半导体制冷器工艺设计分析资料

1、半导本別冷艺设分斤摘要为了分析半导体制冷器工-艺设计方法与制冷效率的关系探讨其/工作寿命的影响因素文早通过改进半导体制冷器基板材料采用新型胶黏剂并通过实验来对比分析半导体电偶间不同的铜片排布方式对制冷器制冷性能、寿命的影响O实验结果表明连接铜片排布回路形式对制冷性能影响不大但对产品的使用寿命有疋的影响O铜线排列走向简单电阻变化率低使用寿命相对长O关键词半导体制冷器制冷性能J基板J铜片回路半导体制冷技术因其具/有的独特优占而在各行各业得到了广泛的应用1-3为提高其/性厶匕、增强机械强度和稳疋性国内外有关科技人员进行了很多研究工作O;旦向春等4-提出可在普通半导体电臂对的P型和N型电偶臂之间淀积*

2、层厚度适当的银膜提高电偶对的制冷性厶匕O李茂德5-1和任欣6等认为提高冷系统的散强度善1度的提咼尢提咼HHH$79衬O00等偶度影响导的执八、电性冃么/5 亠等详研究冷单数偶1?的长度1器的制造工进行分析，讨论半响9并通过验进行性能测果可L寿取决组成制冷器主仿】的制冷电91O仅讨论半导体制冷器基板材料以及彳:同的半导体铜片连接回路对半导体制冷器制冷效果及其/寿命的影响O11基板设计工-艺半导体制冷器的导执八、绝缘层由陶瓷基板构成由1个放热面和1个吸执八八面组成组2个面之间由铜片连接不同型的、相互错开的半导体颗粒形成回路如图1所示O陶瓷基板材料及基板厚度对半导体制冷器制冷效率有显著的影响O设计采

3、用7质量分数为96%A化铝(AI03)的陶瓷基板O同时为提高半导体制冷效率通过减薄陶瓷基板厚度(由目刖的100 mm减薄到050013rmm)降低执/八、阻提高7传热性能制冷效率COFP值得到提高但成本相应增加J另外也可以将基板换成氮化铝(AIN)氮化铝执八、导率为180W?m n1?K1左右(2C环境温度下测试)而氧化铝为22W?m一1?K1左右(2环境温度下测试)执/、导率提高了约7倍同样也可以提高C0P但是基板成本会更高约为原来的10倍12铜片回路连接工-艺将半导体电偶对、基板接线1.铜片接起形成通KQAX 型127060如图2所75片体性连接在温度变候料的应很HUL因生艺r导与瓷用胶，

4、寿命但由于胶黏剂导执 八U性差性能*19得品具有定的市场jin 兄争优U225CD5置置真:7器设置好控制温度Q-3不同的测试电压1yQq说回路形式对半导体制冷器制冷效率影响不报(自然科学版)200230(7):8118136任欣张麟有限散执强度半导体制冷器性能的实验研究J低温工程200p 57一62-7YAM4ANASHIMAnewapproachtoptimumdesig i 11moelecCCO/olisystem-JAp)plJ (dPh、/ sicA：Materalscciece&Procesing1982(9、:54C)45502-8GADMi1,RowVEDMKO)NT)STAVLAKI;KThermoelectrigurierundSijetmperaturedffeneesJJournal()fpuysiDA)pldPhysi200437(8) ：1c011304-9-YUJiaJinZHAQHiXIEKangshanAn;alyssofptimonfura亠ionftwjetL?rm(ieletricmodues厂JIn；ti+ n4-eofRefige吐andCrygenesE】g /eer