完整版模拟电子技术5章习题答案

1、 放大电路的频率响应5 自我检测题 一选择和填空的影响；低频时放大 C 1放大电路对高频信号的放大倍数下降，主要是因为 晶体管的非线性；B. 的影响。(A. 耦合电容和旁路电容；倍数下降，主要是因为 A ) 晶体管的极间电容和分布电容C. 电路放大倍数的幅值约下降为中频时共射放大电路中当输入信号频率为f、f时，2HL G dB；此时与中频相比，放大倍数的附加相移约为 的 A ；或者说是下降了 D ) H. -90，I. -180，E. 5dB，F. 7dB)； (G. -45，B. 0.5度。(A. 0.7，C. 0.9)； (D. 3dB&某放大电路所示。由图可见，该电路的中频电3的对数幅频

2、响应如图选择题3A|v&ff2 8 压增益 10；Hz = 10 Hz ； 下限频率 = = 1000 ；上限频率A|LHMv ff?f?f 。57 57 dB；当 dB 时电路的实际增益当= 时电路的实际增益= HL 20lgA/dBv-20dB/十倍频程十倍频程+20dB/806040200f/Hz21011084610101010 图选择题3 vv D 。（A.会产生线性失真 4若放大电路存在频率失真，则当为正弦波时， io B.为非正弦波 C.会产生非线性失真 D.为正弦波） 5放大电路如图选择题5所示，其中电容增大，则导致 D 。（A.输 入电阻增大 B. 输出电阻增大 C.工作点升

3、高 D.下限频率降低） ?+V CCR2R1?C?1?RLv?vos_R3_? 图选择题5 二判断题（正确的在括号内画，错误的画） 1改用特征频率f高的晶体管，可以改善阻容耦合放大电路的高频响应特性。（ ） T 136 2增大分布电容的容量，可以改善阻容耦合放大电路的低频响应特性。（ ） 3幅度失真和相位失真统称为非线性失真。（ ） 4当某同相放大电路在输入一个正弦信号时产生了频率失真，则输出电压波形将为非正弦。（ ） 5当放大电路输入一个三角波电压时，输出电压波形的上升、下降斜线明显弯曲，因此可以肯定该放大电路的非线性失真较大。（ ） 6当晶体管选定后，在信号频率远大于上限截止频率时，放大电

4、路增益与信号频率乘积近似为一个常数。（ ） 7当晶体管和放大电路的结构选定之后，提高放大电路的电压放大倍数，必会牺牲放大电路的频带宽度。（ ） 8在阻容耦合放大电路中，增大耦合电容的容量，有利于高频信号畅通，因此可以改善高频响应特性。（ ） 习题 5.1某放大电路的，现输入信号频率为2MHz的正弦波，试问MHzf?1f?100HzHL输出波形是否会产生频率失真？若输入信号是由100kHz和2MHz两种频率分量组成的波形，问此时输出信号波形有无频率失真？ 解：（1）输入信号频率为2MHz的正弦波时，输出不会产生频率失真。 （2）若输入信号是由100kHz和2MHz两种频率分量组成的波形，则输出波

5、形有频率失真。 & ，中频电压增益kHzHz?100，最大不失5.2一共射放大电路的通频带为100A40dB?vM真交流输出电压范围为-4V?+4V，试求： ?3?的正弦信号，（1）若输入一个输出波形是否会产生频率失真和非mV?104t10sin&间的相位差是多少？ 与线性失真？若不失真，则输出电压的峰值是多大？VVio?3?，重复回答（1）若）中的问题。 （2mVv?50sin104t?25?i?3?，输出波形是否会失真？3）若 （mV10sinv?104t?60?i解：（1）因为输入信号的工作频率 ，处于中频区 kHz2f?& ?v?v?A100?1V?4VmV?10?vMomim所以输出

6、波形不会产生非线性失真，又因为输入信号是单一频率的正弦波，所以输出也不会产生频率失真。根据上述计算可知，输出电压的峰值为1V，因是共射&间的相位差是-180 电路，与VVio （2）因为输入信号的工作频率 ，处于中频区 kHz?50f& ?v?v?4100?5V?VA50?mV?vMimom所以输出波形会产生非线性失真，但因输入是单一频率的正弦波，故不会产生频率失真。 （3）因为输入信号的工作频率 ，处于高频区，电压放大倍数小于中频放kHz?120f大倍数，即 & v?v?A1100mV?10?VvMimom 137 所以输出即不会产生非线性失真。又因为输入信号是单一频率的正弦波，输出不 会产

7、生频率失真。 已知某放大电路电压放大倍数的频率特性为5.3fj1000 10& A? vff?j?j11? 61010?试求该电路的上、下限频率，中频电压增益的分贝数，输出电压与输入电压在中频区的相 位差。f& 将，可得：的表达式分子、分母同时除以解：Ajv 10fj10001000 10& ?A vff?f10?j?j11j?1?j1? 6 10610f?10?，下RC高通、低通滤波电路的放大倍数表达式，可知：上限频率对比简单kHz1000f?H&中频电压增益，输入电压与输出电压在中频区的相位限频率AdB|1000?60|?Hzf?10MvL 差为0 已知某放大电路的电压放大倍数的频率特性为

8、5.4510? A?v f20)j1?(1?j)( 5f10 。试画出该电路的幅频响应波特图，并求出中频增益、上限频率和下限频率ffLH&将高通、低通滤波电路的放大倍数表达式进行对比，可知：解：RC的表达式与简单Av&5 ，下限频率。，上限频率AdB|?10|?100kHz?f100Hz20f?MvLH 该电路的幅频响应波特图如下： dBA/20lgv十倍频程-20dB/10080十倍频程+20dB/604020010206325410101010100f/Hz ?，晶体，H一个高频晶体管，在时，其低频参数为：5.5mAI?2100?r?1.5kEQ0beg、。管的特征频率 ，试求混合型模型参

9、数：，pF3?CCrrMHz?f100mTcbeebbbb 138 ImA2EQ ，解：mS77?g? mmV26VTV26? ，T?rk?1?1001?1.3 eb2IEQ ，?1.5?1.3?0.2kr?r?rbebbbb3?g1077?m pF123C? 6eb?f210?2?3.14?100T ，放大电路如图题5.6所示，已知三极管为3DG8D，5.6?R?220kR?2k50?bS，?pFC?41msgV?38.5V?R?10k?5FCF?R?2k?C?1020mLCC2cb1beb ，试求：pF?r?100?4CVV?0.6BEcbbb （1）画出电路的高频小信号等效电路，估算其上

10、限频率；fH （2）画出电路的低频小信号等效电路，估算其下限频率。fL V+(+5V)CC b b2V+(+12V)CC CR bb1RcC?360k2 C1RvF10?sRoLvovvsi +V CC5.6 图题cC解：）高频小信号等效电路如下： （1Rb2b+.CrbcIcIbbbb+bCc b1+TRsRvrLCRoRR+bebebLc.VVg_sebme_ ?50高频小信号等效电路原理图(a) (b) ?k?r?1.3? ebmSg38.5m ?1.3?1.4k?r?r?r0.1?bebbeb? ?0.82202?0.1k1.3rR?(RR?)r? ?ebsbbb? pF438.51?

11、102302?C?Cg1?R?C?41?cLbbem11 kHz?659f ?H10?10?2RC23.140.8?302123? 2（）低频小信号等效电路如下： 139 .CCIb1b2b +Rs.?IRRVrR+bbbeLoc.V_s_ 111 Hz68?f?4.1L 5?3?C)R/2CR2r(R?10?)?210(2?220/1.41bsbe1b1b211 Hz?0.66f? ?2L10?10?202?210RC2R(?R)C2?63?2cLb2b2 f?Qf1LL2 Hz4.68f?f?1LL ?r?1k?，要求中频增益为所示放大电路中，晶体管的，5.7已知图题5.750?beRHz

12、?10fdB40 的大小。和，下限截止频率为，试确定C1cLV+(+5V)CC RRCcb b2V+(+12V)CC bb1RcC?360k2 C1RvF?10sRoLvovvsi 5.7 图题 ?R&c解： A?100Q?40dB vMrbe&3Ar10100?bevM ?2k?R? c?501Hz?fQ?10 ?LCr2)(R1bbe11 ?C?16?F?1fRr2)(1012k?360kLbbe ，其中晶体管参数为：5.8所示，设信号源内阻5.8电路如图题?R?500120?S ；其余参数如图中所示。试求：，pF?1C?r?50MHz?f500VV0.7?TBEcbbb 、；）混合型模型

13、参数：（1、Crgmeebbf ；2（）电路的上限频率H ）中频区电压增益；（3 ）增益带宽积。（4 140 (+15V)V+DD V+(+15V)CC RRcRCdb12 ?4.7k?k33C2 C1C1T?F1R1Lv?F1?20kRoRsLvRvRogRi?k4b2eCe?3.9k?k22v?F10s 5.8 图题R22V?V2b0.715? V?VRR?BEQCC 2233? 1）解：（mA?I?1.4?BEQBQ2bb1 EQ3.9RReeImA1.4EQ mS53.8?g? mmV26VTV26? T?1?1201?2.2k?r? eb1.4IEQ ?k2.2?r?r?r?0.05

14、?2.25bebbeb3?g1053.8?m pF?C?17? eb?f2610?2?3.14?100T? （2）?k2.2r?33220.5?0.050.44)R?(RR?r?ebbbsb? pF4.74?C?C1331?gR?1C?17?53.81?cbmbLe11 MHz?f?2.72? ?H10?2?RC2?3.14?1330.44?10123?2.25?334.7422120rR?R&bebL 3（）94?A? vsM2.25Rr?Rr2.25330.5?22bebesb&? A255.68?2.72?10?f?94?MHz6）4 （HvsM ，已知晶体管已知晶体管电路如图题5.8所

15、示，设信号源内阻为5.9?500?R100?S 。，估算电路的下限频率fV?50?V?0.7rLBEbb1 解：，?RQ可视为开路?Ree?Cje ）输入回路：（1C10 e?F1?CC?0.09?11b?100?1?111 Hzf?645? ?1L1010?CrR2(?)2?0.52.25?0.09?63?1sbe 141 （2）输出回路： 12 Hz18?f? ?2L10?4.7?41?10?22(R?R)C6?32Lbc f?QfL21L Hz645f?f?LL1 I1mA），三个电阻（分别为沟道耗尽型MOS场效应管（、5.10有一个N?1MDSS，要求从中选择合适的电阻、电容、）和两个

16、电容（分别为0.1F 、10F ）?10100k?k组装一个如图题5.10所示的放大电路（其负载电阻为），并希望该放大电路有较高的?20k输入电阻和尽量低的下限截止频率。 (+15V)V+ DDV(+15V)CC RRcRCdb22 C2 1C1TR1v20k?oRsLvRgi?b1eCevs 图题5.10 R必须取大值，所以应取。）为使电路有尽可能高的输入电阻， 解：（1?1Mg（2）在此电路中，则，所以，为保证电路具有合适的静态工作mA?I01I?V?DSSGSDR应取。 点，?k10d11，若、两者相差4倍以上，因为电路最终的ff,f?f? ?L12L2L1LCC2?RR2Rg1dL2C应取下限截止频率取决于两者中较大的下限频率，所以要使下限截止频率尽可能低，1C取。 ，?FF0.1102 rr?相同，5.11已知图题5.11所示电路中，两个晶体管的，和50?be1be21r?2k?，试分析： be2（1）定性分析C、C、C中哪一个电容对放大电路的下限截止频率起决定性作用？f312L（简要说明理由） （2）估算该放大电路的下限截止频率。 fL 142 V+V CC CC (+9V)(+12V)RRRRRRRcb2b11ccb22b11?750k?6.8k?300k?620k3k?620