FLX-2320操作手册

1、KUCjencorFLX 2320 Stress Measureme nt System操作手冊A. 開機1. 打開FLX-2320主機電源。（壓下Power-On鍵）2. 打開電腦電源，系統會自行進入 WIN3，1 請執行 Tencor FLX 群 組下之WINFLX既可進入主操作畫面。B. 關機1. 離開主操作軟體（Measure Exit ）,跳出 WIN31至DOST, 關閉電腦電源。2. 關閉 FLX-2320 電源（壓下 Power-Off 鍵）。C. 量測Stress 值需有 Wafer 處理前與處理後之曲率半徑差異值來計 算,故 Wafer 須在長膜之前先量一次,長膜之後再量一

2、次才可得 出 Stress 值。1. 於主畫面之Edit選單下，選擇Process Program，按Load可 選擇欲量測 Wafer 尺寸的程式,後再 Cancel。2. 打開主機門蓋，將 Wafer置於Locator內，將Wafer定位於中心,請記住 Wafer 放的方向3. 關上門蓋。4. 於主選單Measure下選擇First （No Film ）。此為未長膜之 前的量測。5. 輸入此量測資料欲儲存的檔名，並輸入定義給此 Wafer之ID。6. 按Measure即開始量測，量測結束會顯示曲率半徑之圖形。再按Measure可再量測一次或按Can cel離開。7. 打開主機上蓋，取出 W

3、afer。8. 當Wafer做完製程後，再將 Wafer置於主機內，選擇主選單 Measure下之 Single。9. 輸入與之前相同之檔名或按下 File選擇，輸入與之前相同之 ID，輸入膜層之厚度（？）。10. 按Measure即開始量測，量測結束會顯示曲率半徑之圖形與Stress值。再按Measure可再量測一次或按 Cancel離開。D. Stress-Time 量測1. 當Wafer做完製程後，可做長時間性量測；選擇主選單Measure 下之Time。2. 輸入與之前相同之檔名或按下 File選擇，輸入與之前相同之 ID，輸入膜層之厚度（？）。3. 輸入間隔量測時間（Interval

4、 ）（最小30秒），與總時間Total ）。4. 按 Measure 即開始量測，量測間會顯示間隔時間記數，結束會顯示Stress之趨勢圖。再按Measure可再量測一次或按Cancel離開E. Stress-Temp 量測Stress - Temp量測Wafer放置方法1. 打開主機門蓋，將 Wafer 置於 Locator 內 , 將 Wafer 定位於中心，請記住 Wafer 放的方向。2. 請小心取出 Wafer Locator ，取出時勿移動到 Wafer 。3. 將透明石英片放置 Heater 上。4. 蓋上升溫用不鏽鋼外罩，將四個旋扭鎖緊。5. 將N2打開極微量，只要微量充入Ch

5、amber既可，量過大會造成 Wafer震動或 溫度無法有效上升。 （ 此項為有接才使用 ）6. 將 CDA 打開至 60 psi 。（此項為有接才使用 ）7. 按下機台上之Heater與Fan開關（綠色按鈕）。8. 關上門蓋。Hot Plate Cov&rQuartz PlateaShallow depression v/here the wafer is placed, face up. for measurementMeatei through which compressed air or liquid nitrogen i& run to allow iaster cooling當W

6、afer做完製程後，可做昇溫量測；選擇主選單Measure下之Temperature。1. 輸入與之前相同之檔名或按下 File選擇，輸入與之前相同之ID，輸入膜層之厚度（？）。2. 於昇溫之Recipe內可輸入每階段之昇溫或降溫條件，最高昇溫速率約為每分鐘1520 C,最高溫度為500 Co設宦升溫爲度量測PriorityTempar定屋測蛊圍間 升溫時間隔Fg二1国rja213dc oaDOQG off IQLEEIIDJOfFJ0.0OFFOffOFFQFfoJiOFFOFT0.0IoffOFFVhA|0?FOFFoa loo |Q _ Tin mu t _no FF OFL LDbQ

7、| OFF 四丐當隆温歩闿闌始詰將 Relarl設On,會閑豊 CM閨俺降濫升羸還军自動 計算升溫羽專段溫度或時閤唳主設定3. 輸入完成後，按Measure即開始量測，量測間會顯示溫度與 量測變化，結束會顯示Stress之升降溫圖。注意：降溫至室溫時請將該步驟溫度設定大於室溫約10度（例40C），以避免等待時間過長到達室溫。F. 其他功能1. Data Edit & ReviewEdit選單下選擇Data，可叫出已存檔之資料，供檢視或繪製圖形。2.校正 Calibration隨機之Certified Wafer可供做定期檢測量測之正確性。請將 Wafer A做First量測，將 Wafer B

8、做Single量測，（參照 其附之Certified Data sheet ）。看其量測值是否在標準值2.5 %之規格內，若超出規格請聯絡 Scientech Service 。3. 雷射強度與位置檢查a. 將一 Bare Silicon Wafer 至於主機 Chamber內。b. 執行主選單 Utilities 下之 Diagnostics。c. 當顯示放入一 Bare Silicon Wafer 時，按 OK。1Dionnnsllc:IS232LUNIIkCrLDrRi|iHAiiiir rimtHilivinnpml |w mirrmiZUMNEEliEtlMrvtw fun：lioninQOKli /Him indi-nsikj IJ1CIntFFhtitji 二3 DF&Dtff O 11 KUT dblu IluIhiij OniiklLOKiniRruili- DKInlnnitji niff- nnn61 a til it 忙 wlin 耳7* 亍 rim 卜micd. 畫面上會顯示650nm與750nm雷射之強度（Intensity ） 及位置（Diff ）,若雷射位置無誤，則 Table Leveling 會顯示ok否則會顯示cw矣ccWH尔將主機內晶片載台旁 之水平調整鈕順