银川IGBT芯片生产线建设项目投资计划书通用模板

1、泓域咨询/银川IGBT芯片生产线建设项目投资计划书银川IGBT芯片生产线建设项目投资计划书泓域咨询承诺书申请人郑重承诺如下：“银川IGBT芯片生产线建设项目”已按国家法律和政策的要求办理相关手续，报告内容及附件资料准确、真实、有效，不存在虚假申请、分拆、重复申请获得其他财政资金支持的情况。如有弄虚作假、隐瞒真实情况的行为，将愿意承担相关法律法规的处罚以及由此导致的所有后果。公司法人代表签字：xxx投资公司（盖章）xxx年xx月xx日项目概要近年来全球新能源汽车销量快速增长，全球新能源乘用车的销量将由2019年的221万辆增长到2025年的1200万辆，年均复合增长率将达到32.6%，而中国作为

2、全球最大的新能源汽车市场，占比将维持在40-50%份额。工业控制为IGBT最大市场需求领域，需求稳定增长。IGBT模块是变频器、逆变焊机等传统工业控制及电源行业的核心元器件，且已在此领域中得到广泛应用。目前，随着工业控制及电源行业市场的逐步回暖，预计IGBT模块在此领域的市场规模亦将得到逐步扩大。该IGBT芯片项目计划总投资15781.69万元，其中：固定资产投资11510.45万元，占项目总投资的72.94%；流动资金4271.24万元，占项目总投资的27.06%。达产年营业收入38981.00万元，总成本费用29300.10万元，税金及附加349.10万元，利润总额9680.90万元，利税

3、总额11365.30万元，税后净利润7260.67万元，达产年纳税总额4104.62万元；达产年投资利润率61.34%，投资利税率72.02%，投资回报率46.01%，全部投资回收期3.67年，提供就业职位840个。报告依据国家产业发展政策和有关部门的行业发展规划以及项目承办单位的实际情况，按照项目的建设要求，对项目的实施在技术、经济、社会和环境保护、安全生产等领域的科学性、合理性和可行性进行研究论证；本报告通过对项目进行技术化和经济化比较和分析，阐述投资项目的市场必要性、技术可行性与经济合理性。报告主要内容：项目承担单位基本情况、项目技术工艺特点及优势、项目建设主要内容和规模、项目建设地点、

4、工程方案、产品工艺路线与技术特点、设备选型、总平面布置与运输、环境保护、职业安全卫生、消防与节能、项目实施进度、项目投资与资金来源、财务评价等。第一章 项目承办单位基本情况一、公司概况成立以来，公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念，将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念，不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。公司是全球领先的产品提供商。我们在续为客户创造价值，坚持围绕客户需求持续创新，加大基础研究投入，厚积薄发，合作共赢。公司是按照现代企业制度建立的有限责任公司，公司最高机构为股东大会，日常经营管理为总经理负责制，企业设有技术、质量、采购、销售、客户服务、生产、综合管理、后勤及财

5、务等部门，公司致力于为市场提供品质优良的项目产品，凭借强大的技术支持和全新服务理念，不断为顾客提供系统的解决方案、优质的产品和贴心的服务。公司是按照现代企业制度建立的有限责任公司，公司最高机构为股东大会，日常经营管理为总经理负责制，企业设有技术、质量、采购、销售、客户服务、生产、综合管理、后勤及财务等部门，公司致力于为市场提供品质优良的项目产品，凭借强大的技术支持和全新服务理念，不断为顾客提供系统的解决方案、优质的产品和贴心的服务。公司通过了GB/ISO9001-2008质量体系、GB/24001-2004环境管理体系、GB/T28001-2011职业健康安全管理体系和信息安全管理体系认证，并

6、获得CCIA信息系统业务安全服务资质证书以及计算机信息系统集成三级资质。 公司凭借完整的产品体系、较强的技术研发创新能力、强大的订单承接能力、快速高效的资源整合能力，形成了为客户提供整体解决方案的业务经营模式。经过多年的发展，公司产品已覆盖全国各省市。公司与国内多家知名厂商的良好关系为公司带来了新的行业发展趋势，使公司研发产品能够与时俱进，为公司持续稳定盈利、巩固市场份额、推广创新产品奠定了坚实的基础。公司建立完整的质量控制体系，贯穿于公司采购、研发、生产、仓储、销售等各环节，并制定了产品开发控制程序、产品审核程序、产品检测控制程序、等质量控制制度。公司注重建设、培养人才梯队，与众多高校建立了

7、良好的校企合作关系，学校为企业输入满足不同岗位需求的技术人员，达到企业人才吸收、培养和校企互惠的效果。公司筹建了实习培训基地，帮助学校优化教学科目，并从公司内部选拔优秀员工为学生授课，让学生亲身参与实践工作。在此过程中，公司直接从实习基地选拔优秀人才，为公司长期的业务发展输送稳定可靠的人才队伍。公司的良好人才梯队和人才优势使得本次募投项目具备扎实的人力资源基础。二、所属行业基本情况功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。功率半导体细分为功率器件（分立器件的一支）和功率IC（集成电路的一支）。理想情况下，完美的转化器在打开的时候没有任何电

8、压损失，在开闭转换的时候没有任何的功率损耗，因此功率半导体这个领域的产品和技术创新，其目标都是为了提高能量转化效率。IGBT的全称是InsulatedGateBipolarTransistor，即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件，既具备MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在高压、大电流、高速等方面有突出的产品竞争力，已成为电力电子领域开关器件的主流发展方向。三、公司经济效益分析上一年度，xxx科技公司实现营业收入30896.83万元，同比增长32.59%（7595.

9、17万元）。其中，主营业业务IGBT芯片生产及销售收入为25327.33万元，占营业总收入的81.97%。上年度主要经济指标序号项目第一季度第二季度第三季度第四季度合计1营业收入6488.338651.118033.187724.2130896.832主营业务收入5318.747091.656585.116331.8325327.332.1IGBT芯片(A)1755.182340.252173.082089.508358.022.2IGBT芯片(B)1223.311631.081514.571456.325825.292.3IGBT芯片(C)904.191205.581119.471076.4

10、14305.652.4IGBT芯片(D)638.25851.00790.21759.823039.282.5IGBT芯片(E)425.50567.33526.81506.552026.192.6IGBT芯片(F)265.94354.58329.26316.591266.372.7IGBT芯片(.)106.37141.83131.70126.64506.553其他业务收入1169.601559.461448.071392.385569.50根据初步统计测算，公司实现利润总额8599.72万元，较去年同期相比增长1772.61万元，增长率25.96%；实现净利润6449.79万元，较去年同期相比增

11、长1299.68万元，增长率25.24%。上年度主要经济指标项目单位指标完成营业收入万元30896.83完成主营业务收入万元25327.33主营业务收入占比81.97%营业收入增长率（同比）32.59%营业收入增长量（同比）万元7595.17利润总额万元8599.72利润总额增长率25.96%利润总额增长量万元1772.61净利润万元6449.79净利润增长率25.24%净利润增长量万元1299.68投资利润率67.48%投资回报率50.61%财务内部收益率23.56%企业总资产万元29105.85流动资产总额占比万元34.71%流动资产总额万元10103.65资产负债率35.21%第二章 项

12、目技术工艺特点及优势一、技术方案（一）技术方案选用方向1、对于生产技术方案的选用，遵循“自动控制、安全可靠、运行稳定、节省投资、综合利用资源”的原则，选用当前较先进的集散型控制系统，由计算机统一控制整个生产线的各项工艺参数，使产品质量稳定在高水平上，同时可降低物料的消耗。严格按行业规范要求组织生产经营活动，有效控制产品质量，为广大顾客提供优质的产品和良好的服务。2、遵循“高起点、优质量、专业化、经济规模”的建设原则。积极采用新技术、新工艺和高效率专用设备，使用高质量的原辅材料，稳定和提高产品质量，制造高附加值的产品，不断提高企业的市场竞争能力。3、在工艺设备的配置上，依据节能的原则，选用新型节

13、能型设备，根据有利于环境保护的原则，优先选用环境保护型设备，满足项目所制订的产品方案要求，优选具有国际先进水平的生产、试验及配套等设备，充分显现龙头企业专业化水平，选择高效、合理的生产和物流方式。4、生产工艺设计要满足规模化生产要求，注重生产工艺的总体设计，工艺布局采用最佳物流模式，最有效的仓储模式，最短的物流过程，最便捷的物资流向。5、根据该项目的产品方案，所选用的工艺流程能够满足产品制造的要求，同时，加强员工技术培训，严格质量管理，按照工艺流程技术要求进行操作，提高产品合格率，努力追求产品的“零缺陷”，以关键生产工序为质量控制点，确保该项目产品质量。6、在项目建设和实施过程中，认真贯彻执行

14、环境保护和安全生产的“三同时”原则，注重环境保护、职业安全卫生、消防及节能等法律法规和各项措施的贯彻落实。（三）工艺技术方案选用原则1、在基础设施建设和工业生产过程中，应全面实施清洁生产，尽可能降低总的物耗、水耗和能源消费，通过物料替代、工艺革新、减少有毒有害物质的使用和排放，在建筑材料、能源使用、产品和服务过程中，鼓励利用可再生资源和可重复利用资源。2、遵循“高起点、优质量、专业化、经济规模”的建设原则，积极采用新技术、新工艺和高效率专用设备，使用高质量的原辅材料，稳定和提高产品质量，制造高附加值的产品，不断提高企业的市场竞争力。（四）工艺技术方案要求1、对于生产技术方案的选用，遵循“自动控

15、制、安全可靠、运行稳定、节省投资、综合利用资源”的原则，选用当前较先进的集散型控制系统，控制整个生产线的各项工艺参数，使产品质量稳定在高水平上，同时可降低物料的消耗；严格按照电气机械和器材制造行业规范要求组织生产经营活动，有效控制产品质量，为广大顾客提供优质的产品和良好的服务。2、建立完善柔性生产模式；本期工程项目产品具有客户需求多样化、产品个性差异化的特点，因此，产品规格品种多样，单批生产数量较小，多品种、小批量的制造特点直接影响生产效率、生产成本及交付周期；益而益（集团）有限公司将建设先进的柔性制造生产线，并将柔性制造技术广泛应用到产品制造各个环节，可以在照顾到客户个性化要求的同时不牺牲生

16、产规模优势和质量控制水平，同时，降低故障率、提高性价比，使产品性能和质量达到国内领先、国际先进水平。二、项目工艺技术设计方案（一）技术来源及先进性说明项目技术来源为公司的自有技术，该技术达到国内先进水平。（二）项目技术优势分析本期工程项目采用国内先进的技术，该技术具有资金占用少、生产效率高、资源消耗低、劳动强度小的特点，其技术特性属于技术密集型，该技术具备以下优势：1、技术含量和自动化水平较高，处于国内先进水平，在产品质量水平上相对其他生产技术性能费用比优越，结构合理、占地面积小、功能齐全、运行费用低、使用寿命长；在工艺水平上该技术能够保证产品质量高稳定性、提高资源利用率和节能降耗水平；根据初

17、步测算，利用该技术生产产品，可提高原料利用率和用电效率，在装备水平上，该技术使用的设备自动控制程度和性能可靠性相对较高。2、本期工程项目采用的技术与国内资源条件适应，具有良好的技术适应性；该技术工艺路线可以适应国内主要原材料特性，技术工艺路线简洁，有利于流程控制和设备操作，工艺技术已经被国内生产实践检验，证明技术成熟，技术支援条件良好，具有较强的可靠性。3、技术设备投资和产品生产成本低，具有较强的经济合理性；本期工程项目采用本技术方案建设其主要设备多数可按通用标准在国内采购。4、节能设施先进并可进行多规格产品转换，项目运行成本较低，应变市场能力很强。第三章 背景及必要性一、IGBT芯片项目背景

18、分析功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。功率半导体细分为功率器件（分立器件的一支）和功率IC（集成电路的一支）。理想情况下，完美的转化器在打开的时候没有任何电压损失，在开闭转换的时候没有任何的功率损耗，因此功率半导体这个领域的产品和技术创新，其目标都是为了提高能量转化效率。根据IHS统计，2019年全球功率半导体市场规模约为400亿美元，预计2019-2025年全球功率半导体CAGR4.5%；根据华润微招股说明书，中国是全球最大的功率半导体消费国，2018年市场需求规模达到138亿美元，增速为9.5%，占全球需求比例达35.3%。功

19、率分立器件的演进路径基本为二极管晶闸管MOSFETIGBT，其中，IGBT是功率半导体新一代中的典型产品。IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的全控-电压驱动的功率半导体，IGBT既有MOSFET的开关速度快、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在高压、大电流、高速等方面是其他功率器件不能比拟的，因而是电力电子领域较为理想的开关器件，也被誉为“电力电子器件里的CPU”。根据Yole等相关统计，目前全球功率半

20、导体中约50%是功率IC，其余的一半是功率分立器件；在功率分立器件销售2017年占比中，MOSFET占比最高，约占31%，其次是二极管/整流桥占比约29%，晶闸管和BJT等占分立器件约21%，IGBT占比19%，但是其复合增速是所有产品中最快的。IGBT的价格相对稳定：就算在行业下行的2019年大厂商的出厂价格都没有下降，显示出很健康的价格浮动。总结来看，IGBT芯片的更新换代相对比较慢，且是渐进式的创新，不断优化升级，具体到某款IGBT产品，可以用到10年之久；同时供给端来看，IGBT行业巨头主要是德系和日系厂商，风格相对比较保守，不会激进扩张产能和打价格战。需求稳定且价格波动相对小，即使在

21、半导体整体需求不好的2019。电路的设计核心在于逻辑设计，可通过EDA等软件，而功率半导体和模拟IC类似，需要根据实际产品参数进行不断调整与妥协，因此，对工程师的经验要求也更高，优秀的设计师需要10年甚至更长时间的经验。大学里功率半导体和模拟IC部分教材也基本相当于是过去几十年从业者的“经验笔记”，并没有像数字集成电路那样相对有“标准范式”，而研发也是通过研发工程师团队不断修改参数权衡性能和成本的过程。2017年全球IGBT市场规模为52.55亿美元，同比2016年增长16.5%，2018年全球IGBT市场规模在58.36亿美元左右，同比增长11%，在功率半导体各个细分中属于景气度最高的。我国

22、IGBT行业发展至今，已取得较大进展，虽然仍需大量进口，但已有一部分企业具备规模化生产能力。2010年我国IGBT功率电器模块产量为190万只，2018年增长至1115万只。国内的IGBT需求增长远超全球增长：根据智研咨询的数据，2018年中国IGBT市场规模为161.9亿元，同比增长22.19%，增速显著高于全球平均水平；受益于新能源车、风电和光伏等我国强势领域的持续发展，预计未来国内IGBT的复合增速继续保持20%以上。IGBT市场竞争格局较为集中，主要竞争者包括英飞凌、三菱、富士电机、安森美、瑞士ABB等，2017年全球前五大IGBT厂商的份额超过70%，国内企业目前的市场份额普遍偏小。

23、国产替代空间广阔。目前国内IGBT模块打入全球前10的只有斯达半导，但也仅仅是占全球IGBT模块市场份额2.2%，由于IGBT的下游应用新能源车、光伏、风电等这些新兴领域，我国在世界上的话语权高于过去的传统燃油车领域和工控领域，因此在IGBT的增量空间中有一半以上需求都在中国，未来几年我国的IGBT市场需求占比将从2019年不35%提升到2025年的50%或以上，为我国的IGBT厂商提升份额和竞争力创造了良好的条件，国产IGBT厂商市场份额和业务量的提升潜力非常大。按照2019年单车IGBT平均用量为460美元，受益于BEV占比持续提升，预计2019-2022年单车用量逐年增长至2022年的4

24、90美元/车，2023年开始，SIC-MOS的成熟后单车平均IGBT用量逐渐下滑至2025年的430美元/车，2025年预测新能源车销量504万辆（根据国家新能源汽车产业发展规划2025年电动乘用车渗透率约25%推算得出。）按照以上假设思路，简单测算中国2025年车载IGBT市场规模达22亿美金，同时算个大数，届时全球新能源车数量预计为国内的3倍（即海外销量为国内的2倍），全球车载IGBT市场规模达66亿美金，相当于再造一个IGBT市场（2019年全球总的IGBT在60亿美金量级）。风电和光伏中的整流器和逆变器都需要用到IGBT模块。根据能源局数据，2019年国内光伏装机30.11GW，全球光

25、伏装机115GW。国内2019年光伏发电量占总发电量3%，未来持续提升潜力大。根据联合国马德里气候变化大会的中国2050年光伏发展展望，从2020年至2025年这一阶段开始，中国光伏将启动加速部署；2025年至2035年，中国光伏将进入规模化加速部署时期，到2050年，光伏将成为中国第一大电源，约占当年全国用电量的40%左右，未来光伏发展的空间和潜力仍然较大。风电和光伏2025年对应IGBT的全球需求量级在15亿美金：由前述智研咨询和英飞凌预计的IGBT总体空间和新能源发电占比可以推算出（IGBT2018年全球市场空间58亿美金，其中光伏风电等IGBT应用占比9%），2018年光伏风电IGBT

26、市场空间约5.22亿美金。目前的能源结构里，太阳能和风能合计占比不足10%。在全球节能减排大背景下，降低对化石能源的依赖，增加太阳能、风能的使用已经成为世界各国的共识。据BloombergNEF预测，预计2025年全球光伏新增装机接近300GW，风电也比照光伏5年2.5倍左右的增长，则测算风电和光伏2025年对应IGBT的全球需求量级在12-15亿美金。IGBT是“变频器”的核心部件之一，变频白色家电的推广可以为IGBT的IPM带来稳定的市场。目前白色家电的变频渗透率还有提升空间：根据产业在线网，近年来国内白电变频渗透率在持续提升：1）空调：2012年到2018年，国内变频空调销量从3016万

27、台提升到6434万台，渗透率从28.94%提升到42.70%；2）冰箱：2012年到2018年，国内变频冰箱销量从363万台提升到1665万台，渗透率从4.80%提升到22.15%；3）洗衣机：2012年到2018年，国内变频洗衣机销量从577万台提升到2163万台，渗透率从10.36%提升到32.97%。Yole预计2022年白色家电变频驱动IGBT市场规模达9.9亿美金，较17年增长22%。变频白电这块的IGBT国产化低：国内仅有士兰微和华微电子有一些白电IPM模块出货，家电IPM模块虽然单价较低，替换供应商的动力不强，并且下游集中，目前龙头企业的供应商均为日本，美国的企业，例如美的主要是

28、Sanyo、Fairchild；格力/海尔主要是Mitsubishi，还有一些IR、LS等在供应，在供应链安全因为外部环境受到威胁时，国内的IGBT厂商未来在这一块利基市场还是有比较大的替代潜力。我国变频器行业的市场规模总体呈上升态势。IGBT模块在变频器中不仅起到传统的三极管的作用，亦包含了整流部分的作用。2016年我国变频器行业的市场规模为416.77亿元，平均4年复合增长率为8.74%。2017年我国变频器市场规模约453.2亿元。未来几年，具有高效节能功能的高压变频器市场将受政策驱动持续增长，到2023年，高压变频器的市场将达到175亿元左右。逆变式弧焊电源，又称弧焊逆变器，是一种新型

29、的焊接电源。这种电源一般是将三相工频（50赫兹）交流网路电压，先经输入整流器整流和滤波，变成直流，再通过大功率开关电子元件（IGBT）的交替开关作用，逆变成几千赫兹至几万赫兹的中频交流电压，根据国家统计局数据，2018年我国电焊机产量为853.3万台，同比2017年增加了58.46万台。电焊机市场的持续升温亦将保证IGBT需求量逐步增大。全球工控IGBT下游市场较为分散：根据集邦咨询数据，2019年全球工控市场IGBT市场规模约为140亿元，中国工控市场IGBT市场规模约为30亿元。由于工控市场下游需求分散，单一下游需求的增长难以拉动整体行业需求提升，因此工控IGBT市场需求较为稳定，假设未来

30、每年保持3%的规模增速，预计到2025年全球工控IGBT市场规模将达到170亿元。这一块是IGBT行业的基本盘，需求稳定且波动相对较小。全球多家功率半导体巨头均有布局下一代基于氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的功率半导体，为在市场上与传统硅基功率半导体件进行对决奠定基础。成本下降和产品稳定需要时间验证，国产厂商的核心矛盾是国产替代。SiCMOSFET产品的稳定性需要进一步验证，根据英飞凌2020年功率半导体应用大会上专家披露，目前SiCMOSFET真正落地的时间还非常短，在车载领域才刚开始商用，一些诸如短路耐受时间等技术指标没有提供足够多的验证，一个高端功率半导体从客户认证到产品试应用再到产

31、品批量应用要比较长的时间，因此，未来3-5年IGBT还是主流的高端功率半导体产品，SiC会在部分高端新能源车领域有一些逐步缓慢的渗透。但是对于国内厂商来说，未来5年核心矛盾是国产替代（龙头市占率从2%到20%）。因此，目前来看，SiC产业链被国外高度垄断，未来2-3年当SiC成本由目前是Si基4-5倍下降至2倍，并且国内SIC上下游产业链也更加成熟、打破国外垄断时，预计SIC才会在国内开始提升渗透率，并且SiC只是一种基材，未来随着SiC技术的逐渐成熟，也会有SiCIGBT相关产品。总结来看，未来3-5年SiIGBT还是应用主流，国内厂商的核心逻辑在于工控家电新能源领域进行国产替代提升份额，5

32、年后SiC基材逐渐侵占Si基材份额的大趋势下，相信国内的技术领先优质的龙头功率半导体也能够积极储备相关技术和产品，积极拥抱迎接这一行业创新。二、鼓励中小企业发展统计数据显示，民营经济如今已成为中国经济的中坚力量。截至2017年年底，我国实有个体工商户6579.4万户，私营企业2726.3万户，广义民营企业合计占全部市场主体的94.8%。而且，民营经济解决了绝大部分就业，是技术进步和创新的巨大驱动力：创造了60%以上GDP，贡献了70%以上的技术创新和新产品开发，提供了80%以上的就业岗位。十九大报告提出，毫不动摇巩固和发展公有制经济，毫不动摇鼓励、支持、引导非公有制经济发展。中共中央、国务院发

33、布关于深化投融资体制改革的意见，提出建立完善企业自主决策、融资渠道畅通，职能转变到位、政府行为规范，宏观调控有效、法治保障健全的新型投融资体制。改善企业投资管理，充分激发社会投资动力和活力，完善政府投资体制，发挥好政府投资的引导和带动作用，创新融资机制，畅通投资项目融资渠道。“十三五”期间，我国经济仍将处于新常态，增长速度将维持在中高速水平，制造业发展进一步受到发达国家振兴制造业和东南亚国家低成本竞争的双重压力，整体经济发展困难较大，特别是随着部分行业去产能，另一些行业大力推行智能制造、大规模应用“机器替人”，中小企业的经营压力可能进一步加大，发展空间进一步受限，就业压力持续存在期甚至加大。在

34、这种情况下，发展中小企业不仅有助于促进经济发展、提升就业吸纳能力，而且还能够进一步发挥我国经济规模优势，助推制造业竞争力提升。我国高度重视中小企业发展，密集出台了一系列政策措施，取消和调整一批行政审批项目，实施“三证合一”登记制度，加大小微企业增值税、营业税，以及所得税优惠力度；金融管理部门引导银行业金融机构加大对小微企业信贷支持力度，实现小微企业贷款增速、户数、申贷获得率“三个不低于”目标；财政资金转变支持方式，开展小微企业创业创新基地城市示范。三、宏观经济形势分析结构性去产能持续加力，工业产能利用率稳中有升。降本减负取得新成效。重点领域标准体系建设扎实推进，中高端产品供给水平稳步提升。绿色

35、制造工程加快实施。新能源汽车动力蓄电池回收利用试点积极推进。落实区域重大战略，区域发展协调性增强。国家新型工业化产业示范基地建设质量提升。脱贫攻坚战深入推进。四、IGBT芯片项目建设必要性分析工业控制为IGBT最大市场需求领域，需求稳定增长。IGBT模块是变频器、逆变焊机等传统工业控制及电源行业的核心元器件，且已在此领域中得到广泛应用。目前，随着工业控制及电源行业市场的逐步回暖，预计IGBT模块在此领域的市场规模亦将得到逐步扩大。变频器是应用变频技术与微电子技术，通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备。变频器靠内部IGBT的开断来调整输出电源的电压和频率，根据电机的实际需要

36、来提供其所需要的电源电压，进而达到节能、调速的目的，另外，变频器还有很多的保护功能，如过流、过压、过载保护等等。随着工业自动化程度的不断提高，变频器也得到了非常广泛的应用。IGBT模块在变频器中不仅起到传统的三极管的作用，同时包含了整流部分的作用。控制器产生的正弦波信号通过光藕隔离后进入IGBT，IGBT再根据信号的变化将380V（220V）整流后的直流电再次转化为交流电输出。近年来，国内变频器行业的市场规模总体呈上升态势。2016年国内变频器行业的市场规模为416.77亿元，平均4年复合增长率为8.74%。2017年国内变频器市场规模约453.2亿元。近年来，变频器市场中国内自主研发能力有所

37、提升，特别是高压变频器在2017年的专利申请数稳定在160项以上。同时，在实体经济的拉动作用下，变频器已进入新能源领域，在冶金、煤炭、石油化工等工业领域将保持稳定增长，在城市化率提升的背景下，变频器在市政、轨道交通等公共事业领域的需求也会继续增长，从而促进市场规模扩大。未来几年，具有高效节能功能的高压变频器市场将受政策驱动持续增长，到2023年，高压变频器的市场将达到175亿元左右。逆变式弧焊电源，又称弧焊逆变器，是一种新型的焊接电源。这种电源一般是将三相工频（50赫兹）交流网路电压，先经输入整流器整流和滤波，变成直流，再通过大功率开关电子元件（IGBT）的交替开关作用，逆变成几千赫兹至几万赫

38、兹的中频交流电压，同时经变压器降至适合于焊接的几十伏电压，后再次整流并经电抗滤波输出相当平稳的直流焊接电流。近年来，国内电焊机数量保持稳定增长趋势。2018年国内电焊机产量为853.3万台，同比2017年增加了58.46万台。电焊机市场的持续升温亦将保证IGBT需求量逐步增大。IGBT模块在新能源汽车领域中发挥着至关重要的作用，是新能源汽车电机控制器、车载空调、充电桩等设备的核心元器件。其中电机控制器+锂电池+汽车电机=新能源汽车动力系统，电机控制器相当于传统汽车的发动机，而其中的IGBT模块相当于是汽车动力系统的“CPU”。随着新能源汽车从48V/MHEV（轻混合电动车）逐渐向PHEV/FH

39、EV（混合电动车）再向BEV（纯电动车）发展，单台汽车中功率半导体含量大幅提升，48V/MHEV和PHEV/FHEV车型，2018年的单台汽车的功率半导体含量相对于传统汽车分别增加了75美金和300美金，而BEV纯电动车中功率半导体的含量为455美金。由于IGBT是新能源电动汽车的核心元器件之一，单台电动汽车的功率半导体含量的大幅提升，必将带来单台电动汽车IGBT价值量的提升。从新能源电动汽车成本来看，占比较大的零部件是电池、电机、电控系统、电驱动零部件等，分别大概占到40%、15%、12%、8%。IGBT模块作为电控系统的核心零部件，大概占到电控系统成本的30-40%左右，粗略估计IGBT模

40、块占到整车成本的4-5%左右。五、IGBT芯片行业分析近年来全球新能源汽车销量快速增长，全球新能源乘用车的销量将由2019年的221万辆增长到2025年的1200万辆，年均复合增长率将达到32.6%，而中国作为全球最大的新能源汽车市场，占比将维持在40-50%份额。2016年全球电动车销量大概200万辆，共消耗了大概9亿美金的IGBT，平均每辆车450美金。预计随着全球电动车的销量提升，IGBT在电动车领域的市场将在2022年达到20亿美金。此外，随着新能源汽车的不断普及，对于充电桩的需求日益增加，也会拉动IGBT的需求。由于中国新能源汽车市场最大，每年新增的充电桩数量也是全球最多。从2010

41、年的1000桩左右的建设规模到2018年的30万桩左右的建设规模，2019年上半年又新增22.5万桩。直流充电桩中，IGBT是最核心的部分，占总成本达到30%。随着充电桩的新增规模不断提升，也会进一步拉动IGBT的需求。随着节能环保的大力推行，具有变频功能的白色家电将具有广阔的市场前景。具有变频功能的白色家电最核心的部件之一是其内部的“变频器”，而IGBT模块作为变频器的核心元器件，其高频开闭合功能能够带来以下优点：1、较小的导通损耗和开关损耗；2、出色的EMI性能，可通过改变驱动电阻的大小满足EMI需求的同时保持开关损耗在合理范围内；3、强大的抗短路能力；4、较小的电压尖峰（对家电起到保护作

42、用）。中国作为全球最大的家电市场和生产基地，亦孕育着大规模的IGBT市场。变频白色家电的推广不仅仅能够促进IGBT模块市场的持续扩张，更能够给IGBT模块提供稳定的市场需求。近年来国内白色家电变频系列销量占比逐渐提升。空调系列：2012年到2018年，国内变频空调销量从3016万台提升到6434万台，渗透率从28.94%提升到42.70%，仍有较大的提升空间；冰箱系列：2012年到2018年，国内变频冰箱销量从363万台提升到1665万台，渗透率从4.80%提升到22.15%，仍有很大提升空间；洗衣机系列：2012年到2018年，国内变频洗衣机销量从577万台提升到2163万台，渗透率从10.

43、36%提升到32.97%，同样有很大提升空间。新能源发电主要以光伏发电和风力发电为代表。由于新能源发电输出的电能不符合电网要求，需通过光伏逆变器或风力发电逆变器将其整流成直流电，再逆变成符合电网要求的交流电后输入并网。IGBT模块是光伏逆变器和风力发电逆变器的核心器件，新能源发电行业的迅速发展将成为IGBT模块行业持续增长的又一动力。近年来国内新能源发电设备容量保持快速增长趋势。从2016年到2019年，国内新能源发电设备容量一直保持快速增长，并网风电发电设备容量从14864万千瓦增加到21005万千瓦，并网太阳能发电设备容量从7742万千瓦增加到20468万千瓦，新能源发电设备容量（风电和太

44、阳能发电）占全口径发电设备容量比重从13.74%增加到20.63%。IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的缩写，即绝缘栅双极型晶体管。它是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件，既有MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在高压、大电流、高速等方面是其他功率器件不能比拟的，因而是电力电子领域较为理想的开关器件，是未来应用发展的主要方向。正是由于具有上述优点，IGBT自20世纪80年代末开始工业化应用以来发展迅速，不仅在工业应用中取代了MOSFET和GTR，甚至已扩

45、展到SCR及GTO占优势的大功率应用领域，还在消费类电子应用中取代了BJT、MOSFET等功率器件的许多应用领域。IGBT技术的发展目标是：大电流、高电压、低损耗、高频率、功能集成化和高可靠性。传动领域（如电力牵引机车）和智能电网领域都需要大功率IGBT的应用，英飞凌、东芝、三菱、西门子等公司高压IGBT器件已可做到6500V，ARPAE（先进能源研究计划署）更是推出了SiCIGBT模块，电压能达到15kV。IGBT芯片发展趋势是：薄片工艺，主要是减少热阻，减小衬底电阻从而减小通态损耗;管芯，主要是提高器件电流密度，十余年来管芯面积减少了23；大硅片，硅片由5英寸变为12英寸，面积增加了5.7

46、6倍，折算后每颗芯粒的成本可大为降低；新材料方面主要以SiC和GaN宽禁带半导体材料为代表。六、IGBT芯片市场分析预测IGBT的全称是InsulatedGateBipolarTransistor，即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件，既具备MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在高压、大电流、高速等方面有突出的产品竞争力，已成为电力电子领域开关器件的主流发展方向。IGBT功率半导体最大的优势是节能，传统的功率半导体损耗非常大，需要多个器件才能达到电能转换的效果。IGB

47、T通过调节电机的转速来提升能源转换效率，从而达到节能的作用。需求上，IGBT的需求最主要来自新能源汽车带动的增长；工业领域属于稳健的需求，增量来自于新基建；新能源变电和电网来自国家政策的推动发展；轨道交通是中国的优势领域。但是，相对于传统功率半导体，IGBT工艺流程长达2.5-3个月，只要有一个参数变生偏差，就需要工艺流程重新这工，1年时间内没有几次试错的机会。IGBT广泛应用于工业、汽车、通信及消费电子领域，其主要电压应用范围在600V到1200V之间。由于经济的飞速发展，我国能源需求量大幅上升，在节能减排政策的背景下，工业控制、变频白色家电等节能效果明显的产品近年来市场规模不断扩大。低压领

48、域：IGBT主要应用于变频白色家电，例如冰箱、空调等家用消费电子必需品与重要耗能品。在汽车领域，IGBT低导通状态压降低特性有利于传统燃油汽车电子点火系统对燃料效率的提升。同时随着新能源汽车替代率逐步上升，将持续拉动IGBT模块市场的需求。在工业领域，随着新基建步伐的加快，我国建成5G基站、人工智能产业、新能源充电基础设施快速发展。中压领域：随着信息产业与高端制造业的快速发展，新能源并网和电网工程建设工程逐步加强，我国工业逆变焊机、逆变频器市场持续升温，USB电源不新能源变电市场稳步增长。IGBT行业增长动力：节能减排推动市场增长。根据各国电动汽车动力来源及碳排放量数据可知，以煤炭为主要动能的

49、国家碳排放量最多，印度碳排放量高达370gCo2e/km。中国电动汽车同样以煤炭为主要动能，其碳排放量为258gCo2e/km。由于经济的飞速发展，我国能源需求量大幅上升，在节能减排政策的背景下，工业控制、变频白色家电等节能效果明显的产品近年来市场规模不断扩大。第四章 项目建设主要内容和规模（一）用地规模该项目总征地面积47216.93平方米（折合约70.79亩），其中：净用地面积47216.93平方米（红线范围折合约70.79亩）。项目规划总建筑面积70825.40平方米，其中：规划建设主体工程54856.20平方米，计容建筑面积70825.40平方米；预计建筑工程投资5947.32万元。（

50、二）设备购置项目计划购置设备共计134台（套），设备购置费3846.80万元。二、产值规模项目计划总投资15781.69万元；预计年实现营业收入38981.00万元。第五章 项目建设地点一、IGBT芯片项目建设选址原则为了更好地发挥其经济效益并综合考虑环境等多方面的因素，根据IGBT芯片项目选址的一般原则和IGBT芯片项目建设地的实际情况，“IGBT芯片项目”选址应遵循以下原则：1、布局相对独立，便于集中开展科研、生产经营和管理活动。2、与IGBT芯片项目建设地的建成区有较方便的联系。3、地理条件较好，并有足够的发展潜力。4、城市基础设施等配套较为完善。5、以城市总体规划为依据，统筹考虑用地与

51、城市发展的关系。6、兼顾环境因素影响，具有可持续发展的条件。二、IGBT芯片项目选址方案及土地权属（一）IGBT芯片项目选址方案1、IGBT芯片项目建设单位通过对IGBT芯片项目拟建场地缜密调研，充分考虑了IGBT芯片项目生产所需的内部和外部条件：距原料产地的远近、企业劳动力成本、生产成本以及拟建区域产业配套情况、基础设施条件及土地成本等。2、通过对可供选择的建设地区进行比选，综合考虑后选定的IGBT芯片项目最佳建设地点IGBT芯片项目建设地，所选区域完善的基础设施和配套的生活设施为IGBT芯片项目建设提供了良好的投资环境。银川，简称银，是宁夏回族自治区首府，国务院批复确定的中国西北地区重要的

52、中心城市。截至2018年，全市下辖3个区、2个县、代管1个县级市，总面积9025.38平方千米，建成区面积170平方千米，常住人口225.06万人，城镇化率77.57%。2019年常住人口229.31万人。银川地处中国西北地区、宁夏平原中部，东踞鄂尔多斯西缘、西依贺兰山，黄河从市境穿过，是古丝绸之路商贸重镇，宁夏的军事、政治、经济、文化、科研、交通和金融中心，宁蒙陕甘毗邻地区中心城市，沿黄城市群核心城市，中蒙俄、新亚欧大陆桥经济走廊核心城市，是国家向西开放的窗口。银川是国家历史文化名城，历史悠久的塞上古城，早在3万年前就有人类在水洞沟遗址繁衍生息，史上西夏王朝的首都，是国家历史文化名城，民间传

53、说中又称凤凰城，古称兴庆府、宁夏城，素有塞上江南、鱼米之乡的美誉，城西有著名的国家级风景名胜区西夏王陵。城市综合竞争力跻身全国百强，荣获全国文明城市、国家节水型城市、国家卫生城市、国家园林城市、国家环保模范城市、中国人居环境范例奖等殊荣，被评为中国十大新天府之一。2018年1月，获评2017中国智慧城市发展示范城市。2018年10月，获评健康中国年度标志城市。2018年10月，获全球首批国际湿地城市称号。2018年重新确认国家卫生城市。2019年10月23日，被确定为第三批城市黑臭水体治理示范城市。2019年12月，被命名为全国民族团结进步示范市。（二）工程地质条件1、根据建筑抗震设计规范（G

54、B50011）标准要求，IGBT芯片项目建设地无活动断裂性通过，无液化土层及可能震陷的土层分布，地层均匀性密实较好，因此，本期工程IGBT芯片项目建设区处于地质构造运动相对良好的地带，地下水为上层滞水，对混凝土无腐蚀性，各土层分布稳定、均匀而适宜建筑。2、拟建场地目前尚未进行地质勘探，参考临近建筑物的地质资料，地基土层由第四系全新统（Q4）杂填土、粉质粘土、淤泥质粉土、圆砾卵石层组成，圆砾卵石作为建筑物的持力层，Pk=300.00Kpa；建设区域地质抗风化能力较强，地层承载力高，工程地质条件较好，不会受到滑坡及泥石流等次生灾害的影响，无不良地质现象，地壳处于稳定状态，场地地貌简单适应本期工程I

55、GBT芯片项目建设。三、IGBT芯片项目用地总体要求（一）IGBT芯片项目用地控制指标分析1、“IGBT芯片项目”均按照项目建设地建设用地规划许可证及建设用地规划设计要求进行设计，同时，严格按照建设规划部门与国土资源管理部门提供的界址点坐标及用地方案图布置场区总平面图。2、建设IGBT芯片项目平面布置符合轻工产品制造行业、重点产品的厂房建设和单位面积产能设计规定标准，达到工业IGBT芯片项目建设用地控制指标（国土资发【2008】24号）文件规定的具体要求。（二）IGBT芯片项目建设条件比选方案1、IGBT芯片项目建设单位通过对可供选择的建设地区进行缜密比选后，充分考虑了IGBT芯片项目拟建区域

56、的交通条件、土地取得成本及职工交通便利条件，IGBT芯片项目经营期所需的内外部条件：距原料产地的远近、企业劳动力成本、生产成本以及拟建区域产业配套情况、基础设施条件等，通过建设条件比选最终选定的IGBT芯片项目最佳建设地点IGBT芯片项目建设地，本期工程IGBT芯片项目建设区域供电、供水、道路、照明、供汽、供气、通讯网络、施工环境等条件均较好，可保证IGBT芯片项目的建设和正常经营，所选区域完善的基础设施和配套的生活设施为IGBT芯片项目建设提供了良好的投资环境。2、由IGBT芯片项目建设单位承办的“IGBT芯片项目”，拟选址在IGBT芯片项目建设地，所选区域土地资源充裕，而且地理位置优越、地

57、形平坦、土地平整、交通运输条件便利、配套设施齐全，符合IGBT芯片项目选址要求。（三）IGBT芯片项目用地总体规划方案本期工程项目建设规划建筑系数55.42%，建筑容积率1.50，建设区域绿化覆盖率7.28%，固定资产投资强度162.60万元/亩。（四）IGBT芯片项目节约用地措施1、土地既是人类赖以生存的物质基础，也是社会经济可持续发展必不可少的条件，因此，IGBT芯片项目建设单位在利用土地资源时，严格执行国家有关行业规定的用地指标，根据建设内容、规模和建设方案，按照国家有关节约土地资源要求，合理利用土地。2、在IGBT芯片项目建设过程中，IGBT芯片项目建设单位根据总体规划以及项目建设地期对本期工程IGBT芯片项目地块的控制性指标，本着“经济适宜、综合利用”的原则进行科学规划、合理布局，最大限度地提高土地综合利用率。第六章 工程方案一、工程设计条件IGBT芯片项目建设地属于建设用地，其地形地貌类型简单，岩土工程地质条件优良，水文地质条件良好，适宜