开题报告-跨径150m上承式钢管混凝土悬链线拱桥设计

本科毕业设计（论文）格式模板本彩页封面仅为电子稿样本，文本装订时请以班为单位到教材科领取纸质封面及资料袋后再装订毕业设计（论文）诚信声明本人郑重声明所呈交的毕业设计（论文）是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。就我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表和撰写的研究成果，也不包含为获得华东交通大学或其他教育机构的学位或证书所使用过的材料。如在文中涉及抄袭或剽窃行为，本人愿承担由此而造成的一切后果及责任。本人签名_导师签名_年月日华东交通大学毕业设计（论文）任务书姓名学号毕业届别2014届专业桥梁工程毕业设计（论文）题目跨径150M上承式钢管混凝土悬链线拱桥设计指导教师学历博士职称讲师具体要求1熟悉设计资料；2确定桥型方案比选；3结构尺寸拟定，杆件截面几何参数计算；4桥面系验算，包括桥面板计算与配筋验算，横梁计算与配筋验算，纵梁计算与配筋验算；5桥梁博士软件电算模型建立；6施工阶段内力和应力计算；7活载温度作用计算；8作用荷载组合，包括承载能力极限状态设计和正常使用极限状态设计；9各施工阶段、使用阶段强度验算；10拱的稳定性验算；11纵梁和立柱设计。进度安排第1周复习拱桥相关知识，熟悉图纸，确定结构尺寸；第2周桥面板、横隔梁计算，配筋；第3周拱轴线相关数据计算；第4周初步计算；第5周桥梁博士电算模型建立；第6周桥梁博士电算模型建立；第7周桥梁博士模型建立；第8周桥梁博士电算计算；第9周桥梁博士电算结果输出；第10周构件强度安全性校核；第11周构件稳定性校核；第12周立柱、纵梁配筋计算；第13周书写计算书；第14周书写计算书、绘图；第15周绘图；第16周整理毕业设计，答辩。指导教师签字2014年2月26日教研室意见教研室主任签字2014年2月26日题目发出日期2014年2月26日设计（论文）起止时间2014年6月10日附注华东交通大学毕业设计（论文）开题报告书课题名称跨径150M上承式钢管混凝土悬链线拱桥设计课题来源工程实际课题类型AY导师学生姓名学号专业桥梁工程开题报告内容由于设计的是拱桥，所以要查阅和参考关于拱桥之类的书籍，有公路桥涵设计手册拱桥（上册）；钢管混凝土拱桥；公路桥涵设计通用规范；公路钢筋混凝土及预应力混凝土桥涵设计规范；教材桥梁工程（上、下）；桥梁计算示例丛书拱桥等，准备从手算和电算两个部分进行计算，其中电算以桥梁博士为主。方法及预期目的方法1、手算，包括桥型方案比选，拱桥结构尺寸的拟定与步骤，结构内力计算与配筋，其中包括桥面板、横隔梁和纵梁；2、电算，包括撰写单元信息，撰写施工信息，撰写使用信息，撰写结果的概念校核，桥梁博士电算结果输出，构件强度安全性校核，构件稳定性校核。目的1、通过该课题设计使我们能综合运用所学课程,系统地巩固基本理论和专业知识；2、培养分析问题和解决问题的独立工作能力；3、提高计算、绘图、查阅文献、使用规范手册和编写技术文件及计算机辅助设计计算等基本技能,使我们了解生产设计的主要内容和要求；4、掌握桥梁设计原则、设计方法、步骤；5、树立正确的设计思想及严谨负责、实事求是、刻苦钻研、勇于创新的作风,具体解决大、中、小桥等常见跨度桥梁的设计,为桥梁建设事业服务。指导教师签名日期2014年2月26日课题类型（1）A工程设计；B技术开发；C软件工程；D理论研究；（2）X真实课题；Y模拟课题；Z虚拟课题（1）、（2）均要填，如AY、BX等。华东交通大学毕业设计论文评阅书1姓名学号指导教师评分评分标准得分学习能力、态度3025分2422分2119分18分18分学习主动、认真，出勤率全，能熟练综合运用所学知识，全面出色完成任务。学习认真、较主动，出勤率高，能综合运用知识，全面完成任务。学习尚认真，出勤率较高，能运用所学知识，按期完成任务。学习要求不高，出勤率一般，在教师帮助下能运用所学知识，按期完成任务。学习马虎，出勤率较低，运用所学知识能力较差，不能按期完成任务。说明书、计算书2017分1615分1413分12分12分设计构思新颖，设计方案合理，论证充分，创新意思强，计算正确无误。能较全面考虑问题，设计方案较合理，有创新意思，论证较充分，计算正确。尚能全面考虑问题，设计方案较合理，有些创新，论证基本正确，计算无原则错误。全面考虑问题不够，设计方案尚可，论证不够充分，计算无重大原则错误。考虑问题片面，设计方案不合理，计算中有重大原则错误。设计图纸2017分1615分1413分12分12分根据设计要求图纸齐全，内容准确，制图清晰、规范、美观，符合要求。图纸齐全，内容正确，制图清晰，较规范，符合要求。图纸齐全，内容基本正确，制图还清晰，主要图纸符合要求。附有主要图纸，内容基本正确，制图一般，基本符合标准。制图粗糙，图纸不齐全，或不符合基本标准和要求。外语、计算机能力2017分1615分1413分12分12分能熟练阅读外文参考资料，能正确无误的写出外文摘要，能熟练应用计算机。能较熟练阅读外文参考资料，能用外文写出论文摘要，能较熟练应用计算机。能基本独立完成教师规定的外语、计算机应用方面要求。能完成教师规定外语、计算机方面的要求。末达到教师规定外语、计算机方面的要求。毕业实习109分8分7分6分6分实习主动、积极，实习日记、实习报告内容完整、充实，图文并茂。能认真的完成实习任务，实习日记、实习报告内容完整、质量较好。基本完成实习任务，实习日记、实习报告内容不够完整，质量一般。实习报告内容不完整，但尚能将大部分规定的内容写出，质量较差。实习不认真，实习日记、报告马虎潦草，内容不完整。质量差。总评分（满分100）指导教师_年_月_日华东交通大学毕业设计论文评阅书2姓名学号评阅人评分评阅人_年_月_日项目及权重满分分数形式审查30核心部分质量50创新及综合能力20合计100答辩小组评分答辩委员会评分答辩组长答辩委员会主任_年_月_日_年_月_日项目及权重满分分数设计论文、图纸规范化30答辩陈述表现20回答问题表现30综合能力20合计100项目及权重分数总评分指导教师评分50评阅人评分20答辩小组评分30审定等级优10090，良8980，中7970，及格6960，不及格59及以下华东交通大学毕业设计（论文）答辩记录姓名学号答辩时间2014年6月11日答辩组成员答辩记录记录人_组长_年_月_日III族氮化物及其高亮度蓝光LED外延片的MOCVD生长和性质研究专业学号学生姓名指导教师摘要宽禁带III族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GAN基蓝光LED外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GAN基LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GAN基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GAN基LED外延材料提供科学依据。本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了如下有创新和有意义的研究结果1首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在GAN外延生长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了GAN外延膜的结晶性能，使GAN基蓝光LED器件整体性能大幅度提高，大大降低了GAN基蓝光LED的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。本文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。关键词氮化物；MOCVD；LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱中文摘要独占一页；论文题目用小2号黑体字、居中宋体，5号，对齐居中页眉中文宋体，小五号，居中正文用小4号宋体字“摘要“用3号黑体字、居中关键词用小4号黑体字、居左顶格、单独占行，关键词之间用分号间隔STUDYONMOCVDGROWTHANDPROPERTIESOFIIINITRIDESANDHIGHBRIGHTNESSBLUELEDWAFERSABSTRACTGANBASEDNITRIDESHAVEPOTENTIALAPPLICATIONSONHIGHBRIGHTNESSLEDS,SHORTWAVELENGTHLASERS,ULTRAVIOLETDETECTORS,HIGHTEMPERATUREANDHIGHPOWERELECTRONICDEVICESSTUDYONPHYSICSISSUESANDTECHNOLOGIESOFNITRIDESOPENANEWAREAOF3THGENERATIONSEMICONDUCTORMORETHANTENCOMPANIESINAMERICAANDJAPANREPORTEDTOHAVEDEVELOPEDTHENITRIDESGROWTHTECHNOLOGYSINCENICHIACOMPANYINJAPANFIRSTREALIZEDTHECOMMERCIALIZATIONOFGANBASEDBLUELEDIN1994INTHISTHESIS,GANANDITSTERNARYWEREGROWNBYAHOMEMADEATMOSPHEREPRESSUREMETALORGANICCHEMICALVAPORDEPOSITIONMOCVDANDTHOMASSWAN62”MOCVDSYSTEMSHIGHBRIGHTBLUELEDWAFERSWEREOBTAINEDBYOPTIMIZINGTHENITRIDESGROWTHTECHNOLOGYANDWAFERSTRUCTURESOMEENCOURAGINGRESULTSAREFOLLOWINGAS1WEPRESENTTHEIDEAOFUSINGABUFFERLAYEROFDEVIATIONFROMSTOICHIOMETRYFORMATERIALSGROWTHONLARGELATTICEMISMATCHSUBSTRATESTHISIDEAWASREALIZEDINNITRIDESGROWTHINTHISTHESISTHEEPILAYERCRYSTALLINEQUALITYWASIMPROVEDANDTHEDISLOCATIONDENSITYWASDECREASEDBYUSINGGANLOWANDHIGHTEMPERATUREBUFFERLAYERSOFDEVIATIONFROMSTOICHIOMETRYTHERBS/CHANNELINGSPECTRAEXHIBITEDTHATTHEMINIMUMYIELDMINOFGANLAYERSWASJUSTONLY15THELEAKELECTRICCURRENTOFGANBASEDLEDWASOBVIOUSLYDECREASEDANDLOWERTHAN1AAT5VOLTREVERSEVOLTAGEBYUSINGTHISNEWBUFFERTECHNOLOGYTHISWORKWASSUPPORTEDBY863PROGRAMINCHINAKEYWORDNITRIDES；MOCVD；LED；PHOTOLUMINESCENCE；RBS/CHANNELING；OPTICALABSORPTION页眉外文TIMESNEWROMAN字体，五号，居中的居中英文摘要独占一页；论文题目用TIMESNEWROMAN字体小2号加粗、居中正文用TIMESNEWROMAN字体小4号“ABSTRACT“用TIMESNEWROMAN字体3号加粗、居中关键词用TIMESNEWROMAN小4号加粗、居左顶格、单独占行，关键词之间用分号间隔目录摘要ABSTRACT第一章GAN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”）111III族氮化物材料及其器件的进展与应用112III族氮化物的基本结构和性质413掺杂和杂质特性1214氮化物材料的制备1315氮化物器件1916GAN基材料与其它材料的比较2217本论文工作的内容与安排24第二章氮化物MOCVD生长系统和生长工艺3121MOCVD材料生长机理3122本论文氮化物生长所用的MOCVD设备32结论136参考文献（REFERENCES）138致谢150“目录“用小2号黑体字、居中目录内容最少列出第一级标题（章）和第二级标题（节）；前者用4号黑体字，后者用4号宋体字，第三级标题用4号楷体字，居左顶格、单独占行，每一级标题后应标明起始页码页眉中文宋体，小五号，居中第一章GAN基半导体材料及器件进展11III族氮化物材料及其器件的进展与应用在科学技术的发展进程中，材料永远扮演着重要角色。在与现代科技成就息息相关的千万种材料中，半导体材料的作用尤其如此。以SI为代表的第一代半导体诞生于20世纪40年代末，它们促成了晶体管、集成电路和计算机的发明。以GAAS为代表的第二代半导体诞生于20世纪60年代，它们成为制作光电子器件的基础。III族氮化物半导体材料及器件研究历时30余年，前20年进展缓慢，后10年发展迅猛。由于III族氮化物特有的带隙范围，优良的光、电性质，优异的材料机械和化学性能，使得它在短波长光电子器件方面有着广泛的应用前景；并且非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。III族氮化物半导体材料已引起了国内外众多研究者的兴趣。12III族氮化物的基本结构和性质表11用不同技术得到的带隙温度系数、EG0、C和T0的值样品类型实验方法带隙温度系数DEG/DTEV/KT300KEG0EVCEV/KT0K参考文献GAN/AL2O3光致发光532104350350810499661GAN/AL2O3光致发光348973210470059GAN/AL2O3光致发光401047210460062GAN/AL2O3光吸收4510434719310477263章标题中文宋体，英文TIMESNEWROMAN，四号居中节标题中文宋体，英文TIMESNEWROMAN，四号居左正文文字中文宋体，英文TIMESNEWROMAN，小四，两端对齐，段落首行左缩进2个汉字符。表标题置于表的上方，中文宋体，英文TIMESNEWROMAN，五号加粗居中，表序与表名文字之间空一个汉字符宽度；内容中文宋体，英文TIMESNEWROMAN，五号。加热电阻气流测温元件测温元件图11热风速计原理图标题置于图的下方，中文宋体，英文TIMESNEWROMAN，五号加粗居中，图序与图名文字之间空一个汉字符宽度；内容中文宋体，英文TIMESNEWROMAN，五号。第二章氮化物MOCVD生长系统和生长工艺21MOCVD材料生长机理转换控制频率设置波形数据设置图21DDS方式AWG的工作流程频率信号源频率控