电子技术发展史ppt课件

1、1-1,电子技术的发展历史 电子技术是在19世纪末叶无线电发明之后才 发展起来的一门重要学科,测量技术,20世纪四十年代：晶体管,晶体管与电子管相比: 体积小、重量轻、功耗低、寿命长。 20世纪六十年代：集成电路 SSI,里程碑,3 亿个晶体管,4 个晶体管,LSI,VLSI,20世纪初：真空管,通信技术,计算技术,自动控制技术,MSI,上一页,下一页,返 回,电子技术,1-2,晶体管 第二代电子器件 中、小规模集成电路 第三代电子器件 大规模集成电路 第四代电子器件 超大规模集成电路 第五代电子器件,微电子学 电力电子学,真空管 第一代电子器件,电子技术,上一页,下一页,返 回,1-3,电子

2、技术,1、性质：电子技术是一门技术基础课，是研究电子器件应用的科学。电子器件的种类很多，他们都是通过控制电子在不同介质中的运动状态或能量状态而产生不同的作用的,2、特点,a、非纯理论性课程,b、实践性很强,c、以工程实践的观点处理电路中的一些问题,3、内容：以器件为基础，以信号为主线 研究各种电路的工作原理、特点及性能指标等,4、目的：了解一般的常用器件 掌握对基本电子电路的分析方法及计算方法,1-4,电容器,上一页,下一页,返 回,1-5,电阻器,上一页,下一页,返 回,1-6,电感器,上一页,下一页,返 回,1-7,双极型三极管,上一页,下一页,返 回,1-8,双极型三极管,上一页,下一页

3、,返 回,1-9,晶闸管,上一页,下一页,返 回,1-10,晶闸管,上一页,下一页,返 回,1-11,电子元件图例,上一页,下一页,返 回,1-12,电子元件图例,上一页,下一页,返 回,1-13,电子元件图例,上一页,返 回,1-14,第 8 章 半导体器件,8.1 半导体基础知识,8.2 半导体二极管,8.3 特殊二极管,分析与思考,教学基本要求,练习题,8.4 双极型晶体管,返回主页,1-15,半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间。 如：硅、锗、砷化镓和一些硫化物、氧化物等,8.1半导体的基础知识,定义：纯净的具有晶体结构的半导体 结构特点：最外层电子（价电子）都是四个,一） 本征半导体

4、,含有两种载流子带负电的电子、带正电的空穴 载流子的数量少且成对出现 当受外界热和光的作用时，导电能力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变,1-16,共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子 常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子 因此本征半导体中的自由电子很少 所以本征半导体的导电能力很弱,形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构,共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体,共价键共用电子对,本征半导体的导电机理,1-17,本征半导体的导电机理,在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，没有可以运动的带电粒子（即载

5、流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体,在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴,本征半导体中存在数量相等的两种载流子 即带负电的自由电子和带正电的空穴,本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度,温度越高，载流子的浓度越高，因此其导电能力越强。 温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素 这是半导体的一大特点,1-18,二） 杂质半导体,P 型半导体,N 型半导体,空穴数量 自由电子数量,多数载流子,少数载流子,自由电子数量 空穴数量,与浓度有关,与温度有关,靠空穴导电,靠自由电子导电,定义：渗入少量杂质的半导体,形成：

6、向本征半导体中渗入适量的 3 价元素,形成：向本征半导体中渗入适量的 5 价元素,1-19,P型半导体,N型半导体,扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽,漂移使空间电荷区变薄,扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，空间电荷区的厚度固定不变,三）PN结,称为PN结,1） PN 结的形成,1-20,1） PN 结的形成,在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导体和N 型半导体，经过载流子的扩散、漂移，在它们的交界面处就形成了PN 结,扩散运动：多数载流子由浓度差形成的运动,漂移运动：少数载流子在内电场作用下形成的运动,1-21,R,E,一、正向特性PN 结正向偏置,P,N,_,内电场被削弱，多子的扩

7、散加强能够形成较大的扩散电流,I,2）PN结的特性,扩散运动漂移运动,较大,1-22,二、反向特性PN 结反向偏置,N,P,_,内电场被被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流,R,E,I0,扩散运动 漂移运动,1-23,PN结具有单向导电性 正向偏置时，PN结处于导通状态 呈现正向电阻很小，电流较大,反向偏置时，PN结处于截止状态 呈现反向电阻很大，电流较小,反向电流受温度影响较大,通过分析可知,1-24,8.2 半导体二极管,一、基本结构,PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管,点接触型,面接触型,二极管的电路符号,1-25,正向,U,I,V,mA

8、,1、正向特性： 当正向电压超过死区电 压后，二极管导通,二、伏安特性,1-26,I,导通压降 硅管0.7V,锗管0.3V,死区电压 硅管0.5V, 锗管0.2V,正向,伏,毫安,2、反向特性： 反向饱和电流,击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏,硅管：几A,锗管：几百A,反向击穿电压,1-27,3、近似和理想伏安特性,考虑二极管导通电压时的伏安特性,忽略二极管导通电压时的伏安特性,硅管：0.6-0.7V,锗管：0.2-0.3V,1、近似特性,2、理想特性,1-28,三、主要参数,1. 额定正向平均电流（最大整流电流 ）IF,二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流,3. 最高反向工作电压UR,指不被击穿所允许的最大反向电压，手册上给出的最高反向工作电压,4. 反向电流 IRm,指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍,选择和使用二极管的依据,2. 正向电压降UF,IF所对应的电压,1-29,四、二极管的主要应用,应用一、钳制电位的作用,例8.2.1 已知：DA和DB为硅二极管，求下列情况下输出电压UF的值。（1,1