(完整word版)半导体器件作业-有答案

1、1 半导体硅材料的晶格结构是（A ）A 金刚石 B 闪锌矿 C 纤锌矿 2 下列固体中，禁带宽度 Eg 最大的是（ C ）A金属 B半导体 C绝缘体3 硅单晶中的层错属于（C ）A 点缺陷B 线缺陷C 面缺陷），受主杂质电离后向半导体提供（A ），本征4 施主杂质电离后向半导体提供（B激发后 向半导体提供（ A B ）。A 空穴B 电子5 砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（ A ）A 直接复合B 间接复合C 俄歇复合6 衡量电子填充能级水平的是（ B ）7 载流子的迁移率是描述载流子（ B ） 的一个物理量。A 在电场作用下的运动快慢A 施主能级 B 费米能级 C 受主能级 D 缺陷能级（

2、A ） 的一个物理量；载流子的扩散系数是描述载流子B 在浓度梯度作用下的运动快慢& 室温下，半导体Si中掺硼的浓度为 1014cm一3,同时掺有浓度为 1.1 x 1015cm一3的磷, 则电子浓度 约为（ B ），空穴浓度为（ D ），费米能级（ G ）；将该半导体升温至570K,则多子浓度 约为（F ）,少子浓度为（ F ）,费米能级（I ）。（已 知：室温下，ni 1.5 x 1010cm3, 570K 时，ni 2x 1017cm一3）A 1014cm 3B 1015cm 3 C 1.1x 1015cm 3 D 2.25x 105cm 3E 1.2x1015cm3F 2x 1017cm

3、3 G 高于 Ei H 低于 Ei I 等于 Ei9 载流子的扩散运动产生（C ）电流，漂移运动产生（ A ）电流。A 漂移 B 隧道 C 扩散10. 下列器件属于多子器件的是（ B D ）A 稳压二极管 B 肖特基二极管 C 发光二极管 D 隧道二极管11. 平衡状态下半导体中载流子浓度n 0p0=n i 2 ，载流子的产生率等于复合率，而当npni2时，载流 子的复合率（ C ）产生率A 大于 B 等于 C 小于12. 实际生产中，制作欧姆接触最常用的方法是（A ）A 重掺杂的半导体与金属接触B 轻掺杂的半导体与金属接触13在下列平面扩散型双极晶体管击穿电压中数值最小的是（ C ）A BV

4、CEO B BVCBO C BVEBO14. MIS结构半导体表面出现强反型的临界条件是（B ）。（ Vs为半导体表面电势；qVB=Ei-EF）A VS=VBB VS=2VBC VS=015. 晶体管中复合与基区厚薄有关，基区越厚，复合越多，因此基区应做得（ C ）A.较厚B.较薄C.很薄16.pn结反偏状态下，空间电荷层的宽度随外加电压数值增加而（ A ）。A.展宽B.变窄C.不变1 7 .在开关器件及与之相关的电路制造中， （ C ）已作为缩短少数载流子寿命的有效手段。 A 钝化工艺B 退火工艺C 掺金工艺18.在二极管中， 外加反向电压超过某一数值后， 反向电流突然增大， 这个电压叫（

5、B ）。 A 饱和电压B 击穿电压C 开启电压19真空能级和费米能级的能值差称为(A )A 功函数 B 亲和能 C 电离电势20. 平面扩散型双极晶体管中掺杂浓度最高的是( A )A 发射区 B 基区 C 集电区21栅电压为零， 沟道不存在， 加上一个负电压才能形成 P 沟道，该 MOSFET 为( A )A P 沟道增强型 B P 沟道耗尽型C N 沟道增强型 D N 沟道耗尽型二、判断题(共 20分，每题1分)1. ( V )半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。2. ( V )半导体中的电子浓度越大，则空穴浓度越小。3. ( X )半导体中载流子低温下发生的散射主要是晶格振动的散射。

6、4. ( X )杂质半导体的电阻率随着温度的增加而下降。5. ( V )半导体中杂质越多，晶格缺陷越多，非平衡载流子的寿命就越短。6. ( V )非简并半导体处于热平衡状态的判据是n0p0=ni2。7. ( V ) MOSFET只有一种载流子(电子或空穴)传输电流。8. ( V )反向电流和击穿电压是表征晶体管性能的主要参数。9. ( X )同一种材料中，电子和空穴的迁移率是相同的。10. ( V ) MOS 型的集成电路是当今集成电路的主流产品。11. ( V )平衡 PN 结中费米能级处处相等。12. ( V )能够产生隧道效应的 PN 结二极管通常结的两边掺杂都很重， 杂质分布很陡。13

7、. ( V )位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周 期 而位移一段距离。14. ( V )在某些气体中退火可以降低硅 -二氧化硅系统的固态电荷和界面态。15. ( V )高频下， pn 结失去整流特性的因素是 pn 结电容16. ( X ) pn 结的雪崩击穿电压主要取决于高掺杂一侧的杂质浓度。17. ( V )要提高双极晶体管的直流电流放大系数a、B值，就必须提高发射结的注入系数 和基区输运系数。18. ( V )二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的可动离子是钠离子。19. ( X )制造 MOS 器件常常选用 111晶向的硅单晶。2 0. ( V )场效应晶体管

8、的源极和漏极可以互换，但双极型晶体管的发射极和集电极是 不可 以互换的。三、名词解释 (共 15 分，每题 5 分，给出关键词得 3 分)1. 雪崩击穿随着 PN 外加反向电压不断增大，空间电荷区的电场不断增强，当超过某临界值时，载流子受电场加速获得很高的动能， 与晶格点阵原子发生碰撞使之电离， 产生新的电子 空穴对， 再被电场加速， 再产生更 多的电子 空穴对， 载流子数目在空间电荷区 发生倍增，犹如雪崩一般，反向电流迅速增大，这种现象称之为雪崩击穿。2. 非平衡载流子由于外界原因，迫使半导体处于与热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡状态，其载流子浓度可以比平衡状 态时多出了一部分，比平衡时多

9、出了的这部分载流子称为非平衡载 流子。3 .共有化运动当原子相互接近形成晶体时， 不同原子的内外各电子壳层之间就有了一定程度的交叠,相邻原子最外层交叠 最多，内壳层交叠较少。原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电 子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去，因而，电子将可以在整个晶体中运动，这种运动称为电子的共 有化运动。四、问答题（22分）1简述肖特基二极管的优缺点。（6分，每小点1分）优点： （1）正向压降低（2）温度系数小 （3 ）工作频率咼。4 ）噪声系数小缺点： （1 ）反向漏电流较大（2 ）耐压低2. MIS结构中，以金属一绝缘体一P型半导体为例，半导体表面在

10、什么情况下成为积累层？ 什么情况下出现耗 尽层和反型层？（6分，每小点2分）积累状态：当金属与半导体之间加负电压时，表面势为负值，表面处能带向上弯曲，表面层内就会出现空穴的堆积。（2分）耗尽状态：当金属与半导体之间加正电压时，表面势为正值，表面处能带向下弯曲，表面处的空穴浓度较体内的低得多，这种状态就叫做耗尽状态。（2分）反型状态：当正电压进一步增加时，能带进一步向下弯曲，使表面处的费米能级高于中央能级E i，这意味着表面的 电子浓度将超过空穴浓度，形成反型层。（2分）3. 如何加电压才能使 NPN晶体管起放大作用。请画出平衡时和放大工作时的能带图。 答：要使NPN晶体管起放大作用，发射结要加

11、正向偏压，集电结反向偏压。放大工作时的 能带图如下五、计算题（共 13 分，其中第一小题 5 分，第二小题 5 分，第三小题 3 分）1. 计算（1）掺入ND为1 x 1015个/cm3的施主硅，在室温（300K）时的电子 nO和空穴浓度 其中本征载流子浓度n i=2x 1010个/cm3。（2）如果在（1）中掺入 NA=5X 1014个/cm3的受主， 那么电子 nO和空穴浓度别为多少？p0，p0 分（3）若在（1）中掺入 NA=1X 1015个/cm3的受主，那 么电子 n0 和空穴浓度 p0 又为多少？一、填空题（共25分 每空1分）1、硼、铝、镓等 三族元素掺入到硅中， 所形成的能级是

12、受主 （施主能级或受主能级）;砷、磷等五族元素掺入到硅中，所形成的能级是施主 （同上）。2、平衡状态下，我们用统一的费米能级E f来标志电子填充能级的水平， 在非平衡状态下，导带中的电子填充能级的水平是用导带费米能级（E Fn）来衡量，价带中电子填充能级的水平是用价带费米能级（E Fp）来衡量。3、载流子的散射机构主要有电离杂质散射禾和 晶格振动散射。5、PN结击穿共有三种：雪崩击穿 、 齐纳击穿 、 热击穿6、晶体管的品种繁多，按其结构分可分为双极型、MOS晶体管。在电子电路应用中，主要有两种接法即：共基极 和 共射极，其标准偏置条件为：发射极正向偏置、集电极 反向偏置。7、P型半导体的MI

13、S结构外加栅压时，共有三种状态：积累 、耗尽 、 反型 。8、真空能级和费米能级的能量差称为功函数，真空能级和半导体导带底的能量差称为亲和能 。9、 在二极管中，外加反向电压超过某一数值后，反向电流突然增大，这个电压叫击穿电 压 。10、晶体管中复合与基区厚薄有关，基区越厚，复合越多，因此基区应做得较薄（较厚或较薄）。11、载流子的扩散运动产生 扩散 电流，漂移运动产生 漂移 电流。12、 在开关器件及与之相关的电路制造中，掺金工艺已作为缩短少数载流子寿命的有效手段。二、判断题（共10分，每题1分）1、 位错是半导体材料中的一种常见的线缺陷。（R ）2、在高温本征激发时，本征激发所产生的载流子

14、数将远多于杂质电离所产生的载流子数。（R ）3、 电离杂质散射与半导体中杂质浓度成正比。（R ）4、由注入所引入的非平衡载流子数，一定少于平衡时的载流子数，不管是多子还是少子。（F ）5、 非平衡少子浓度衰减到产生时的1/e时的时间，称为非平衡载流子的寿命。（R ）6、 俄歇复合是一种辐射复合。（F ）7、爱因斯坦关系式表明了非简并情况下载流子的迁移率和扩散系数直接的关系。（R ）&在大的正向偏压时，扩散电容起主要的作用。（R ）9、 齐纳击穿是一种软击穿。（F ）10、 半导体的电导率随掺杂浓度的增加而增加。（R ）二、选择题：（单选多选均有 共2 0分 每题2分）1 .下列对纯净半导体材料

15、特性叙述正确的是A、DA 半导体的电阻率在导体和绝缘体之间B 半导体的电阻率随温度的上升而升高。C 半导体的电阻率随温度的上升而减小。D半导体的电阻率可以在很大范围内变化。2 下列器件中导电载流子是多子器件的是_B_A稳压二极管B肖特基二极管C发光二极管 D变容二极管3 .电子的迁移率是A空穴的迁移率。A 大于B 等于C 小于4. 下列固体中，禁带宽度Eg最大的是CA 金属B 半导体C 绝缘体5 .半导体与金属 Al形成良好的欧姆接触的结构形式有B、DA Al-n-n+BAl-n+-nC Al-p-p+ D Al-p+-p6.晶体中内层电子有效质量A 外层电子的有效质量。A 大于B等于C 小于

16、D不一定7.原子构成的平面在X、y、z轴上的截距分别为一2、3、4，则其密勒指数为AA(6,4,3)B(6,4,3)C(2,3,4)D (2,3,4)8 . Pn结耗尽层中（如图所示）电场强度最大的地方是CA ppBXXC nnD 一样大P XnPNP x n9 .最能起到有效的复合中心作用的杂质是AA深能级杂质B 浅能级杂质C中等能级杂质10.在下列半导体中，费米冃匕级最冋的疋CA强P型B弱P型C强N型D弱N型三、名词解释（共15分每题5分）1、准费米能级费米能级和统计分布函数都是指的热平衡状态，而当半导体的平衡态遭到破坏而存在 非平衡载流子时，可以认为分就导带和价带中的电子来讲，它们各自处

17、于平衡态，而导带 和价带之间处于不平衡态，因而费米能级和统计分布函数对导带和价带各自仍然是适用的， 可以分别引入导带费米能级和价带费米能级，它们都是局部的能级，称为“准费米能级”，分别用E、辛表示。2、直接复合、间接复合直接复合一电子在导带和价带之间直接跃迁而引起电子和空穴的直接复合 。间接复合一电子和空穴通过禁带中的能级（复合中心）进行复合。3、扩散电容PN结正向偏压时，有空穴从P区注入N区。当正向偏压增加时，由P区注入到N区的 空穴增加，注入的空穴一部分扩散走了，一部分则增加了N区的空穴积累，增加了载流子的浓度梯度。在外加电压变化时，N扩散区内积累的非平衡空穴也增加，与它保持电中性 的电子

18、也相应增加。这种由于扩散区积累的电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应， 称为P-N结的扩散电容。用CD表示。四、问答题（24分）1、画出杂质半导体电阻率与温度的关系图，并分析该图。（8分）AB：温度很低，本征激发可忽略，载流子主要上 由杂P质提供，它随温度增加而增加，散射主要由 电离杂质决定，迁移率随温度的增加而增加，所以电阻率随温度的增加而下降。（2分）BC:温度继续升高，杂质已全部电离，载流子浓度基本不变，晶格振动散射上升为主要矛盾，迁移率随温度的升高而下降，所以电阻率随温度的升高而 增大。（2分）CD:温度继续升高，大量本征载流子的产生远远T超过迁移率减小对电阻率的 影响，电阻率随温度的升高而急剧下降。2. MOSFET与双极晶体管相比有何优点？ （6分）MOS管：多子器件，驱动能力强，易集成，功耗低，适合于大规模集成电路，现已成为超大规模集成电路的主流形式。（3分）双极器件：少子器件，速度较快，但集成度较低，功耗大，不适合于大规模集成电路。（3分）3. MIS结构中，P型半导体表面在什么情况下成为积累层？什么情况下出现耗尽层和反型 层？并请画出相应的能带图。（10分）积累状态积累状态：当金属与半导体之间加负电压时，表面势为负值，表面处能带向上弯曲，表面层内就会出现空