芯片工艺流程PPT课件

1、芯片工艺流程,1,芯片生产工艺流程（课件,芯片工艺流程,2,单晶拉制（1,芯片工艺流程,3,单晶拉制（2,芯片工艺流程,4,单晶拉制（3,芯片工艺流程,5,单晶拉制（4,芯片工艺流程,6,单晶拉制（5,芯片工艺流程,7,环境和着装,芯片工艺流程,8,单项工艺-扩散(1,卧式4炉管扩散/氧化炉,扩散/氧化进炉实景图,芯片工艺流程,9,单项工艺-扩散(2,立式扩散/氧化炉,扩散/氧化进炉实景图,芯片工艺流程,10,单项工艺-扩散(3,扩散工序作业现场,芯片工艺流程,11,单项工艺-光刻(1,先进光刻曝光设备,芯片工艺流程,12,单项工艺-光刻(2,现场用光刻曝光设备,芯片工艺流程,13,单项工艺-

2、光刻(3,检查用显微镜,芯片工艺流程,14,单项工艺-光刻(4,清 洗,淀积/生长隔离层,匀 胶,SiO2 Si3N4 金属,HMDS喷淋（增加Si的粘性） -匀光刻胶,芯片工艺流程,15,单项工艺-光刻(5,前 烘,对 版,匀 胶,对每个圆片必须按要求对版,用弧光灯将光刻版上的图案转 移到光刻胶上,增加黏附作用 -促进有机溶剂挥发,芯片工艺流程,16,单项工艺-光刻(6,显影/漂洗,坚 膜,腐 蚀,硬化光刻胶。 -增加与硅片的附着性,将圆片进行显影/漂洗，不需要的的光刻胶溶解到有机溶剂,去 胶,干法腐蚀/湿法腐蚀,芯片工艺流程,17,单项工艺-光刻(7,光刻工艺过程,芯片工艺流程,18,单项

3、工艺-CVD（1,芯片工艺流程,19,单项工艺-CVD（2,初级离子气体被吸收到硅片表面,芯片工艺流程,20,单项工艺-CVD（3,初级离子气体在硅片表面分解,芯片工艺流程,21,单项工艺-CVD（4,玻 璃 的 解 吸,芯片工艺流程,22,单项工艺-CVD（5,芯片工艺流程,23,单相工艺-离子注入（1,芯片工艺流程,24,单相工艺-离子注入（2,芯片工艺流程,25,单相工艺-离子注入（3,芯片工艺流程,26,单相工艺-蒸发（1,蒸发原理示意图,芯片工艺流程,27,单相工艺-蒸发（2,溅射原理示意图,芯片工艺流程,28,单相工艺-蒸发（3,芯片工艺流程,29,单相工艺-清洗,芯片工艺流程,3

4、0,基础认知,芯片工艺流程,31,衬底材料,扩散层,外延层,单晶片,扩散片,外延片,芯片工艺流程,32,一次氧化,sio,2,外延层,芯片工艺流程,33,基区光刻,sio,2,外延层,芯片工艺流程,34,干氧氧化,sio,外延层,2,芯片工艺流程,35,离子注入,sio,外延层,2,杂质注入,芯片工艺流程,36,基区扩散,sio,外延层,2,基区,芯片工艺流程,37,发射区光刻,sio,外延层,2,基区,芯片工艺流程,38,发射区预淀积,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,芯片工艺流程,39,发射区扩散（*,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,芯片工艺流程,40,发射区低温氧化（*

5、,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,芯片工艺流程,41,氢气处理,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,芯片工艺流程,42,N+光刻（适用于P型片,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,芯片工艺流程,43,N+淀积扩散（适用P型片,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,芯片工艺流程,44,N+低温氧化（适用P型片,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,芯片工艺流程,45,氢气处理（适用P型片,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,芯片工艺流程,46,3B光刻,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,芯片工艺流程,47,铝蒸发,AL,外延层,基区,发射区,集电区,芯

6、片工艺流程,48,四次光刻,AL,外延层,基区,发射区,集电区,芯片工艺流程,49,氮氢合金,AL,外延层,基区,发射区,集电区,芯片工艺流程,50,AL上CVD,SiO,外延层,基区,发射区,集电区,2,芯片工艺流程,51,氮气烘焙（适用N型片,SiO,外延层,基区,发射区,集电区,2,芯片工艺流程,52,五次光刻,SiO,外延层,基区,发射区,集电区,2,芯片工艺流程,53,中测抽测,SiO,外延层,基区,发射区,集电区,2,测试系统,芯片工艺流程,54,减薄、抛光,SiO,外延层,基区,发射区,集电区,2,减薄和抛光部分,芯片工艺流程,55,蒸金/银,SiO,外延层,基区,发射区,集电区,2,芯片工艺流程,56,背金合金,SiO,外延层,基区,发射区,集电区,2,芯片工艺流程,57,芯片测试,SiO,外延层,基区,发射区,集电区,2,测试系统,芯片工艺流程,58,N型片制造（一般）工艺流程,N型片投片和编批,一次氧化,基区光刻,干氧氧化,硼离子注入,基区扩散,发射区光刻,发射区磷预淀积,发射区扩散,发射区低温氧化,3次光刻,铝蒸发,氮氢合金,铝上CVD,五次光刻,氮气烘焙,中测抽测,背面合金,芯片测试,减薄/抛光,四次光刻,氢气处理,蒸金,芯片工艺流程,59,P型片制造（一般）工艺流程,P型投片编批,一次氧化,基区光刻,发射区硼预淀积