多晶检验流程.ppt

目录，1 .硅2。单晶硅概述3。单晶硅生产工艺4。多晶硅生产工艺6。多晶硅生产工艺，I，硅，理化性质灰色金属光泽，密度2.322.34g/cm3，熔点1410；沸点2355。可溶于氢氟酸和硝酸的混合酸不能溶于水、硝酸和盐酸。硬度在锗和石英之间，室温下脆，切割时易碎。加热到800 以上有延展性，在1300 时会出现相当大的变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等的反应。在高温熔化状态下，化学发声很好，几乎可以与所有材料相互作用。半导体的性质是非常重要的优秀半导体材料，是制造半导体的基础材料，但微量杂质会影响其电导率。工业配方是在一定条件下氯化干燥硅粉和干燥氯化氢气体，然后通过冷凝、蒸馏、还原得到的。H2 Cl2=2 HCl 3 HCl si=si HCl 3 H2 sicl 4 H2=si HCl 3 hclsihcl 3 H2=si 3 HCl，2，单晶硅，定义晶体形成的晶核(与晶面方向相同)的晶粒-硅，单晶硅生产工艺： 裂纹，微晶，超薄，超厚，步长，衰变，线标记，孔，黑点，TTV，大小偏差，裂片，角度不足，硅下落，亮度，3，多晶硅，晶面结晶方向不同的晶粒， 原理在特定光源和红外探测器的帮助下，红外探测器可以通过硅块，纯硅很少吸收这个波段的波长，但是如果硅块有内部缺陷，这些缺陷就会吸收红外线，出现在成像系统中，并将图像显示在显示器上。2.装置seilbib 50 infraredblockanalyser(红外探测器)，3 .步骤材料用酒精擦拭正在测试的晶体的侧面，晶体尾部朝下，头部放在工作台上。输入扫描编号和序列号，单击“OK”后，系统将启动自动扫描，扫描图像显示在显示器上，扫描完成后自动保存，观察图像是否有内部缺陷，如果有内部缺陷，则使用标记标记标记该部分，并通过删除缺陷类型从工作台中删除决策注意：如果需要扫描特定面，请单击BlockMotorOff按钮，手动将工作台旋转到相机中，然后手动旋转工作台硅块探测器常见缺陷，裂纹，阴影，杂质，微晶，黑点，子寿命，1。微波光电衰减法主要包括两个过程：激光注入为电子-孔对，微波检测信号为904nm的激光注入(深度为30um)，产生电子-孔对，增加样品电导率，去除外部光注入后，电导率根据时间指数衰减。这种趋势间接反映了少数载体衰退趋势。微波检测电导率随时间变化的趋势，小数载波寿命2。仪器seilbwt-2000d (u-PCD非接触式微波光电衰退法小肠寿命扫描仪)，3 .单击“步骤，材质”，将晶体头部向左，将尾部放到工作台上，然后单击“load wapper”材质。系统自动查找边设置信号参数 Recorder/Autosetting 单击系统自动设置信号参数搜索工具栏上的“map/resume”按钮，系统将逐行扫描决定。保存将扫描的数据和图像保存到指定文件夹(从“文件”(File)菜单中选择“保存”(saveall)将值从 INFO/Histogram/lists/min 更改为 1.5 (外协加工决策此值将修改为 2 )，然后单击左下角的框将值更改为直线右键单击时，在探测器的相应更改位置标记，单击工具栏上的“Unloadwafer”按钮在工作台做出决定，使用标尺绘制长标记，然后绘制子寿命采样图。A5: a1、B2、B3、B4A5:A1、A2、A3、a4c 9: c8、c、13、c14b 4: B3、C3、c 4b10336b 15、避头尾长度小部件寿命值较大的面给定的C9、B11、C17测试面和B10A25:小部件寿命测试第一面A21、B22测试面和A25、PN接头，1。原则2。装置3。阶段、大小、角度、形状、。大小1。工具带，光标卡尺2。步骤使用光标卡尺测量每个硅块的侧面宽度，用每个硅块的两爪测量硅块的各个部分，光标卡尺的两爪测量硅块的各个部分。如果发现某个硅的外侧宽度高于标准，则应添加提取该硅块所在的多晶硅锭位置的两个垂直不同硅块的莱格宽度的尺寸。用卷尺测量晶体的四面长度。4面的最小长度测量为硅块的长度，结果为，角度，1。仪表角度标尺2。步骤使用普通角度标尺测量硅块的4面垂直度，即相邻2面之间的垂直度，每个硅块测量任意3角的垂直度，每个角从硅块的头部到尾部平均测量至少3次，然后将检测数据记录到硅块检测记录表。万能角度尺臂紧贴硅块的两个相邻面，如果癌症接触硅块表面有明显的间隙，则将硅块判定为“s”硅块。，形状崩溃，裂纹，裂纹，s型，阻力，1。仪器Semilab接触电阻测试仪2。阶段使用电阻测试仪对硅块表面进行电阻测试，读取试验机上显示的电阻大小，将检查数据记录到硅块检测记录表，多晶硅块确定标准，继续表，继续表，继续表，刷棒测试阶段，检查，大小，电阻，角度，形状，仪器磁带，角度标尺，光标卡尺2。步骤长度：以磁带为单位测量晶体四个侧面的长度，其测量结果将多晶方锭质量检验报告单中四个侧面的最小长度用作硅块的长度，侧面宽度：用光标卡尺测量晶体相邻的两个侧面。从硅块头到尾至少三次均匀测量。测量结果用最大值和最小值作为硅块的角宽度长度，用多晶方锭质量检验报告单中的最小值到最大值格式表示，对角线：使用光标卡尺测量晶体的上下两端，其中最大值和最小值作为硅块的对角长度，用多晶方锭质量检验报告单中的最小值到最大值倒角：使用光标卡尺分别测量硅块的四个直角角倒角尺寸。每个测量自始至终至少测量3个，其中最大值和最小值用硅块的倒角长度表示，从多晶方锭质量检验报告单到最大值最小值，使用电阻率测试仪在硅块的两端执行电阻率测试，读取测试器上显示的电阻率大小，将检查数据写