靶材生产项目可行性分析报告

1、泓域咨询/靶材生产项目可行性分析报告靶材生产项目可行性分析报告泓域咨询 MACRO摘要说明靶材材料的技术发展趋势与下游应用产业的薄膜技术发展趋势息息相关，随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进，靶材技术也应随之变化。镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。简单说的话，靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时，会产生不同的杀伤破坏效应。例如：蒸发磁控溅射镀膜是加热蒸发镀膜、铝膜等。更换不同的靶材(如铝、铜、不锈钢、钛、镍靶等)，即可得到不同的膜系(

2、如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。该靶材项目计划总投资11544.56万元，其中：固定资产投资8845.28万元，占项目总投资的76.62%；流动资金2699.28万元，占项目总投资的23.38%。达产年营业收入26020.00万元，总成本费用20801.88万元，税金及附加209.23万元，利润总额5218.12万元，利税总额6147.09万元，税后净利润3913.59万元，达产年纳税总额2233.50万元；达产年投资利润率45.20%，投资利税率53.25%，投资回报率33.90%，全部投资回收期4.45年，提供就业职位566个。超大规模集成电路制造过程中要反复用到的溅射（Sputterin

3、g）工艺属于物理气相沉积（PVD）技术的一种，是制备电子薄膜材料的主要技术之一，它利用离子源产生的离子，在高真空中经过加速聚集，而形成高速度能的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。报告内容：基本情况、建设背景、产业研究、项目方案分析、选址科学性分析、工程设计、项目工艺原则、环境影响说明、安全规范管理、投资风险分析、项目节能情况分析、项目实施进度计划、投资估算、经济收益、总结及建议等。规划设计/投资分析/产业运营靶材生产项目可行性分析报告目录第一章 基本情况第二章 建设背景第三章

4、产业研究第四章 项目方案分析第五章 选址科学性分析第六章 工程设计第七章 项目工艺原则第八章 环境影响说明第九章 安全规范管理第十章 投资风险分析第十一章 项目节能情况分析第十二章 项目实施进度计划第十三章 投资估算第十四章 经济收益第十五章 招标方案第十六章 总结及建议第一章 基本情况一、项目承办单位基本情况（一）公司名称xxx公司（二）公司简介本公司奉行“客户至上，质量保障”的服务宗旨，树立“一切为客户着想” 的经营理念，以高效、优质、优惠的专业精神服务于新老客户。 undefined公司始终秉承“集领先智造，创美好未来”的企业使命，发展先进制造，不断提升自主研发与生产工艺的核心技术能力，

5、贴近客户需求，助力中国智造，持续为社会提供先进科技，覆盖上下游业务领域的行业综合服务商。经过多年的发展与积累，公司建立了较为完善的治理结构，形成了完整的内控制度。公司正处于快速发展阶段，特别是随着新项目的建设及未来产能扩张，将需要大量专业技术人才充实到建设、生产、研发、销售、管理等环节中。作为一家民营企业，公司在吸引高端人才方面不具备明显优势。未来公司将通过自我培养和外部引进来壮大公司的高端人才队伍，提升公司的技术创新能力。贯彻落实创新驱动发展战略，坚持问题导向，面向未来发展，服务公司战略，制定科技创新规划及年度实施计划，进行核心工艺和关键技术攻关，建立了包括项目立项审批、实施监督、效果评价、

6、成果奖励等方面的技术创新管理机制。公司坚守企业契约精神，专业为客户提供优质产品，致力成为行业领先企业，创造价值，履行社会责任。（三）公司经济效益分析上一年度，xxx集团实现营业收入15570.77万元，同比增长27.15%（3324.82万元）。其中，主营业业务靶材生产及销售收入为14035.93万元，占营业总收入的90.14%。根据初步统计测算，公司实现利润总额3511.04万元，较去年同期相比增长841.77万元，增长率31.54%；实现净利润2633.28万元，较去年同期相比增长418.00万元，增长率18.87%。上年度主要经济指标项目单位指标完成营业收入万元15570.77完成主营业

7、务收入万元14035.93主营业务收入占比90.14%营业收入增长率（同比）27.15%营业收入增长量（同比）万元3324.82利润总额万元3511.04利润总额增长率31.54%利润总额增长量万元841.77净利润万元2633.28净利润增长率18.87%净利润增长量万元418.00投资利润率49.72%投资回报率37.29%财务内部收益率27.46%企业总资产万元27127.94流动资产总额占比万元27.08%流动资产总额万元7345.75资产负债率24.35%二、项目概况（一）项目名称靶材生产项目靶材是溅射薄膜制备的源头材料，又称溅射靶材。是制备晶圆、面板、太阳能电池等表面电子薄膜的关键

8、材料。溅射靶材是利用物理气相沉积技术制备电子薄膜材料的被轰击材料，广泛应用于半导体芯片、太阳能电池、平板显示、信息存储等领域，其中半导芯片用溅射靶材技术要求最高，具有规模化生产能力的企业数量也相对较少，主要分布在美国、日本等国家和地区。（二）项目选址xx产业示范中心（三）项目用地规模项目总用地面积30715.35平方米（折合约46.05亩）。（四）项目用地控制指标该工程规划建筑系数68.62%，建筑容积率1.35，建设区域绿化覆盖率5.27%，固定资产投资强度192.08万元/亩。（五）土建工程指标项目净用地面积30715.35平方米，建筑物基底占地面积21076.87平方米，总建筑面积414

9、65.72平方米，其中：规划建设主体工程25202.19平方米，项目规划绿化面积2185.77平方米。（六）设备选型方案项目计划购置设备共计71台（套），设备购置费2805.14万元。（七）节能分析1、项目年用电量944415.16千瓦时，折合116.07吨标准煤。2、项目年总用水量17956.14立方米，折合1.53吨标准煤。3、“靶材生产项目投资建设项目”，年用电量944415.16千瓦时，年总用水量17956.14立方米，项目年综合总耗能量（当量值）117.60吨标准煤/年。达产年综合节能量29.40吨标准煤/年，项目总节能率27.00%，能源利用效果良好。（八）环境保护项目符合xx产业

10、示范中心发展规划，符合xx产业示范中心产业结构调整规划和国家的产业发展政策；对产生的各类污染物都采取了切实可行的治理措施，严格控制在国家规定的排放标准内，项目建设不会对区域生态环境产生明显的影响。（九）项目总投资及资金构成项目预计总投资11544.56万元，其中：固定资产投资8845.28万元，占项目总投资的76.62%；流动资金2699.28万元，占项目总投资的23.38%。（十）资金筹措该项目现阶段投资均由企业自筹。（十一）项目预期经济效益规划目标预期达产年营业收入26020.00万元，总成本费用20801.88万元，税金及附加209.23万元，利润总额5218.12万元，利税总额6147

11、.09万元，税后净利润3913.59万元，达产年纳税总额2233.50万元；达产年投资利润率45.20%，投资利税率53.25%，投资回报率33.90%，全部投资回收期4.45年，提供就业职位566个。（十二）进度规划本期工程项目建设期限规划12个月。认真做好施工技术准备工作，预测分析施工过程中可能出现的技术难点，提前进行技术准备，确保施工顺利进行。项目承办单位一定要做好后勤供应和服务保障工作，确保不误前方施工。三、项目评价1、本期工程项目符合国家产业发展政策和规划要求，符合xx产业示范中心及xx产业示范中心靶材行业布局和结构调整政策；项目的建设对促进xx产业示范中心靶材产业结构、技术结构、组

12、织结构、产品结构的调整优化有着积极的推动意义。2、xxx集团为适应国内外市场需求，拟建“靶材生产项目”，本期工程项目的建设能够有力促进xx产业示范中心经济发展，为社会提供就业职位566个，达产年纳税总额2233.50万元，可以促进xx产业示范中心区域经济的繁荣发展和社会稳定，为地方财政收入做出积极的贡献。3、项目达产年投资利润率45.20%，投资利税率53.25%，全部投资回报率33.90%，全部投资回收期4.45年，固定资产投资回收期4.45年（含建设期），项目具有较强的盈利能力和抗风险能力。4、从促进产业发展看，民营企业机制灵活、贴近市场，在优化产业结构、推进技术创新、促进转型升级等方面力

13、度很大，成效很好。据统计，我国65%的专利、75%以上的技术创新、80%以上的新产品开发是由民营企业完成的。从吸纳就业看，民营经济作为国民经济的生力军是就业的主要承载主体。全国工商联统计，城镇就业中，民营经济的占比超过了80%，而新增就业贡献率超过了90%。国家支持民营经济发展，是明确的、一贯的，而且是不断深化的，不是一时的权宜之计，更不是过河拆桥式的策略性利用。对于非公有制经济的地位和作用，“三个没有变”的判断：“非公有制经济在我国经济社会发展中的地位和作用没有变，我们毫不动摇鼓励、支持、引导非公有制经济发展的方针政策没有变，我们致力于为非公有制经济发展营造良好环境和提供更多机会的方针政策没

14、有变。”同时，公有制为主体、多种所有制经济共同发展，是写入党章和宪法的基本经济制度，这是不会变的，也是不能变的。进入新时代，中国的民营经济只会壮大、不会离场，只会越来越好、不会越来越差。发挥民间投资在制造业发展中的作用，关键是要为广大民营企业创造一个平等参与市场竞争的制度和政策环境。国务院把简政放权、放管结合、优化服务作为全面深化改革特别是供给侧结构性改革的重要内容，作为推动大众创业万众创新和培育发展新动能的重要抓手，为推动经济转型升级、扩大就业、保持经济平稳运行发挥了重要作用。综上所述，项目的建设和实施无论是经济效益、社会效益还是环境保护、清洁生产都是积极可行的。四、主要经济指标主要经济指标

15、一览表序号项目单位指标备注1占地面积平方米30715.3546.05亩1.1容积率1.351.2建筑系数68.62%1.3投资强度万元/亩192.081.4基底面积平方米21076.871.5总建筑面积平方米41465.721.6绿化面积平方米2185.77绿化率5.27%2总投资万元11544.562.1固定资产投资万元8845.282.1.1土建工程投资万元3181.662.1.1.1土建工程投资占比万元27.56%2.1.2设备投资万元2805.142.1.2.1设备投资占比24.30%2.1.3其它投资万元2858.482.1.3.1其它投资占比24.76%2.1.4固定资产投资占比7

16、6.62%2.2流动资金万元2699.282.2.1流动资金占比23.38%3收入万元26020.004总成本万元20801.885利润总额万元5218.126净利润万元3913.597所得税万元1.358增值税万元719.749税金及附加万元209.2310纳税总额万元2233.5011利税总额万元6147.0912投资利润率45.20%13投资利税率53.25%14投资回报率33.90%15回收期年4.4516设备数量台（套）7117年用电量千瓦时944415.1618年用水量立方米17956.1419总能耗吨标准煤117.6020节能率27.00%21节能量吨标准煤29.4022员工数量

17、人566第二章 建设背景一、靶材项目背景分析超大规模集成电路制造过程中要反复用到的溅射（Sputtering）工艺属于物理气相沉积（PVD）技术的一种，是制备电子薄膜材料的主要技术之一，它利用离子源产生的离子，在高真空中经过加速聚集，而形成高速度能的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。一般来说，溅射靶材主要由靶坯、背板等部分构成，其中，靶坯是高速离子束流轰击的目标材料，属于溅射靶材的核心部分，在溅射镀膜过程中，靶坯被离子撞击后，其表面原子被溅射飞散出来并沉积于基板上制成电子薄膜；

18、由于高纯度金属强度较低，而溅射靶材需要安装在专用的机台内完成溅射过程，机台内部为高电压、高真空环境，因此，超高纯金属的溅射靶坯需要与背板通过不同的焊接工艺进行接合，背板起到主要起到固定溅射靶材的作用，且需要具备良好的导电、导热性能。在溅射靶材应用领域中，半导体芯片对溅射靶材的金属材料纯度、内部微观结构等方面都设定了极其苛刻的标准，需要掌握生产过程中的关键技术并经过长期实践才能制成符合工艺要求的产品，因此，半导体芯片对溅射靶材的要求是最高的，价格也最为昂贵；相较于半导体芯片，平面显示器、太阳能电池对于溅射靶材的纯度和技术要求略低一筹，但随着靶材尺寸的增大，对溅射靶材的焊接结合率、平整度等指标提出

19、了更高的要求。此外，溅射靶材需要安装在溅射机台内完成溅射过程，溅射机台专用性强，对溅射靶材的形状、尺寸和精度也设定了诸多限制。高纯度乃至超高纯度的金属材料是生产高纯溅射靶材的基础，以半导体芯片用溅射靶材为例，若溅射靶材杂质含量过高，则形成的薄膜无法达到使用所要求的电性能，并且在溅射过程中易在晶圆上形成微粒，导致电路短路或损坏，严重影响薄膜的性能。通常情况下，高纯金属提纯分为化学提纯和物理提纯，为了获得更高纯度的金属材料，最大限度地去除杂质，需要将化学提纯和物理提纯结合使用。在将金属提纯到相当高的纯度后，往往还需配比其他金属元素才能投入使用，在这个过程中，需要经过熔炼、合金化和铸造等步骤：通过精

20、炼高纯金属，去除氧气、氮气等多余气体；再加入少量合金元素，使其与高纯金属充分结合并均匀分布；最后将其铸造成没有缺陷的锭材，满足生产加工过程中对金属成份、尺寸大小的要求。溅射靶材制造环节首先需要根据下游应用领域的性能需求进行工艺设计，然后进行反复的塑性变形、热处理，需要精确地控制晶粒、晶向等关键指标，再经过焊接、机械加工、清洗干燥、真空包装等工序。溅射靶材制造所涉及的工序精细且繁多，工序流程管理及制造工艺水平将直接影响到溅射靶材的质量和良品率。溅射镀膜是指物体被离子撞击时，被溅射飞散出，因被溅射飞散的物体附着于目标基板上而制成薄膜的过程，溅射靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料。此环节是在溅射靶材

21、产业链条中对生产设备及技术工艺要求最高的环节，溅射薄膜的品质对下游产品的质量具有重要影响。在溅射镀膜过程中，溅射靶材需要安装在机台中完成溅射反应，溅射机台专用性强、精密度高，市场长期被美国、日本跨国集团垄断，主要设备提供商包括AMAT（美国）、ULVAC（日本）、ANELVA（日本）、Varian（美国）等行业内知名企业。终端应用是针对各类市场需求利用封装好的元器件制成面向最终用户的产品，包括汽车电子、智能手机、平板电脑、家用电器等终端消费电子产品。通常情况下，在半导体靶材溅射镀膜后，需要将镀膜硅片切割并进行芯片封装。封装是指将电路用导线连接到外部接头处，以便与其他器件连接的工序，不仅能够起到

22、保护芯片的作用，还将芯片与外界隔离，防止空气中的杂质对芯片电路造成腐蚀而损害导电性能。此外，终端应用也包括制备太阳能电池、光学镀膜、工具改性、高档装饰用品等，此环节技术面较宽，呈现多样化特征。全球范围内，溅射靶材产业链各环节参与企业数量基本呈金字塔型分布，高纯溅射靶材制造环节技术门槛高、设备投资大，具有规模化生产能力的企业数量相对较少，主要分布在美国、日本等国家和地区，其中，部分企业同时开展金属提纯业务，将产业链延伸到上游领域；部分企业只拥有溅射靶材生产能力，高纯度金属需要上游企业供应。溅射靶材最高端的应用是在超大规模集成电路芯片制造领域，这个领域只有美国和日本的少数公司（日矿金属、霍尼韦尔、

23、东曹、普莱克斯等）从事相关业务，是一个被跨国公司垄断的行业。作为溅射靶材客户端的溅射镀膜环节具有规模化生产能力的企业数量相对较多，但质量参差不齐，美国、欧洲、日本、韩国等知名企业居于技术领先地位，品牌知名度高、市场影响力大，通常会将产业链扩展至下游应用领域，利用技术先导优势和高端品牌迅速占领终端消费市场，如IBM、飞利浦、东芝、三星等。终端应用环节是整个产业链中规模最大的领域，其产品的开发与生产分散在各个行业领域，同时，此环节具有突出的劳动密集性特点，参与企业数量最多，机器设备投资一般，主要分布在日本、中国台湾和中国大陆等，并逐渐将生产工厂向人力成本低的国家和地区转移。溅射靶材产业分布具有一定

24、的区域性特征，美国、日本跨国集团产业链完整，囊括金属提纯、靶材制造、溅射镀膜和终端应用各个环节，具备规模化生产能力，在掌握先进技术以后实施垄断和封锁，主导着技术革新和产业发展；韩国、新加坡及中国台湾地区在磁记录及光学薄膜领域有所特长。另外由于上述地区芯片及液晶面板产业发展较早，促使服务分工明确，可以为产业链下游的品牌企业提供如焊接、清洗、包装等专业代工服务，将上游基础材料和下游终端应用对接，起到承上启下的作用，并在一定程度上推动上游溅射靶材的产品开发和市场扩展。但是上述地区的靶材服务厂商缺少核心技术及装备，不能够在金属的提纯、组织的控制等核心技术领域形成竞争力溅射靶材的材料即靶坯依然依赖美国和

25、日本的进口。超高纯金属材料及溅射靶材在我国还属于较新的行业，以芯片制造厂商、液晶面板制造企业为代表的下游溅射镀膜和终端用户正在加大力度扩展产能。从全球来看，芯片及液晶面板行业制造向中国大陆转移趋势愈演愈烈，中国正在迎来这一领域的投资高峰。为此高端溅射靶材的应用市场需求正在快速增长。由于溅射镀膜工艺起源于国外，所需要的溅射靶材产品性能要求高、专业应用性强，因此，长期以来全球溅射靶材研制和生产主要集中在美国、日本少数几家公司，产业集中度相当高。以霍尼韦尔（美国）、日矿金属（日本）、东曹（日本）等跨国集团为代表的溅射靶材生产商较早涉足该领域，经过几十年的技术积淀，凭借其雄厚的技术力量、精细的生产控制

26、和过硬的产品质量居于全球溅射靶材市场的主导地位，占据绝大部分市场份额。这些企业在掌握溅射靶材生产的核心技术以后，实施极其严格的保密措施，限制技术扩散，同时不断进行横向扩张和垂直整合，将业务触角积极扩展到溅射镀膜的各个应用领域，牢牢把握着全球溅射靶材市场的主动权，并引领着全球溅射靶材行业的技术进步。受到发展历史和技术限制的影响，溅射靶材行业在我国起步较晚，目前仍然属于一个较新的行业。与国际知名企业生产的溅射靶材相比，我国溅射靶材研发生产技术还存在一定差距，市场影响力相对有限，尤其在半导体芯片、平板显示器、太阳能电池等领域，全球高纯溅射靶材市场依然被美国、日本的溅射靶材生产厂商所控制或垄断。随着溅

27、射靶材朝着更高纯度、更大尺寸的方向发展，我国溅射靶材生产企业只有不断进行研发创新，具备较强的产品开发能力，研制出适用不同应用领域的溅射靶材产品，才能在全球溅射靶材市场中占得一席之地。半导体芯片、平板显示器、太阳能电池等下游工业对产品的品质和稳定性等方面有较高的要求，为了严格控制产品质量，下游客户尤其是全球知名厂商在选择供应商时，供应商资格认证壁垒较高，且认证周期较长。我国高纯溅射靶材企业要进入国际市场，首先要通过部分国际组织和行业协会为高纯溅射靶材设置的行业性质量管理体系标准，例如，应用于汽车电子的半导体厂商普遍要求上游溅射靶材供应商能够通过ISO/TS16949质量管理体系认证，应用于电器设

28、备的溅射靶材生产商需要满足欧盟制定的RoHS强制性标准；其次，半导体芯片、平板显示器、太阳能电池等下游知名客户均建立了十分完善的客户认证体系，在高纯溅射靶材供应商满足行业性质量管理体系认证的基础上，下游客户往往还会根据自身的质量管理要求再对供应商进行合格供应商认证。认证过程主要包括技术评审、产品报价、样品检测、小批量试用、批量生产等几个阶段，认证过程相当苛刻，从新产品开发到实现大批量供货，整个过程一般需要2-3年时间。为了降低供应商开发与维护成本，保证产品质量的持续性，溅射靶材供应商在通过下游客户的资格认证后，下游客户会与溅射靶材供应商保持长期稳定的合作关系，不会轻易更换供应商，并在技术合作、

29、供货份额等方面向优质供应商倾斜。近年来，受益于国家从战略高度持续地支持电子材料行业的发展及应用推广，我国国内开始出现不少专业从事高纯溅射靶材研发和生产的企业，并成功开发出一批能适应高端应用领域的溅射靶材，为高纯溅射靶材大规模产业化提供了良好的研发基础和市场化条件。通过将溅射靶材研发成果产业化，积极参与溅射靶材的国际化市场竞争，我国溅射靶材生产企业在技术和市场方面都取得了长足的进步，改变了高纯溅射靶材长期依赖进口的不利局面。目前，包括长沙鑫康在内的一些国内企业已经掌握了高纯溅射靶材生产的关键技术，积累了较为丰富的产业经验，拥有了一定的市场知名度，获得了全球知名客户的认可。二、靶材项目建设必要性分

30、析靶材材料的技术发展趋势与下游应用产业的薄膜技术发展趋势息息相关，随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进，靶材技术也应随之变化。镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。简单说的话，靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时，会产生不同的杀伤破坏效应。例如：蒸发磁控溅射镀膜是加热蒸发镀膜、铝膜等。更换不同的靶材(如铝、铜、不锈钢、钛、镍靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟

31、、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线：在平面显示器产业中，各种显示技术(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步发展，有的已经用于电脑及计算机的显示器制造;在信息存储产业中，磁性存储器的存储容量不断增加，新的磁光记录材料不断推陈出新这些都对所需溅射靶材的质量提出了越来越高的要求，需求数量也逐年增加。日本。就美国而言.约有50家中小规模的靶材制造商及经销商，其中最大的公司员工大约有几百人。不过为了能更接近使用者

32、，以便提供更完善的售后服务，全球主要靶材制造商通常会在客户所在地设立分公司。近段时间，亚洲的一些国家和地区，如台湾.韩国和新加坡，就建立了越来越多制造薄膜元件或产品的工厂，如IC、液晶显示器及光碟制造厂。对靶材厂商而言，这是相当重要的新兴市场。中国靶材产业发展也是与日俱增，不断的扩大自己的规模和生产技术，国内一线生产制造靶材的品牌已经达到国外最顶尖的技术水平。2010年，日本三菱公司就在中国台湾地区建立了光碟埘靶材的生产基地，可以满足台湾50%的靶材需要。BCC(BusinessCommunicationsCompany，商业咨询公司)最新的统计报告指出，全球靶材市场将以8.8%的年平均增长率

33、(AAGR)在今后的5年内持续增长，估计销售额将从1999年的7.2亿美元增加到2004年的11亿美元。靶材是一种具有高附加价值的特种电子材料，主要使用在微电子，显示器，存储器以及光学镀膜等产业上，用以溅射用于尖端技术的各种薄膜材料。BCC的报告显示：全球的上述产业在1999年使用了2.88百万公斤靶材。换算为面积，则溅射了363百万平方米的薄膜。而若以单位靶材来计算，全球在1999年则大约使用了37400单位的靶材。这里所要指出的是，随着应用产业的不同，靶材的形状与大小也有所差异，其直径从15Gm到3m都有，而上述的统计资料，则是平均化后的结果。在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品

34、质要求是最苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出来.而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过去99.995%(4N5)纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求，而未米的0.18um艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。平面显示器(FPD)这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场，亦将带动ITO靶

35、材的技术与市场需求。如今的iTO靶材有两种.一种是采用纳米状态的氧化铟和氧化锡粉混合后烧结，一种是采用铟锡合金靶材。铟锡合金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜，但是靶表面会氧化而影响溅射率，并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取第一种方法生产ITO靶材，利用LIRF反应溅射镀膜.靶材具有沉积速度快.且能精确控制膜厚，电导率高，薄膜的一致性好，与基板的附着力强等优点l。但是靶材制作困难，这是因为氧化铟和氧化锡不容易烧结在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的93%98%的靶材，这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加剂的关系极大。在储存技术方面，高

36、密度、大容量硬盘的发展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoFCu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘需要的TbFeCo合金靶材还在进一步发展，用它制造的磁光盘具有存储容量大，寿命长，可反复无接触擦写的特点。如今开发出来的磁光盘，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层复合膜结构，TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58，而TbFeCofFa则可以接近0.8。经过研究发现，低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度。基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)显示出显著的商业化潜力,是NOR型闪存和部分DRAM市场的一项替代性存储器技术，不过,在实现更快速地按比例缩小的道路上存在的挑

37、战之一,便是缺乏能够生产可进一步调低复位电流的完全密闭单元。降低复位电流可降低存储器的耗电量,延长电池寿命和提高数据带宽,这对于当前以数据为中心的、高度便携式的消费设备来说都是很重要的特征。第三章 产业研究一、靶材行业分析靶材是溅射薄膜制备的源头材料，又称溅射靶材。是制备晶圆、面板、太阳能电池等表面电子薄膜的关键材料。高纯度溅射靶材主要应用于电子元器件制造的物理气相沉积（PhysicalVaporDeposition，PVD）工艺。PVD镀膜目前主要有三种形式，分别是溅射镀膜、蒸发镀膜以及离子镀膜。为推动国内靶材产业发展，增强产业创新能力和国际竞争力，带动传统产业改造和产品升级换代，我国制定了

38、一系列靶材行业相关支持政策。靶材行业产业链主要包括金属提纯、靶材制造、溅射镀膜和终端应用等环节。其中，靶材制造和溅射镀膜环节是整个靶材产业链中的关键环节。靶材产业下游包括半导体、光伏电池、平板显示器等等，其中，半导体芯片行业用的金属靶材，主要种类包括：铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯靶材，以及镍铂、钨钛等合金类的靶材。铜靶和钽靶通常配合起来使用。靶材主要应用在平板显示、记录媒体、光伏电池、半导体等领域。其中，在靶材应用领域中，半导体芯片对靶材的金属材料纯度、内部微观结构等方面都设定了极其苛刻的标准，需要掌握生产过程中的关键技术并经过长期实践才能制成符合工艺要求的产品。因此，半导体芯片对靶材的要求是

39、最高的，价格也最为昂贵。半导体芯片行业是金属溅射靶材的主要应用领域之一，也是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域。目前晶圆的制造正朝着更小的制程方向发展，铜导线工艺的应用量在逐步增大，因此，铜和钽靶材的需求将有望持续增长。铝靶和钛靶通常配合起来使用。目前，在汽车电子芯片等需要110nm以上技术节点来保证其稳定性和抗干扰性的领域，仍需大量使用铝、钛靶材。目前，全球的靶材制造行业，特别是高纯度的靶材市场，呈现寡头垄断格局，主要由几家美日大企业把持，如日本的三井矿业、日矿金属、日本东曹、住友化学、日本爱发科，以及美国霍尼韦尔、普莱克斯等。日矿金属是全球最大的靶材供应商，靶材销售额约占全球市场的30

40、%，霍尼韦尔在并购JohnsonMattey、整合高纯铝、钛等原材料生产厂后，占到全球市约20%的份额，此外，东曹和普莱克斯分别占20%和10%。目前，国内靶材厂商主要聚焦在低端产品领域，在半导体、平板显示器和太阳能电池等市场还无法与国际巨头全面竞争。但是，依靠国内的巨大市场潜力和利好的产业政策，以及产品价格优势，它们已经在国内市场占有一定的市场份额，并逐步在个别细分领域抢占了部分国际大厂的市场空间。近年来，我国政府制定了一系列产业政策，如863计划、02专项基金等来加速溅射靶材供应的本土化进程，推动国产靶材在多个应用领域实现从无到有的跨越。这些都从国家战略高度扶植并推动着溅射靶材产业的发展壮

41、大。二、靶材市场分析预测溅射靶材是利用物理气相沉积技术制备电子薄膜材料的被轰击材料，广泛应用于半导体芯片、太阳能电池、平板显示、信息存储等领域，其中半导芯片用溅射靶材技术要求最高，具有规模化生产能力的企业数量也相对较少，主要分布在美国、日本等国家和地区。中国溅射靶材行业起步较晚，目前仍然属于一个较新的行业，受益于国家战略的支持，已经开始出现少量专业从事高纯溅射靶材研发和生产的企业(如江丰电子，有研新材等)，并成功开发出一批高端应用领域的溅射靶材，为高纯溅射靶材大规模产业化提供了良好的研发基础和市场化条件。靶材全球市场预计16-19复合增速13%。2016年全球溅射靶材市场容量达113.6亿美元

42、，相比于2015年的94.8亿美元增长20%。预测2016-2019年均复合增长率达13%，到2019年全球高纯溅射靶材市场规模将超过163亿美元。2016年全球靶材市场的下游结构中，半导体占比10%、平板显示占34%、太阳能电池占21%、记录媒体占29%，靶材性能要求依次降低。市场集中度高，日、美占据80%高端靶材市场。溅射靶材由于其高技术、高投资、高客户壁垒，具有规模化生产能力企业较少，以霍尼韦尔、日矿金属、东曹、普莱克斯等为代表的靶材龙头企业2017年占据全球约80%靶材市场。美、日等跨国企业产业链较为完整，囊括金属提纯、靶材制造、溅射镀膜和终端应用各个环节，主导高端的半导体靶材市场；韩

43、国、新加坡及中国台湾地区擅长磁记录及光学薄膜领域，原料多从国外进口；中国靶材产业正处于起步阶段，逐步切入以原料以进口为主的全球主流半导体、显示、光伏等龙头企业客户。预计2018-2020年国内显示靶材需求增速维持20-25%增速。中国大陆从上世纪80年代开始进入液晶显示领域，在政府政策导向和产业扶植下，我国大陆液晶显示产业快速发展，成为平板显示行业发展速度最快的地区。2016年中国平板显示器件产业整体规模达到1500亿元，同比增长25.99%；2012-2016年国内平板显示增速基本保持在25%以上。此外考虑到国内LCD国产替代进程加速、再加上OLED渗透率有望快速提升，预计2018-2020

44、年国内平板显示产业增速将至少维持在20-25%；对应到国内显示靶材的需求也将相应增加。靶材应用的战略高地17-20年全球半导体增速有望超预期，17年国内半导体增速24.81%。半导体靶材性能要求位居各类应用之首。半导体行业所需溅射靶材主要用于晶圆制造材料和封装测试材料。芯片制造对溅射靶材纯度要求很高，通常需达99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。2017全球半导体产业超预期增速21.62%，从下游需求结构看，17年增长主要源于半导体的主要应用是集成电路中的存储器，增速达到61.49%，增量来源于人工智能、大数据、汽车电子等领域对高性能芯片需求快速提升。从15年开始国内半导

45、体产业维持20%左右增速，渐成常态。半导体产业从台湾向国内转移的趋势比较确定，国内政策、资金、税收等各方面也在扶持半导体产业。国家集成电路产业基金第一期规模1,387亿元。，至少带动省市地方基金共4,651亿元，拉动国内企业内生增长和海外并购。未来第二期基金计划启动，也将持续拉动国内半导体产业增长。2011-2016全球半导体用靶材年复合增长率3.17%，预计2018-2020国内半导体靶材需求增速在20%左右。国际半导体产业协会(SEMI)全球半导体用溅射靶材销售额从2011年的10.1亿美元到2016年为11.7亿美元，年均复合增长率为3.17%，其中晶圆制造用溅射靶材年均复合增长率为2.

46、07%，封装测试用溅射靶材年均复合增长率为4.65%。2016年我国集成电路用溅射靶材市场规模约14亿元，年增速达20%。供给端，随着国产溅射靶材技术成熟，尤其是国产溅射靶材具备一定性价比优势，并且符合溅射靶材国产化的政策导向；需求端，半导体产业向国内转移的趋势已基本确立，国内半导体产业崛起将推动国内半导体靶材需求的提升。预计2018-2020年我国溅射靶材的市场规模有望持续扩大，复合增速将维持在2016年20%左右增速水平。2011-2016全球太阳能用靶材增速保持20%以上。太阳能光伏产业的快速发展给太阳能电池用溅射靶材市场带来了可观的成长空间，2016年全球太阳能电池用溅射靶材市场规模2

47、3.4亿美元，在全球靶材市场中占比约21%。2011-2016年全球太阳能靶材规模增速一直保持在20%以上。国内靶材需求和供给反差悬殊，国产替代进程加速。2015国内靶材需求全球占比近25%，年速约20%；但国内靶材企业市场份额不到2%，供需比例反差明显。随着国内溅射靶材技术的成熟和高纯铝生产技术的提高，我国靶材生产成本优势明显，靶材原料之一高纯铝的国内进出口量差距也在逐步缩小。随着2019年国家进口靶材免税期结束，国内靶材企业优势更加突出。预计2018-2020年国内靶材需求将维持20%以上高速增长，市场份额有望进一步扩大。第四章 项目方案分析一、产品规划项目主要产品为靶材，根据市场情况，预

48、计年产值26020.00万元。采取灵活的定价办法，项目承办单位应当依据原辅材料的价格、加工内容、需求对象和市场动态原则，以盈利为目标，经过科学测算，确定项目产品销售价格，为了迅速进入市场并保持竞争能力，项目产品一上市，可以采取灵活的价格策略，迅速提升项目承办单位的知名度和项目产品的美誉度。项目产品的市场需求是投资项目存在和发展的基础，市场需要量是根据分析项目产品市场容量、产品产量及其技术发展来进行预测；目前，我国各行业及各个领域对项目产品需求量很大，由于此类产品具有市场需求多样化、升级换代快的特点，所以项目产品的生产量满足不了市场要求，每年还需大量从外埠调入或国外进口，商品市场需求高于产品制造

49、发展速度，因此，项目产品具有广阔的潜在市场。二、建设规模（一）用地规模该项目总征地面积30715.35平方米（折合约46.05亩），其中：净用地面积30715.35平方米（红线范围折合约46.05亩）。项目规划总建筑面积41465.72平方米，其中：规划建设主体工程25202.19平方米，计容建筑面积41465.72平方米；预计建筑工程投资3181.66万元。（二）设备购置项目计划购置设备共计71台（套），设备购置费2805.14万元。（三）产能规模项目计划总投资11544.56万元；预计年实现营业收入26020.00万元。第五章 选址科学性分析一、项目选址原则场址选择应提供足够的场地用以满足

50、项目产品生产工艺流程及辅助生产设施的建设需要；场址应具备良好的生产基础条件而且生产要素供应充裕，确保能源供应有可靠的保障。项目建设方案力求在满足项目产品生产工艺、消防安全、环境保护卫生等要求的前提下尽量合并建筑；充分利用自然空间，坚决贯彻执行“十分珍惜和合理利用土地”的基本国策，因地制宜合理布置。二、项目选址该项目选址位于xx产业示范中心。三、建设条件分析项目投资环境优良，当地为招商引资出台了一系列优惠政策，为投资项目建设营造了良好的投资环境；项目建设地拥有完善的交通、通讯、供水、供电设施和工业配套条件，项目建设区域市场优势明显，对投资项目的顺利实施和建成后取得良好经济效益十分有利。四、用地控

51、制指标投资项目占地税收产出率符合国土资源部发布的工业项目建设用地控制指标（国土资发【2008】24号）中规定的产品制造行业占地税收产出率150.00万元/公顷的规定；同时，满足项目建设地确定的“占地税收产出率150.00万元/公顷”的具体要求。投资项目绿化覆盖率符合国土资源部发布的工业项目建设用地控制指标（国土资发【2008】24号）中规定的产品制造行业绿化覆盖率20.00%的规定；同时，满足项目建设地确定的“绿化覆盖率20.00%”的具体要求。投资项目土地综合利用率100.00%，完全符合国土资源部发布的工业项目建设用地控制指标（国土资发【2008】24号）中规定的产品制造行业土地综合利用率

52、90.00%的规定；同时，满足项目建设地确定的“土地综合利用率95.00%”的具体要求。五、地总体要求本期工程项目建设规划建筑系数68.62%，建筑容积率1.35，建设区域绿化覆盖率5.27%，固定资产投资强度192.08万元/亩。土建工程投资一览表序号项目单位指标备注1占地面积平方米30715.3546.05亩2基底面积平方米21076.873建筑面积平方米41465.723181.66万元4容积率1.355建筑系数68.62%6主体工程平方米25202.197绿化面积平方米2185.778绿化率5.27%9投资强度万元/亩192.08六、节约用地措施投资项目建设认真贯彻执行专业化生产的原则

53、，除了主要生产过程和关键工序由项目承办单位实施外，其他附属商品采取外协（外购）的方式，从而减少重复建设，节约了资金、能源和土地资源。投资项目依托项目建设地已有生活设施、公共设施、交通运输设施，建设区域少建非生产性设施，因此，有利于节约土地资源和节省建设投资。采用大跨度连跨厂房，方便生产设备的布置，提高厂房面积的利用率，有利于节约土地资源；原料及辅助材料仓库采用简易货架，提高了库房的面积和空间利用率，从而有效地节约土地资源。七、总图布置方案（一）平面布置总体设计原则同时考虑用地少、施工费用节约等要求，沿围墙、路边和可利用场地种植花卉、树木、草坪及常绿植物，改善和美化生产环境。undefined（

54、二）主要工程布置设计要求项目承办单位在工艺流程、技术参数和主要设备选择确定以后，根据设备的外形、前后位置、上下位差以及各种物料输入（出）、操作等规划统一设计，选择并确定车间布置方案。项目承办单位在工艺流程、技术参数和主要设备选择确定以后，根据设备的外形、前后位置、上下位差以及各种物料输入（出）、操作等规划统一设计，选择并确定车间布置方案。车间布置方案需要达到“物料流向最经济、操作控制最有利、检测维修最方便”的要求。（三）绿化设计场区绿化设计要达到“营造严谨开放的交流环境，催人奋进的工作环境，舒适宜人的休闲环境，和谐统一的生态环境”之目的。场区绿化设计要达到“营造严谨开放的交流环境，催人奋进的工

55、作环境，舒适宜人的休闲环境，和谐统一的生态环境”之目的。（四）辅助工程设计1、给水系统由项目建设地给水管网直供；场区给水网确定采用生产、生活及消防合一系统的供水方式，在场区内形成环状，从而保证供水水压的平衡及消防用水的要求。2、3、投资项目供电负荷等级为级，场区降压站电源取自国家电网，电源符合国家标准供配电系统设计规范（GB50052）的规定。投资项目供电电源由项目建设地变电站专线供给，供电电源电压为10KV，架空线引入场区后由电缆引入高压变配电室内，由场区配电屏分流到主体工程内，配电电压为380V/220V；场区电缆埋地敷设，车间内电缆架空敷设，该地区的供电电源可靠且电压稳定，完全能够满足投

56、资项目的用电需求。车间电缆进户处要做重复接地，接地电阻小于10.00欧姆，其他特殊设备的工作接地电阻应按满足相应设备的接地电阻要求。4、短距离的运输任务将利用社会运力解决，基本可以满足各类运输需求，因此，投资项目不考虑增加汽车运输设备。外部运输应尽量依托社会运输力量，从而减少固定资产投资；主要产成品、大宗原材料的运输，应避免多次倒运，从而降低运输成本且提高运输效率。5、主体工程及原材料仓库等均采用自然通风为主、机械换气通风为辅；对生产系统中个别温度高、粉尘多的工位采取机械强制通风方案，以保证良好的生产环境。冬季室内采暖要求计算温度：各主体工程14.50-16.50，需采暖的库房5.50-8.50，公用站房14.50，办公室、生活间18.50，卫生间15.50；采暖热媒为95.50-75.00采暖热水，由市政外网集中供应，供水压力为0.40Mpa。数据通信：数据传输通道主要采用中国电信ADSL构建