相对介电常数=3.9，N=2.81019cm-3，300K时ni(GaAs)=1.1107cm-3。一、填写：道选择题括号内的正确答案(共30道题，共19道题，每道题一分)1.受体是能够增加(B)浓度的杂质原子，供体是能够增加(A)浓度的杂质原子，a，电子b，空穴2.如果一种杂质在化合物半导体中既能作为施主又能作为受主，它就叫做杂质。a，受体b，两性杂质c，供体3.对于具有钕掺杂浓度的非简并半导体，电子浓度=(D)在0k；低温时，其电子浓度=(b)；在高温固有温度下，其电子浓度=(c)；甲、乙、丙、丁、零4.对于具有宽带隙的半导体，激发电子从价带到导带需要更多的能量。固有的温度区的起始温度为(a)。a，高b，低5.在一定温度下，非简并半导体(C)的平衡载流子浓度的乘积是本征载流子浓度的平方。关系式(d)适用于本征半导体，(d)适用于非本征半导体。a，大于b，小于c，等于d，适用e，不适用6.电子是(a)，它的有效质量是(d)；空腔为(b)，其有效质量为(c)。a，粒子b，准粒子c，负d，正e，07.P型半导体中的非平衡载流子特指(C)，即空穴的准费米能级(I)量子的准费米能级。a、n0 B、p0 C、n、D、p、E、n、F、pg，高于h，等于I，小于8.在室温下，低掺杂硅的载流子散射机制主要是(硼-D)。a、压电散射b、电离杂质散射c、载流子-载流子散射d、晶格振动散射9.D=k0Tq适用于(b)半导体。a，退化b，非退化10.锗和硅是带隙半导体，是主要的复合过程。GaAs是能隙半导体，(c)是主要的复合过程。直接b，间接c，直接化合物d，间接化合物11.在外电场的作用下，载流子的(C)运动是定向的。在没有外加电场的情况下，载流子的(b)运动是随机的。a，扩散b，热c，漂移12.对于由p型半导体构成的MIS结构，如果Wm Ws假设绝缘层中没有电荷，则其平带电压(一).甲、乙、丙、VFB=013.最有利于陷阱作用的能级位于(c)附近，常见的陷阱是(e)a、EA B、ED C、EF D、Ei E、少数f、倍数1
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