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文档简介

1、高效晶硅,PERC,电池产业化技术,1.PERC,技术简介,?,常规电池背面的光学和电学损失制约了效率的提升。,?,PERC,技术提升效率机制降低背面电学复合,+,增加内部光学,反射。,16,14,12,s,/,m,A,*,W,-,1,*,m,2,10,8,6,4,2,0,300,PERC,Normal,400,500,600,700,800,900,1000,1100,1200,Wavelength/nm,2.PERC,电池结构,正面金属电极,正面镀膜,磷扩散,制,PN,结,全铝背场,局部铝背场,背面钝化叠层,背面金属电极,从结构上看，,PERC,电池仅比常规电池多一个背钝化层，,氧化铝是目

2、前产业化最好的钝化介质膜。,3.PERC,电池生产流程,双面制绒,管式扩散,背刻,+,边缘隔离,正面镀膜,需改进工序,背面钝化叠层：,AlOx+SiNx,背面钝化层激光开槽,金属化后的,PERC,电池,增加,2,道工序,4.,背面钝化技术,1,?,钝化原理：场效应钝化,+,化学钝化,?,钝化效果监控：少子寿命测试,4.,背面钝化技术,2,?,钝化方式的选择：,PECVD,。,?,关键设备：,SiNA,改造,费用￥,1000,万,+/,套。,兼顾产能和效率,5.,激光开槽技术,?,目的：打通背面绝缘叠层，形成背电场与硅基体的电学通路。,?,关键设备：武汉帝尔,费用￥,100,万,+/,套。,?,

3、图形：选择不同的打线或打点方案，可实现相同的电池效率。,532nm,波长的纳,秒级激光开线，约,36um,宽。,6.,背面抛光工艺,?,目的：削平金字塔塔尖，减少背表面悬挂键，降低表面复,合速率，增加内反射。,?,方法：改进现有刻蚀工艺的化学配方，在去,PSG,和边缘隔,离的同时进行背抛工艺。,?,目标：化学蚀刻厚度,56um,，表面粗糙度,0.30.5um.,背面抛光效,果，,500,7.,扩散工艺匹配,?,改进常规扩散工艺，获得更佳的长波响应。,扩散工艺的改进,1.00E+21,R-86,1.00E+20,R-76,1.00E+19,匹配,PERC,工,艺曲线,1.00E+18,1.00E+17,常规扩,散曲线,0.00,0.06,0.09,0.12,0.17,0.21,0.25,0.29,0.34,0.37,0.40,1.00E+16,8.

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