电力电子技术试题

1、0000002、电子技术包括 信息电子技术 和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。0000001、电力变换通常可分为：交流变直流、直流变直流、直流变交流和交流变交流 。0000002、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在开关状态。当器件的工作频率较高时，开关损耗会成为主要的损耗。0000001、电力变换通常分为四大类，即交流变直流、直流变直流、直流变交流、交流变交流 。0100004、过电压产生的原因操作过电压 、雷击过电压 ，可采取 RC过电压抑制电路、压敏电阻 等措施进行保护。0100002、请在空格内标岀下面元件的简称：电力晶体管GTR ;

2、可关断晶闸管 GTO ；功率场效应晶体管 MOSFET ;绝缘栅双极型晶体管IGBT ; IGBT是MOSFET和GTR的复合管。0100004、晶闸管对触发脉冲的要求是 触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通、触发脉冲应有足够的幅度、触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额和 应有良好的抗干扰性能、 温度稳定性及与主电路的电气隔离 。（可作简答题）0100003、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是挑选特性参数尽量一致的器件和采用均流电抗器 。0100004、抑制过电压的方法之一是用电容 吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。0100001、型号为KP100-8的晶闸

3、管表示其额定电压为800伏、额定有效电流为100安。0100003、在电力晶闸管电路中，常用的过电压保护有隹；压敏电阻等几种。（写岀 2种即可）避雷器；RC过电压抑制电路/阻容吸收;硒0100001、目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有GTR、 GTO、MOSFET、IGBT 几种0100003、普通晶闸管的图形符号是三个电极分别是阳极A，阴极K和门极G晶闸管的导通条件是 晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或者UAk 0且UK0 ;关断条件是 使流过晶闸管的阳极电流降到维持电流以下。0100002、可关断晶闸管的图形符号是_;电力场效应晶体管的图形符号是_，绝缘栅双极晶

4、体管的图形符号是；电力晶体管的图形符号是 ；0100003、绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极作为栅极，以电力晶体管发射极和集电极作为发射极与集电极复合而成。0100004、有一晶闸管的型号为KK200- 9,请说明KK 快速晶闸管 ；200表示表示额定电流200A, 9表示额定电压900V。0100004、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V,流过晶闸管的电流有效值为 15A,则这个电路中晶闸管的额定电压可选为（2）XX 220 ;晶闸管的额定电流可选 为 （2）X 15/ 。0100003、常用的过电流保护措施有电子电路 、快速熔断器 、 直流快速熔断器 、过电流继电

5、也。（写岀2种即可）0100003、给晶闸管阳极加上一定的正向 电压;在门极加上 正向门极 电压,并形成足够的 门极触发 电流，晶闸管才能导通。0100002、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于擎住 电流之前，如去掉 触发 脉冲，晶闸管又会关断。0100002、请在正确的空格内标岀下面元件的简称：电力晶体管 GTR ;可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET ;绝缘栅双极型晶体管 _IGBT ; IGBT 是 MOSFET和 GTR 的复合管。0100003、多个晶闸管相并联时必须考虑均流 的问题,解决的方法是首要措施是挑选特性参数尽量一致的器件、采用均流电抗器。0100003、

6、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流I T等于_倍I T（ AV）,如果I T（ AV） =100安培，则它允许的有效电流为157安培。通常在选择晶闸管时还要留岀2倍的裕量。0100001、晶闸管的维持电流Ih是指在40度以下温度条件下，门极断开时，晶闸管从较大通态电流下降到刚好能保持导通所必须的最小阳极电流。0100001、普通晶闸管内部有_PN结，外部有三个电极，分别是_极_极和_o1、两个、阳极 A、阴极K、门极G0100001、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上电压，晶闸管就导通。2、正向、触发。0100001、晶闸管的工作状态有正向状态，正向状态和反向_状态

7、。3、阻断、导通、阻断。4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压700V 0100001、只有当阳极电流小于 _电流时，晶闸管才会由导通转为截止。5、维持电流。0100003、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止_损坏晶闸管的。15、（关断）过电压。0100002、GTO的全称是_，图形符号为GTR的全称是_，图形符号为P-MOSFET勺全称是_ ,图形符 号为_; IGBT的全称是_，图形符号为_。33、门极可关断晶闸管、大功率晶体管、功率场效应管、绝缘栅双极型晶体管。0100003、GTO的关断是靠门极加 _岀现门极来实现的。33、负脉冲、反向电流。0100001、大功率晶体管简称_。34

8、、GTR0100003、功率场效应管是一种性能优良的电子器件，缺点是_和_。35、电流不够大、耐压不够高。0100002、在GTR GTO IGBT与MOSFE中，开关速度最快的是 _MOSFET，单管输岀功率最大的是 _GTO_应用最为广泛的是_IGBT_o0100003、_GTR 在二次击穿现象，_IGBT存在擎住现象。0100003、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是 均压 措施。0100003、同一晶闸管，维持电流I h与掣住电流II在数值大小上有II大于I Ho0100003、常用的过电流保护措施有电子电路、快速熔断器 。（写岀二种即可）0100001、晶闸管是硅晶体闸流

9、管的简称，常用的外形有螺栓型 与 平板型。0100002、选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以2 o0100003、晶闸管的导通条件是晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或者Uak0且 LbK0 o0100004、晶闸管的断态不重复峰值电压Udsm与转折电压Ubo在数值大小上应为，Udsm I ho0100003、某晶闸管的型号为 KP200-5，其中200表示 额定电流为 200A，5表示 额定电压为500V。0100004、晶闸管串联时，给每只管子并联相同的RC电路是 均压 措施。0100001、晶闸管的三个电极分别是阳极A、阴极K、门极G o010

10、0002、选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大2倍，使其有一定的电压裕量。0100002、当晶闸管加上正向阳极电压 后，门极加上适当的正向触发电流，使晶闸管导通的过程，称为触发。0100003、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是 均压 措施。0100003、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流为iTn等于倍|t( AV)，如果|T( AV) =100安培，则它允许的有效电流为157安培。通常在选择晶闸管时还要留岀2倍的裕量。0200004、整流电路中变压器漏抗对电路的影响是_岀现换相重叠角，整流输岀电压平均值降低_、_整流电路的工作状态增多_、_使电网电压出现

11、缺口，称为干扰源_ o0200001、晶闸管一旦导通后流过其中的电流大小由_负载_决定。0200004、防止单相桥式半控整流电路失控的最有效方法是给负载并联续流二极管o0200004、单相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围0 180或180 ;三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围 0 150或150 ;三相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围 0。120 或 120 o0200004、锯齿波同步的晶闸管触发电路由同步环节、锯齿波形成环节、脉冲形成与脉冲移相及其它环节成。0200002、晶闸管每周期导通的电度角称晶闸管的导通角。0200003、电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所

12、承受的最大正向电压Ufm等于2U2 （设lb为相电压有效值）。0200004、三相桥式全控整流电路，电阻性负载，当控制角n /2，同时|Ed| |U d|。0200003、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，在换相过程期间，两个相邻的晶闸管同时导通，对应的电角度称为换相重叠角 。0200003、在三相全控桥中，接在同一相的两个晶闸管触发脉冲的相位应相差180 。0200004、在三相半波可控整流电路中，电阻性负载，当控制角 n /2，使Ud为负值。（可做简答题）0200002、有源逆变指的是把直流能量转变成交流能量后送给电网的装置。0200003、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为

13、_ 2U 2。三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为_6U2。（电源相电压为 U2）0200003、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用大于60o小于1200的宽脉冲触发；二是用脉冲前沿相差 60o的双窄脉冲触发。0200002、逆变角B与控制角a之间的关系为_。3、a = n B0200004、当电源电压发生瞬时与直流侧电源联，电路中会岀现很大的短路电流流过晶闸管与负载，这称为或_。5、顺向串、逆变失败、逆变颠覆。0200004、为了保证逆变器能正常工作，最小逆变角应为_。6、30 35 0300002、斩波器是接在恒定直流电源和负载电路之间，用于将直

14、流电变为另一直流电。0300004、设 DC/DC变换器的 Boost 电路中，E=10V，a =，贝U U0=_10/。0300002、将直流电源的恒定电压，通过电子器件的开关控制，变换为可调的直流电压的装置称为器。8、斩波0300003、由普通晶闸管组成的直流斩波器通常有_式，式和_式三种工作方式。1、定频调宽，定宽调频。调宽调频。0300003、直流斩波电路在改变负载的直流电压时，常用的控制方式有脉冲宽度调制 、频率调制、混合调制三种。0300003、直流斩波电路按照输入电压与输岀电压的高低变化来分类有升压斩波电路;降压斩波电路;升降压斩波电路。0300004、在下图中，_V1_和_VD

15、1_构成降压斩波电路使直流电动机电动运行；_V2_和_VD2构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行。0400003、在单相交流调压电路中，负载为电阻性时移相范围是0180 ，负载是阻感性时移相范围是180 。0400003、变频电路从变频过程可分为_变频和_变频两大类。15、交流一交流，交流一直流一交流。0500004、在电流型逆变器中，输岀电压波形为正弦 波，输岀电流波形为矩形/方 波。0500001、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类。0500003、通常变流电路实现换流的方式有器件换流、电

16、网换流、负载换流、强迫换流四种。0500001、逆变电路分为 逆变电路和_逆变电路两种。2、有源、无源。0500003、逆变电路的负载如果接到电源，则称为有源 逆变，如果接到负载，则称为 无源 逆变。0500004、如下图，指岀单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。(1) 0t1 时间段内，电流的通路为VD1_;t1t2时间段内，电流的通路为V1 ;t2t3时间段内，电流的通路为VD2;t3t4时间段内，电流的通路为 _V2_;(5)t4t5时间段内，电流的通路为VD1;0500002、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为电压型逆变器

17、和电流型逆变器,电压型逆变器直流侧是电压源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容 器进行滤波；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由可控整流输岀在最靠近逆变桥侧是用电感 滤波。0500004、在电压型逆变器中，输岀电压波形为矩形 波，输岀电流波形与负载阻抗 有关。0500002、将直流电逆变为某一频率或可变频率的交流电直接供给负载的过程称为无源逆变。0500003、电压型逆变器其中间直流环节以电容贮能。0500003、换流的方式有器件换流、电网换流、负载换流 和 强迫换流 四种。0500004、换流的方式有 器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流，全控型器件用 _ 器件换流方式换流06000

18、02、PWM波形的生成方法主要有_计算法_和调制法两种。0600004、SPWM脉宽调制型变频电路的基本原理是：对逆变电路中开关器件的通断进行有规律的调制，使输岀端得到一系列幅度相等，脉宽与正弦波幅值成正比的脉冲列来等效正弦波。0600003、PWM调制方式有同步调制、异步调制、分段同步调制三种。0600003、PWM逆变电路的控制方法有计算法、调制法、跟踪控制法三种。其中调制法又可分为同步调制、异步调制两种。0600003、在PWM空制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_载波比_，当它为常数时的调制方式称为同步_调制。将逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频

19、率 之比为恒定的调制方式称为分段同步调制。0600003、面积等效原理指的是，冲量_相等而_形状_不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。0600004、载波比（又称频率比）K是PWM主要参数。设正弦调制波的频率为f r，三角波的频率为 fc，则载波比表达式为 K=_f cf_。0700002、为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路种类很多，但归纳起来可分为 零点压电路/开关 与 零电流电路/开关 两大类。0700002、为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路种类很多，但归纳起来可分为 零电压电路 与 零电流电路 两大类。

20、0700003、软开关电路种类很多，大致可分成零电压 电路、 零电流 电路两大类。0800003、对异步电动机实施变频调速控制，通常的控制方式有恒压频比控制 、 转差频率控制 、矢量控制、直接转矩控制 等四种A、有源逆变B、交流调压C、变压器降压D、直流斩波0100003、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压应为（ B ）A、700VB、 750VC、 800VD、 850V0100001、晶闸管内部有（C）PN结。A 一个, B 二个, C 三个, D 四个0100002晶闸管可控整流电路中的控制角a减小，则输岀的电压平均值会（B）oA

21、 不变, B 增大, C 减小。0100003、晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（C ）oA 分流, B 降压, C 过电压保护, D 过电流保护。0100002、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（ C ）oA分流，B降压，C过电压保护，D过电流保护。0100002、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（C）来表示的。A 有效值 B 最大值 C 平均值0100001 、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（C）oA、GTR B 、 MOSFETC 、 IGBT0100001 、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ A ）A、GTRB、 MOSFETC 、 IGBTo01000

22、03. 晶闸管导通的条件是（ A ）oA.阳极加正向电压，门极有正向脉冲B.阳极加正向电压，门极有负向脉冲C.阳极加反向电压，门极有正向脉冲D.阳极加反向电压，门极有负向脉冲0100003、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，恒流驱动电路经常采用（B）A、du/dt抑制电路 B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路 D、吸收电路 0100002、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下 D、减小至5A以下0100002 、 IGBT 是一个复合型的器件，它是( B )A、GTR驱动的 MOSFET B MOSF

23、ET区动的 GTRC、MOSFE驱动的晶闸管 D、MOSFE驱动的 GTO0100002、晶闸管稳定导通的条件( C )A. 晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B. 晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C. 晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D. 晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流0100001、具有自关断能力的电力半导体器件称为( A )A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、触发型器件 0100002 、取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个， 并规化为标准电压等级后， 定为该晶 闸管的 ( D )A、转折电压C、阈值电压0100002、晶闸管的伏安特性是指A、阳极电压与门极

24、电流的关系C、阳极电压与阳极电流的关系B反向击穿电压D额定电压( C )B、门极电压与门极电流的关系D、门极电压与阳极电流的关系0100002、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( B )A、导通状态B、关断状态 C、饱和状态 D、不定 0100002、在型号 KP10 12G中，数字10表示(B )A、额定电压10V B、额定电流10AC、额定电压1000V D、额定电流100A0100002、对于同一晶闸管，维持电流I h与擎住电流II在数值大小上有，Il( A) IhA、大于B、等于C、小于D、无关0100002、在晶闸管应用电路中，为了防止误触发，应

25、使干扰信号的幅值限制在（D ）A、可靠触发区 B、不可靠触发区C、安全工作区 D、不触发区0100003、功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定：集电极-发射极允许最高击穿电压，集电极最大允许直流功率线，集电极最大允许电流线和 DA、基极最大允许直流功率线B、基极最大允许电压线C、临界饱和线D、二次击穿功率线0100003、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为（B）A、157A B、100A C、80A D、246.5A0100004、下列全控器件中，属于电流控制型的器件是（B C ）,属于电压控制型的器件是（A D ）A、P-MOSFET B GTO C GTR D IGBT020

26、0004、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为（B ）A. 2 U2 B. 30，负载电流连续，整流输出电流的平均值0200003.三相全控桥式整流电路，电感性负载，控制角a为 I d ，流过每只晶闸管的平均值电流为 ( B ) 2 3 C.2I d/30200003.单相全控桥式有源逆变电路最小逆变角B为 (D )31525350200003. 三相全控桥式整流电路，在交流电源一个周期里，输出电压脉动( D ) 次.3 C0200002. 有源逆变电路是 ( B )DC变换器AC变换器AC变换器DC变换器脉宽调制技术用于 ( B )A. 有源逆变器B. 无源逆变器C.

27、脉冲触发器D. 脉冲移相器型集成触发电路引角 1 和 1 5输出两个互差180 的触发脉冲，经过放大隔离后，可驱动三相全控桥的两只晶闸管。 ( A )A. 同一桥臂 B. 不同桥臂 C. 共阴组D. 共阳组0200003、下列不可以实现逆变的电路是(B)式晶闸管电路。A 单相全波， B 三相半控桥， C 三相全控桥0200003、变流器必须工作在a(A)区域，才能进行逆变A 90 , B 0 , Cv 90 , D = 0 。0200003、为了保证逆变能正常工作，变流器的逆变角不得小于(D)A 5， B 15 ， C 20 ， D 30 。B)晶闸管0200002、普通的单相半控桥可整流装置

28、中一共用了(A 一只， B 二只， C 三只， D 四只。0200002、三相全控桥整流装置中一共用了(B)晶闸管A 三只， B 六只， C 九只。0200001、双向晶闸管外部有(C)电极。A 一个，B两个，C三个，D四个 0200003、a= 0时，单相半波可控整流电路带电阻负载输岀直流电压的平均值等于整流前交流电压有效值的（C ）倍。A 1， B ， C ， D .0200003、a = 0时，单相桥式可控整流电路带电阻负载输岀直流电压的平均值等于整流前交流电压有效值的（D）倍。A 1， B ， C ， D .0200002、晶闸管可整流电路中直流端的蓄电池或直流电动机应该属于（C）负载

29、。A电阻性，B电感性，C反电动势。0200004、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角a的最大移相范围是（D ）A、0O-90 B、0O-120 C、0O-150 D、0O-180 0200003、在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差_A度。A、180 度；B、60 度；C、360 度；D、120 度；0200003、可实现有源逆变的电路为_A _。A、单相全控桥可控整流电路B、三相半控桥可控整流电路C、单相全控桥接续流二极管电路D、单相半控桥整流电路0200003、由晶闸管构成的可逆调速系统中，逆变角Bmin选_A_时系统工作才可靠。A、3035 B、1015 C、0

30、10 Ck 00200004、a =_B_度时，三相全控桥式整流电路带电阻负载电路，输岀负载电压波形处于连续和断续的临界状态。A、0 度；B、60 度；C、30 度；D、120 度；0200003、变流器工作在逆变状态时，控制角a必须在_D 度。A、0 -90 ； B、30 -120 ； C、60 -150 ； D、90 -150 ；0200004、三相半波可控整流电阻性负载电路，如果三个晶闸管采用同一相触发脉冲，a的移相范围_CA、0o-60o ； B、0o-90o ； C、0o-120o ； D、0o-150o ； 0200004、三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角丫的大小与哪几个参

31、数有关A、a、 Id、 X l、 U2 e; B、a、 Id； C、a、 Lb; D、a、 Lb、 X l；0200004、在单相桥式全控整流电路中，大电感负载时，控制角a的有效移相范围是A。A、0 90 B、0180 C、90 180 0200004、三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角a=0o时，输岀的负载电压平均值为DA、； B、； C、； D、；0200004、三相全控桥式整流电路带大电感负载时，控制角a的有效移相范围是A 度。A、0 -90 ； B、30 -120 ； C、60 -150 ； D、90 -150 ；0200004、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差

32、_A 度。A、180 ， B、60， c、360 ， D、1200200003、a为_C 度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输岀的电压波形，处于连续和断续的临界 状态。A，0 度，B，60 度，C，30 度，D，120 度，0200003、晶闸管触发电路中，若改变_B _的大小，则输岀脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。A.同步电压，B、控制电压，C、脉冲变压器变比。0200004、可实现有源逆变的电路为_A _。A、三相半波可控整流电路，B、三相半控桥整流桥电路，C、单相全控桥接续流二极管电路，D、单相半控桥整流电路。0200003、在一般可逆电路中，最小逆变角Bmin选在下面那一种范

33、围合理 _A_。A、30o-35o， B、10o-15o， C、0o-10o， D、0o。0200003、在有源逆变电路中，逆变角的移相范围应选_B _为最好。A、=90o s 180o， B、=35o s 90o， C、=0o s 90o，0200004、晶闸管整流装置在换相时刻（例如：从U相换到V相时）的输岀电压等于 _C_。A、U相换相时刻电压 uu, B、V相换相时刻电压 uv，UuUvC、等于Uu+Uv的一半即：20200004、三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉冲间距相隔角度符合要求。请选择_B _。A度。0200003、单相半控桥整流电路的两只晶闸

34、管的触发脉冲依次应相差A、180 B、60 C、360 D、120 0200004、a为度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输岀的电压波形，处于连续和断续的临界 状态。A、0 度 B、60 度 C、30 度 D、120 度，0200003、晶闸管触发电路中，若改变B_的大小，则输岀脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。A、同步电压B、控制电压 C、脉冲变压器变比D、以上都不能0200004、可实现有源逆变的电路为A_。A、三相半波可控整流电路B、三相半控桥整流桥电路，C、单相全控桥接续流二极管电路D、单相半控桥整流电路。0200003、在一般可逆电路中，最小逆变角Bmin选在下面那一种范围合

35、理 _A_。A、30o-35o B、10o-15o C、0o-10o D、0o。0200002、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角a的最大移相范围是_DA、90 B、120 C、150 D、1800200003、三相半波可控整流电路的自然换相点是（B ）A、交流相电压的过零点；B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处；C、 比三相不控整流电路的自然换相点超前30;D比三相不控整流电路的自然换相点滞后60 。0200003、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（D ）A、30 150 B、0120C、15 125 D、01500200004、三相半波可控整流电路中，晶闸管承

36、受的最大反向电压为（D ）2 、2 6C. K f =I dT It =ld T-I T0200004、三相半波带电阻性负载时，a为_C 度时，可控整流输岀的电压波形处于连续和断续的临界状态。A、0 度 B、60 度 C、30 度 D、120 度。0200002、在晶闸管触发电路中，改变B _的大小，则输岀脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。A、同步电压B、控制电压 C、脉冲变压器变比 D、整流变压器变比0300002、直流斩波电路是一种 _ C _ 变换电路。A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D AC/DC0300003、定宽调频是斩波器的一种(A )A、时间比控制方式 B、

37、瞬时值控制C、移相控制方式 D、模糊控制0300002、直波斩波电路是一种 (C )变换电路A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D AC/DC30300003、降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V,导通比，则负载电压 U0=( B )4A、64V B、12V C、21V D、4V0300003、降压斩波电路中， 已知电源电压 Ud=16V，负载电压U0=12V，斩波周期T=4ms,则开通时Tn=(C )A、1ms B、2ms C、3ms D、4ms0300002、直流斩波电路是一种( C )变换电路。A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D AC/DC0400004、

38、对于单相交流调压电路的波形如下图所示，那么晶闸管的触发角与电路的功率因素角之间是(C )A、触发角大于功率因素角B、触发角等于功率因素角C、触发角小于功率因素角D、二者没有什么关系0400003、一般认为交交变频输岀的上限频率DC、可达电网频率的80% D、约为电网频率的1/21/30400004、对于单相交流调压电路，下面说法正确的是（A ）A、 晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、 晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，两只晶闸管的导通角均为180度D晶闸管的触发角等于电路的

39、功率因素角时，两只晶闸管的导通角均不为180度0500004、采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为CA、减小输出幅值 B、增大输出幅值C、减小输出谐波 D、减小输出功率0500002、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是（D ）A、有源逆变器B、A/D变换器C、D/A变换器D无源逆变器0500003、电流型逆变器中间直流环节贮能元件是（B ）A、电容B、电感C、蓄电池 D、电动机0500003、采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为（C ）A、减小输出幅值 B、增大输出幅值C、减小输出谐波 D、减小输出功率 0600004、单相桥式 PWM变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断0600004、若增大SPWM逆变器的输岀电压基波频率，可采用的控制方法是A.增大三角波幅度B.增大三角V波频ZWD3C.增大正弦调制波频率 D.增大正弦调制波幅V20600004、关于单相桥式 PWM变电路， 下面R Lqvd2说法正确吧4）信号波q.A、在一个周期内单极性调制时切制时有制一个电平，双极性有两个电B、在一个周期内单极性调制时有两个电平，双极性有三个电平C、