多晶硅的危害

1、多晶硅的危害 2010/9/1 9:09:38 近年，尤其是 2007 年以来，我国多晶硅产业有着迅猛的发展。 1000t 以上级别多晶硅生产装置陆续建成。 多晶硅的危害主要在其生产过程中有氢气、液氯、三氯氢硅等有害物质生成，生产过程中又存在火灾、爆炸、中毒、 窒息、触电伤害等诸多危险因素。 多晶硅生产过程中主要危险、有害物质中氯气、氢气、三氯氢硅、氯化氢等主要危险特性有： ）氢气：与空气混合能形成爆炸性混合物，遇热或明火即会发生爆炸。气体比空气轻，在室内使用和储存 时，漏气上升滞留屋顶不易排出，遇火星会引起爆炸。氢气与氟、氯、溴等卤素会剧烈反应。 ）氧气：易燃物、可燃物燃烧爆炸的基本要素之一

2、，能氧化大多数活性物质。与易燃物（ 如乙炔、甲烷等 ） 形成有爆炸性的混合物。 ）氯：有刺激性气味，能与许多化学品发生爆炸或生成爆炸性物质。几乎对金属和非金属都起腐蚀作用。 属高毒类。是一种强烈的刺激性气体。 ）氯化氢：无水氯化氢无腐蚀性，但遇水时有强腐蚀性。能与一些活性金属粉末发生反应，放出氢气。遇 氰化物能产生剧毒的氰化氢气体。 ）三氯氢硅：遇明火强烈燃烧。受高热分解产生有毒的氯化物气体。与氧化剂发生反应，有燃烧危险。极 易挥发，在空气中发烟，遇水或水蒸气能产生热和有毒的腐蚀性烟雾。燃烧（分解 ）产物 :氯化氢、氧化硅。 ）四氯化硅：受热或遇水分解放热，放出有毒的腐蚀性烟气。 ）氢氟酸：腐

3、蚀性极强。遇 H 发泡剂立即燃烧。能与普通金属发生反应,放出氢气而与空气形成爆炸性混 合物。 ）硝酸：具有强氧化性。与易燃物（如苯 ）和有机物 （如糖、纤维素等 ）接触会发生剧烈反应，甚至引起燃烧。 与碱金属能发生剧烈反应。具有强腐蚀性。 ）氮气：若遇高热，容器内压增大。有开裂和爆炸的危险。 ）氟化氢：腐蚀性极强。若遇高热，容器内压增大，有开裂和爆炸的危险。 ）氢氧化钠：本品不燃 ,具强腐蚀性、强刺激性，可致人体灼伤。 火灾、爆炸、中毒是多晶硅项目在生产中的主要危险、有害因素，另外，还存在触电、机械伤害、腐蚀、粉 尘等危险、有害因素。主要有： ）氢气制备：电解槽、氢、氧贮罐等，火灾爆炸、触电、

4、机械伤害。 ）氯化氢合成：氯化氢合成炉、氯气、氢气缓冲罐等，火灾爆炸、中毒、触电。 ）三氯氢硅合成：三氯氢硅合成炉、合成气洗涤塔、供料机等，火灾爆炸、中毒、腐蚀、触电、机械伤害、 粉尘。 ）合成气分离：混合气洗涤塔、氯化氢吸收塔、氯化氢解析塔、混合气压缩机等，火灾爆炸、中毒、腐蚀、 触电、机械伤害。 ）氯硅烷分离：精馏塔、再沸器、冷凝气等，火灾爆炸、中毒、腐蚀、触电、机械伤害。 ）三氯氢硅还原：三氯氢硅汽化器、还原炉、还原炉冷却水循环泵等，火灾爆炸、中毒、腐蚀、触电、机 械伤害。 ）还原尾气分离：混合气洗涤塔、混合气压缩机、氯化氢吸收塔等，火灾爆炸、中毒、腐蚀、触电、机械 伤害。 ）四氯化硅氢

5、：化四氯化硅汽化器、氢化炉等，火灾爆炸、中毒、腐蚀、触电、机械伤害。 通过以上分析，火灾爆炸、化学中毒是主要潜在危险、有害因素，在工艺、设备、设施和防护方面存在隐患 和缺陷时，非常容易发生，所以应针对可能发生的原因，采取防范措施预以积极排除。对生产过程尽量采用自动控制 系统，提高自动控制水平；在氯气、氯化氢、三氯氢硅、盐酸、四氯化硅容易泄漏的部位，加强通风并设置可燃、有 毒气体检测报警装置；为作业人员配发合格适宜的防毒、防尘、防灼伤等防护用品，来避免多晶硅带来的危害。 多晶硅 百科名片 多晶硅 多晶硅，是单质硅的一种形态。 熔融的单质硅在过冷条件下凝固时， 硅原子以 金刚石 晶格形态 排列成许

6、多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。 利用价值：从目前国际 太阳电池 的发展过程可以看出其发展趋势为 单晶硅、多晶硅、带状硅、 薄膜 材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。 目录 简介 性质 生产危害 利用价值 工业发展 国际多晶硅产业概况 国际多晶硅主要技术特征 国内多晶硅产业概况 简介 性质 生产危害 利用价值 工业发展 国际多晶硅产业概况 国际多晶硅主要技术特征 国内多晶硅产业概况 ? 多晶硅产业发展预测 ? 多晶硅行业发展的主要问题 ? 行业发展对策与建议 ? 多晶硅太阳能充电器 展开 编辑本段 简介 多晶硅 ;polycrysta

7、llinesilicon 编辑本段 性质 灰色 金属光泽 。密度 2.322.34 。熔点 1410。 沸点 2355。溶于 氢氟酸 和硝酸 的混酸中，不溶于水、硝酸和 盐酸 。硬度介于 锗和石英 之间，室温下质 脆，切割时易碎裂。加热至 800以上即有延性， 1300时显出明显变形。常温 下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活 泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体 性质，是极为重要的优良 半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收 音机、 录音机 、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅 粉与干燥氯化氢 气体

8、在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。 多晶硅可作拉制 单晶硅 的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性 质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学 性质的各向异性方面，远不如单 晶硅明显；在 电学 性质方面，多晶硅 晶体的导电性也远不如单晶硅显着，甚至 于几乎没有 导电性 。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从 外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和 电阻率 等。 多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能 、自动控制 、 信息处理 、 光电转换 等半导体器件的 电子信息 基础材料。被称为“ 微电子 大厦的基石”。 编辑本段 生产危害 多

9、晶硅生产过程中主要危险、有害物质中氯气、氢气、三氯氢硅、氯化氢 等主要危险特性有： ）氢气：与空气混合能形成 爆炸性混合物 ，遇热或明火即会发生爆炸。 气体比空气轻，在室内使用和储存时，漏气上升滞留屋顶不易排出，遇火星会 引起爆炸。氢气与氟、氯、溴等卤素会剧烈反应。 ）氧气：助燃物、可燃物燃烧爆炸的基本要素之一，能氧化大多数活性 物质。与易燃物 （ 如乙炔、甲烷等 ）形成有爆炸性的混合物。 ）氯：有刺激性气味，能与许多化学品发生爆炸或生成爆炸性物质。几 乎对金属和非金属都起腐蚀作用。属高毒类。是一种强烈的 刺激性气体 。 ）氯化氢：无水氯化氢无腐蚀性，但遇水时有强腐蚀性。能与一些活性 金属粉末

10、 发生反应，放出氢气。遇氰化物能产生剧毒的氰化氢气体。 ）三氯氢硅：遇明火强烈燃烧。受高热分解产生有毒的氯化物气体。与 氧化剂发生反应，有燃烧危险。极易挥发，在空气中发烟，遇水或水蒸气能产 生热和有毒的腐蚀性烟雾。燃烧 （分解）产物: 氯化氢、氧化硅。 ）四氯化硅：受热或遇水分解放热，放出有毒的腐蚀性烟气。 ）氢氟酸：腐蚀性极强。遇 H发泡剂立即燃烧。能与普通金属发生反应, 放出氢气而与空气形成爆炸性混合物。 ）硝酸：具有强氧化性。与易燃物 （如苯）和有机物 （ 如糖、纤维素等 ）接 触会发生剧烈反应，甚至引起燃烧。与碱金属能发生剧烈反应。具有强腐蚀性。 ）氮气：若遇高热，容器内压增大。有开裂

11、和爆炸的危险。 ）氟化氢：腐蚀性极强。若遇高热，容器内压增大，有开裂和爆炸的 危险。 ）氢氧化钠：本品不燃 , 具强腐蚀性、强刺激性，可致人体灼伤。 编辑本段 利用价值 在 太阳能 利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。虽然从目前来讲， 要使 太阳能发电 具有较大的市场，被广大的消费者接受，就必须提高 太阳电池 的光电转换效率，降低生产成本。从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其 发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、 薄膜 材料（包括微晶硅基薄膜、化合物 基薄膜及染料薄膜）。 编辑本段 工业发展 从工业化发展来看，重心已由单晶向多晶方向发展，主要原因为； 1 可供 应太阳 电池 的头尾料愈来

12、愈少； 2 对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇 铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料； 3 多晶硅的生产工艺 不断取得进展，全自动浇铸炉每生产周期（50 小时）可生产 200 公斤以上的硅 锭，晶粒的尺寸达到厘米级； 4 由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快，其 中工艺也被应用于多晶硅电池的生产，例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀 绒面、表面和体钝化、细金属栅电极，采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降 低到 50 微米，高度达到 15 微米以上，快速热退火技术用于多晶硅的生产可大 大缩短工艺时间，单片热工序时间可在一分钟之内完成，采用该工艺在 100 平 方厘米的 多晶硅片 上作

13、出的电池转换 效率超过 14。据报道，目前在 5060 微 米多晶硅衬底上制作的电池效率超过 16。利用机械刻槽、 丝网印刷技术在 100 平方厘米多晶上效率超过 17，无机械刻槽在同样面积上效率达到16，采用 埋栅结构，机械刻槽在 130 平方厘米的多晶上电池效率达到 15.8 。 编辑本段 国际多晶硅产业概况 光伏材料 ，其市场 太阳能电池 的主流 3 个国家 7 个公司 当前，晶体 硅材料 （包括多晶硅和单晶硅）是最主要的 占有率在 90以上 , 而且在今后相当长的一段时期也依然是 材料。多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在美、日、德等 的 10 家工厂手中，形成技术封锁、市场垄断的状况。

14、 多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池。按纯度要求不同，分为电 子级和太阳能级。 其中，用于 电子级多晶硅 占 55左右，太阳能级多晶硅占 45， 随着 光伏产业 的迅猛发展，太阳能电池对多晶硅需求量的增长速度高于半导体 多晶硅的发展，预计到 2008 年 太阳能多晶硅 的需求量将超过电子级多晶硅。 1994 年全世界太阳能电池的总产量只有 69MW，而 2004 年就接近 1200MW， 在短短的 10 年里就增长了 17 倍。专家预测 太阳能光伏 产业在二十一世纪前半 期将超过 核电成为最重要的基础 能源 之一 据悉， 美国 能源部计划到 2010 年累计安装容量 4600MW， 日本

15、 计划 2010 年 达到 5000MW，欧盟计划达到 6900MW，预计 2010 年世界累计安装量至少 18000MW。 从上述的推测分析，至 2010 年太阳能电池用多晶硅至少在30000 吨以上，表 2 给出了世界太阳能多晶硅工序的预测。据国外资料分析报道，世界多晶硅的产 量 2005 年为 28750 吨，其中半导体级为 20250 吨，太阳能级为 8500 吨，半导 体级需求量约为 19000 吨，略有过剩；太阳能级的需求量为 15000 吨，供不应 求，从 2006 年开始太阳能级和半导体级多晶硅需求的均有缺口，其中太阳能级 产能缺口更大。 据日本稀有金属杂志 2005 年 11

16、 月 24 日报道，世界半导体与太阳能多晶硅 需求紧张，主要是由于以欧洲为中心的太阳能市场迅速扩大， 预计 2006 年，2007 年多晶硅供应不平衡的局面将为愈演愈烈，多晶硅价格方面半导体级与太阳能 级原有的差别将逐步减小甚至消除， 2005 年世界太阳能电池产量约 1GW， 如果 以 1MW用多晶硅 12 吨计算， 共需多晶硅是 1.2 万吨， 2005 2010 年世界太阳能 电池平均年增长率在 25，到 2010 年全世界半导体用于太阳能电池用多晶硅的 年总的需求量将超过 6.3 万吨。 世界多晶硅主要生产企业有日本的Tokuyama、三菱、住友公司、美国的 Hemlock 、 Asi

17、mi 、 SGS、 MEMC公司， 德国的 Wacker 公司等，其年产能绝大部分 在 1000 吨以上，其中 Tokuyama、 Hemlock、 Wacker 三个公司生产规模最大，年 生产能力均在 3000 5000 吨。 编辑本段 国际多晶硅主要技术特征 （1）多种生产工艺路线并存，产业化技术封锁、垄断局面不会改变。由于 各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应 的多晶硅产品技术经济指标、 产品质量指标 、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，目前国际上多晶硅 生产主要的传统工艺有： 改良西门子法 、硅烷法和流化床法

18、。其中改良西门子 工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的 80，短期内产业化技术垄断封锁 的局面不会改变。 （ 2）新一代低成本多晶硅 工艺技术 研究空前活跃。除了传统工艺（电子级 和太阳能级兼容）及技术升级外，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的 新工艺技术，主要有：改良西门子法的低价格工艺；冶金法从 金属硅 中提取高 纯度硅；高纯度 SiO2 直接制取；熔融析出法 （ VLD：Vapertoliquiddeposition）； 还原或热分解工艺；无氯工艺技术， AlSi 溶体低温 制备太阳能级硅；熔盐电 解法等。 编辑本段 国内多晶硅产业概况 近年来，在中央政府大力推广 新能源 政策的支

19、持下，各地方省份也是积极 跟进，培养优势产业。江西省抓住机遇，凭借粉石英（硅材料主要原料）储量 全国第一的资源优势，出台多方面措施保障光伏产业发展。短短3、4 年间，使 得一大批光伏产业上下游项目迅速在 江西 集聚，成为我国重要的光伏 产业基地 。 以新余为主产地、以赛维 LDK和盛丰能源为核心企业的 产业带 具有较强的生产 能力，初步建立了从硅料、硅片到 太阳能电池组件 及配套产品的完整 产业链 ， 拥有了对外合作的有效途径和一批关键人才，在国内已具有较明显的规模优势 和市场竞争力。 2008 年江西省光伏产业发展迅速，实现销售收入 128.9 亿元。另外该省生 产的多晶硅片已占全球总产量的

20、四分之一，龙头企业赛维 2008 年的产能超过 1400MW。 2009 年初，经省政府同意，由江西省 发改委 牵头编制的江西省光伏产业 发展规划正式下发，为江西光伏产业发展确定了大的方向。规划中提到，力 争到 2012 年将江西打造成为全球重要的光伏产业生产基地。按照规划，未来数 年，新余、丰城、 南昌 产业带将建成全省光伏产业主要集聚区。 江西丰城 工业园集中了国内几家主要的多晶硅生产企业，目前综合 产能 达 吨以上，其中 江西盛丰新能源科技有限公司 产能最大，年 达到吨，年可达吨，预计年项目计划工程 完成后，产能将稳定在吨以上。 江西盛丰新能源科技有限公司于 2008 年 9 月 28

21、日注册成立。公司位于 赣 江之滨的丰城市丰源工业园， 距省会 南昌市 仅 60 公里，距昌北机场 1 小时路程， 周边紧靠 105 国道、 昌樟高速公路 ，交通便利。 盛丰能源是一家专业从事太阳能级多晶硅研发和生产的企业，拥有一批长 期从事 电力 及硅材料提纯生产的协作团队，其具有自主知识产权 的新物理法太 阳能级高纯硅生产技术，将为国内太阳能电池制造提供高效 高纯硅料 并大幅降 低太阳能电池制造成本，成为有别于西门子法高纯硅生产技术依靠者，以大力 提升 光伏发电 的竞争力。 江西赛维 LDK太阳能高科技有限公司 是世界规模最大的太阳能多晶硅片生 产企业。工厂坐落于江西省 新余市 经济开发区，

22、专注于太阳能多晶硅铸锭及多 晶硅片研发、生产、销售为一体的高新技术光伏企业，拥有国际最先进的生产 技术和设备。 公司注册资金 11095 万美元，总投资近 3 亿美元。 2006 年 4 月份 投产， 7月份产能达到 100 兆瓦， 8月份入选“ REDHERRING亚洲百强企业”， 10 月份产能达到 200 兆瓦，被国际专业人士称为“ LDK 速度奇迹”。荣获“ 2006 年中国 新材料产业 最具成长性企业”称号。目前公司正致力于发展成为一个 “世界级光伏企业”。 2007 年 6 月 1 日，赛维 LDK成功在美国 纽约证交所 上市，成为中国企业历 史上在美国单一发行最大的一次 IPO；

23、赛维 LDK是江西省企业有史以来第一次在 美国上市的企业，是中国新能源领域最大的一次IPO。 该公司 1.5 万吨硅料项目近日已在江西省新余市正式启动，该项目总 固定 资产投资 120 亿元以上，预计将成为目前全球太阳能领域单个投资额最多、产 能设计规模最大的项目之一。 据悉，该项目计划首期在 2008 年底前建成投产，形成 6000 吨太阳能级硅 料的年生产能力； 2009 年项目全部建成投产后，将形成 1.5 万吨产能，从而使 该公司成为世界主要的太阳能多晶硅原料生产企业。 编辑本段 多晶硅产业发展预测 高纯多晶硅是电子工业和太阳能光伏产业的基础原料，在未来的50 年里， 还不可能有其他材

24、料能够替代硅材料而成为电子和光伏产业主要原材料。 随着 信息技术 和太阳能产业的飞速发展，全球对多晶硅的需求增长迅猛， 市场供不应求。世界多晶硅的产量 2005 年为 28750 吨，其中半导体级为 20250 吨，太阳能级为 8500 吨。半导体级需求量约为 19000 吨，略有过剩；太阳能级 的需求量为 15600 吨，供不应求。近年来，全球太阳能电池产量快速增加，直 接拉动了多晶硅需求的迅猛增长。全球多晶硅由供过于求转向供不应求。受此 影响，作为太阳能电池主要原料的多晶硅价格快速上涨。 中国多晶硅工业起步于 20 世纪 50 年代， 60 年代中期实现了产业化，到 70 年代，生产厂家曾

25、经发展到 20 多家。但由于工艺技术落后，环境污染严重，消 耗大，成本高等原因，绝大部分企业亏损而相继停产或转产。到目前为止，国 内有多晶硅生产条件的单位有洛阳中硅高科技有限公司、 峨嵋半导体材料厂 （所）、 四川新光硅业科技有限责任公司 、亚洲硅业（ 青海 ）有限公司 4 家企 业。 中国 集成电路 和太阳能电池对多晶硅的需求快速增长，2005 年集成电路产 业需要电子级多晶硅约 1000 吨，太阳能电池需要多晶硅约 1400 吨；到 2010 年， 中国电子 级多晶硅年需求量将达到约 2000 吨，光伏级多晶硅年需求量将达到约 4200 吨。而中国多晶硅的自主供货存在着严重的缺口，95%以

26、上多晶硅材料需要 进口，供应长期受制于人，再加上价格的暴涨，已经危及到多晶硅下游众多企 业的发展，成为制约中国信息产业和光伏产业产业发展的瓶颈问题。 由于多晶硅需求量继续加大，在市场缺口加大、价格不断上扬的刺激下， 国内涌现出一股搭上 多晶硅项目 的热潮。多晶硅项目的投资热潮，可以说是太 阳能电池市场迅猛发展的必然结果，但中国硅材料产业一定要慎重发展，不能 一哄而上；关键是要掌握核心技术，否则将难以摆脱受制于人的局面。 作为高科技产业，利用硅矿开发多晶硅，产业耗能大，电力需求高。目前 电价已成为中国大多数硅矿企业亟待突破的瓶颈之一。因此中国大力发展多晶 硅产业，亟需在条件成熟的地方制定电价优惠

27、政策，降低成本。 由于需求增加快速，但供给成长有限，预估 多晶硅料 源的供应 2007 年将是 最严重缺乏的一年， 预计到 2009 年，全世界多晶硅的年需求量将达到 6.5 万吨。 在未来的 3 至 5 年间，也就是在中国的“十一五”期间，将是中国多晶硅产业 快速发展的黄金时期。 编辑本段 多晶硅行业发展的主要问题 产业化差距 同国际先进水平相比，国内多晶硅生产企业在产业化方面的差距主要表现 在以下几个方面： 产能低供需矛盾突出 2005 年中国太阳能用单晶硅企业开工率在20 30，半导体用单 晶硅企业开工率在 80 90，无法实现满负荷生产， 多晶硅技术 和市场 仍牢牢掌握在美、日、德国的

28、少数几个生产厂商中，严重制约我国产业发展。 生产规模小 现在公认的最小 经济规模 为 1000 吨 / 年，最佳经济规模在 2500 吨/ 年，而 我国现阶段多晶硅生产企业离此规模仍有较大的距离。 工艺设备落后 同类产品物料和电力消耗过大，三废问题多，与国际水平相比，国内多晶 硅生产物耗能耗高出 1 倍以上，产品成本缺乏竞争力。 其他 4、千吨级工艺和设备技术的可靠性、先进性、成熟性以及各子系统的相互 匹配性都有待生产运行验证，并需要进一步完善和改进。 5、国内多晶硅生产企业技术创新能力不强，基础研究资金投入太少，尤其 是非标设备的研发制造能力差。 6、地方政府 和企业项目投资多晶硅项目，存在

29、低水平重复建设的隐忧。 7产生大量污染。 编辑本段 行业发展对策与建议 1、发展壮大我国多晶硅产业的市场条件已经基本具备、时机已经成熟，国 家相关部门加大对多晶硅产业技术研发，科技创新、工艺完善、项目建设的支 持力度，抓住有利时机发展壮大我国的多晶硅产业。 2、支持最具条件的改良西门子法共性技术的实施，加快突破千吨级多晶硅 产业化关键技术，形成从材料生产工艺、装备、自动控制、回收循环利用的多 晶硅产业化生产线，材料性能接近国际同类产品指标；建成节能、低耗、 环保 、 循环、 经济 的多晶硅材料生产体系，提高我们多晶硅在国际上的竞争力。 3、依托高校以及研究院所，加强新一代低成本工艺技术基础性及

30、前瞻性研 究 ，建立低成本太阳能及多晶硅研究开发的知识及技术创新体系 ，获得具有自 主知识产权的生产工艺和技术。 4、政府主管部门加强宏观调控与行业管理，避免低水平项目的重复投资建 设，保证产业的有序、可持续发展。 编辑本段 多晶硅太阳能充电器 简介 多晶硅 太阳能充电器 是将光能转换成 电能 的光电转换设备 . 太阳能充电器的原理是 : 通过光电转换板将光能转换成电能并储藏在内置 的容量为 2600mAH的锂电池 里, 然后再通过控制电路将内置锂电池的电能经过输 出接口给手机 , 数码相机 ,MP3,MP4 等产品充电 . 在长期无阳光照射的环境下 , 也可以通过市电 (AC100V-240V) 给内置的锂电 池充电 , 适用于出差 , 旅游 , 长途乘车船 , 野外作业等环境的备用电源 . 技术参数 太阳能 功率:0.7W（ 多晶硅 ） 市电