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文档简介

宋晨之20150202,EBL基本结构与工作原理,1,EBL=ElectronBeamLithography=电子束光刻,2,3,一、电子束曝光系统结构,4,5,column,6,电子源的分类,直热式W，2700K热发射电子源旁热式LaB6，1800K电子源热场发射ZrO/W，1800K场发射电子源冷场发射,7,四种电子源对比,电子源三个关键参数：有效源尺寸，亮度，电子能量分布热发射源能量分布大，聚焦斑束大，产生严重相差。冷场致发射稳定性差，对真空要求高。故EBL系统选用热场致发射源。,8,旁热式&热场致电子源结构示意图,阳,地,超高电场,阴,阴,阳,9,EBL中电子源结构示意图,10,几个牌子的EBL性能参数,11,二次电子探测器,Detector,12,Illustrationswithdifferentsignalsources,13,14,ImagingbymeansofSE2detector:5mmWDImagingbymeansofInlensdetector:=10mmWD(dependingonhighvoltagesetting)ImagingbymeansofBSEdetector:8-10mm(OptimumoftheBSelectrondetection),15,InfluenceofAccelerationVoltage,16,InfluenceofBeamCurrent,17,InfluenceofWorkingDistance,18,二、坐标系的对准,19,建立坐标系,20,写场对准,21,三、曝光,22,扫描模式,23,Exposureparameter,24,Areadose,25,Linedose,26,Dotdoes,27,Areamode,28,29,Linemode,30,Circlemode,31,ExposurestrategiesUsedbyRaith,32,四、临近效应,33,VisualizationofEnergyDepositionGrid(EDG),34,高能电子打断PMMA内高分子链示意图,35,前散射和背散射随PMMA厚度的变化关系,36,MonteCarloSimulations,37,Energydeposition,38,Proximityfunction,trajectories,energydeposition,energydistribution,doubleGaussian,Proximityfunction,proximityfunctionhasthesameshapeasenergydistributionwithrespecttolateraldistancesbut:nodirectrelationbetweenenergyandPE!(itsjustamodel),39,I
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